[发明专利]封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

至少一个半导体管芯，具有多个导电柱，其中所述多个导电柱中的至少一者的顶表面具有第一粗糙度；

绝缘密封体，包封所述至少一个半导体管芯；

重布线结构，在积层方向上设置在所述绝缘密封体上，其中所述重布线结构电连接到所述至少一个半导体管芯且包括：

多个导通孔部及多个导电体部，嵌置在介电层中，其中所述多个导电体部的顶表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述多个导通孔部包括第一通孔部，且所述第一通孔部的侧向尺寸在所述积层方向上从所述第一通孔部的第一端到所述第一通孔部的第二端保持恒定，且所述第一通孔部的所述第二端的表面具有第三粗糙度，且所述第三粗糙度小于所述第二粗糙度。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其中所述多个导通孔部还包括第二通孔部，且所述第二通孔部的侧向尺寸在所述积层方向上从所述第二通孔部的第一端到所述第二通孔部的第二端增大。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其中所述重布线结构还包括彼此隔开的多个平面晶种层与多个非平面晶种层，所述多个平面晶种层设置在所述第一通孔部上且接触所述第一通孔部，且所述第二通孔部设置在所述多个非平面晶种层上且接触所述多个非平面晶种层。

5.一种制作封装结构的方法，包括：

在载体上提供至少一个半导体管芯，其中所述至少一个半导体管芯包括导电柱；

形成包封所述至少一个半导体管芯的绝缘密封体，并将所述绝缘密封体平坦化，以显露出所述导电柱的顶表面；

对所述导电柱执行清洁工艺，其中所述清洁工艺包括使用第一溶液对所述导电柱的所述顶表面进行清洁的第一清洁步骤，且其中在所述清洁工艺之后所述导电柱的所述顶表面具有第一粗糙度；

在积层方向上在所述绝缘密封体上形成重布线结构，其中形成所述重布线结构的步骤包括形成嵌置在介电层中的多个导通孔部及多个导电体部，且其中所述多个导电体部的顶表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度；以及

将所述载体剥离。

6.根据权利要求5所述的制作封装结构的方法，其中所述第一溶液包括选自由乙酸、甲酸、柠檬酸、抗坏血酸、氢氟酸、氢氯酸、磷酸及硝酸组成的群组的至少一种酸。

7.根据权利要求5所述的制作封装结构的方法，其中所述第一溶液包括选自由乙醇胺、羟乙基乙二胺、氢氧化铵及氯化铵组成的群组的至少一种胺系溶液。

8.根据权利要求5所述的制作封装结构的方法，其中形成所述导通孔部的步骤包括：形成第一通孔部，所述第一通孔部具有在所述积层方向上从所述第一通孔部的第一端到所述第一通孔部的第二端保持恒定的侧向尺寸，并执行通孔清洁工艺，所述通孔清洁工艺使用所述第一溶液对所述第一通孔部的所述第二端的表面进行清洁，且其中在所述通孔清洁工艺之后所述第一通孔部的所述第二端的所述表面具有第三粗糙度，且所述第三粗糙度小于所述第二粗糙度。