[发明专利]半导体装置封装体及其制造方法

说明书

一种底胶结构及底胶结构的半导体装置的制造方法。半导体装置封装体包括一封装体，封装体包括一集成电路芯片；一中介层，经由多个芯片连接器接合至集成电路芯片；以及一封胶层，围绕集成电路芯片。半导体装置封装体还包括一封装基板，经由多个导电连接器接合至中介层；一第一底胶层，位于封装体与封装基板之间，第一底胶层具有第一热膨胀系数(CTE)；以及一第二底胶层，围绕第一底胶层，第二底胶层具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种半导体装置封装体及其制造方法。

背景技术

半导体装置用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机及其他电子设备。半导体装置的制造通常经由在半导体基底上按序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体材料层，并使用光刻工艺图案化各种材料层，以在其上形成电路部件及元件。

半导体工业通过不断减小最小特征部件尺寸继续改善各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集积密度，这允许将更多元件集积于一给定区域。然而，随着最小特征部件尺寸的减小，也出现了应当解决的其他问题。

发明内容

一种半导体装置封装体包括：一种半导体装置封装体包括：一封装体，包括一集成电路芯片、经由多个芯片连接器接合至集成电路芯片的一中介层以及围绕集成电路芯片的一封胶层；一封装基底，经由多个导电连接器接合至中介层；一第一底胶层，位于封装体与封装基板之间，第一底胶层具有一第一热膨胀系数；以及一第二底胶层，围绕第一底胶层，第二底胶层具有小于第一热膨胀系数的一第二热膨胀系数。

一种半导体装置封装体的制造方法包括：将一芯片贴附至一中介层的一第一表面；以一封胶层封装芯片；形成多个导电连接器于中介层的一第二表面，第二表面相对于第一表面；经由导电连接器将中介层接合至一封装基底；沉积一第一底胶层于中介层与封装基底之间，并围绕导电连接器；以及沉积一第二底胶层以围绕第一底胶层，第二底胶层具有比第一底胶层低的热膨胀系数。

一种半导体装置封装体包括：一第一封装体，包括：一第一集成电路芯片、围绕第一集成电路芯片的一封胶层以及位于封胶层及第一集成电路芯片上的一重布层；多个功能连接器；一第二封装体，经由多个功能连接器接合至第一封装体，其中功能连接器及重布层电性连接第二封装体的一第二集成电路芯片至第一集成电路芯片；一第一底胶层，位于第一封装体与第二封装体之间，第一底胶层围绕功能连接器；以及一第二底胶层，围绕第一底胶层，第二底胶层具有不同于第一底胶层的材料组成，第二底胶层的最顶部区域范围位于第一底胶层的最上表面的上方。

附图说明

图1至图9B是示出根据一些实施例的半导体装置封装体中间制造阶段的剖面示意图。

图10至图17是示出根据一些实施例的半导体装置封装体中间制造阶段的剖面示意图。

附图标记说明：

100 第一装置封装体

100A、100B 装置区域

102 晶圆

104 芯片连接器

106A 第一芯片堆叠

106B 第二芯片堆叠

202 底胶层

302、1110 封胶层

402 导电连接器

404、1306 胶带