[发明专利]制造热膨胀系数局部适应的异质结构的方法有效
| 申请号： | 200980157864.1 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102341900A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | C·科尔纳 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/62 | 分类号： | H01L21/62 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种制造异质结构(200)的方法，包括将具有第一热膨胀系数的至少一个第一衬底(110)键合到具有第二热膨胀系数的第二衬底(120)上，所述第一热膨胀系数不同于所述第二热膨胀系数。在键合之前，在两个衬底的其中之一上从所述衬底(110)的键合面(110a)开始形成沟道(111)。用具有介于所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的第三热膨胀系数的材料(130)填充所述沟道(111)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 热膨胀 系数 局部 适应 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造异质结构(200)的方法，包括将具有第一热膨胀系数的至少一个第一衬底(110)键合到具有第二热膨胀系数的第二衬底(120)上，所述第一热膨胀系数不同于所述第二热膨胀系数，该方法的特征在于，在键合之前，在两个衬底的至少其中之一上从所述至少一个衬底(110)的键合面(110a)开始形成沟道(111)，并用具有介于所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的第三热膨胀系数的材料(130)填充所述沟道(111)。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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