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[发明专利]中介层-CN202080057134.0在审
发明人： V·拉古纳森;A·J·齐尔基 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种硅中介层(100)。所述硅中介层(100)包括：硅层(101)，所述硅层包括各自可连接到光纤(103)的一个或多个光波导(102)；光学有源部件(104)，所述光学有源部件被配置成将从所述光纤(103)接收到的光信号转换成电信号或将电信号转换成光信号并且将所述光信号提供到所述光纤
中介

[发明专利]中介层-CN202010580105.4有效
发明人： A.多雷斯泰因;J.N.图因;R.W.斯敏克 -专利权人：泰科电子连接荷兰公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种光学子组件，包括：(a)中介层，其具有第一和第二相反侧并限定从第一相反侧延伸到第二相反侧的对准孔口，中介层限定具有触点的迹线；(b)具有第一光轴的光纤，所述光纤被保持为使得第一光轴定位为基本正交于第一和第二相反侧；(c)至少一个光学部件，其安装到第二相反侧并电连接到所述触点的至少一部分，所述至少一个光学部件具有与所述第一光轴重合的第二光轴；以及(d)电路板，其构造成接收中介层，使得中介层与电路板基本正交，并且第一光轴与电路板基本平行
中介

[发明专利]中介层以及中介层的制造方法-CN200880007961.8有效
发明人：坂本一;河野秀一;小松大基;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种能够降低安装高度、能够以尽可能少的层数进行很多布线的引绕并且适合电子部件之间的大容量信号传输的中介层，本发明的中介层的特征在于由以下部分构成：第一绝缘层，其由无机材料构成；第一连接盘，其形成在上述第一绝缘层内；第二连接盘，其形成在上述第一绝缘层内；第一布线，其形成在上述第一绝缘层内，电连接上述第一连接盘和上述第二连接盘；第二绝缘层，其形成在上述第一绝缘层、上述第一连接盘、上述第二连接盘以及上述第一布线的第一面之上，具有与上述第二连接盘连接的第一通路导体用的第一开口部；第一焊盘，其用于搭载要安装在上述第一绝缘层的第二面侧上的第一电子部件；第二焊盘，其形成在上述第二绝缘层之上，用于搭载第二电子部件；第二布线，其形成在上述第二绝缘层之上
中介以及制造方法

[发明专利]中介层以及中介层的制造方法-CN200880007821.0有效
发明人：坂本一;古谷俊树;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种即使在半导体元件发热时也能够很好地缓和应力集中到通路导体等导体部的中介层，本发明的中介层的特征在于由以下部分构成：至少一层无机绝缘层；第一布线，其形成在上述无机绝缘层的内部或者表面上；至少一层有机绝缘层，其形成在最外层的无机绝缘层上以及上述第一布线上；第二布线，其形成在上述有机绝缘层的表面上；以及导体部，其连接上述第一布线和上述第二布线。
中介以及制造方法

[发明专利]中介层以及中介层的制造方法-CN200880008000.9有效
发明人：坂本一;河野秀一;小松大基;古谷俊树;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明的提供一种能够以少的层数进行多条布线的引绕并且适于电子部件间的大容量信号传输的中介层，本发明的中介层的特征在于，由以下部分构成：第一绝缘层，其形成在支承基板之上，由无机材料构成；第一连接盘和第二连接盘，形成在第一绝缘层之上；第一布线，其将第一连接盘与第二连接盘进行电连接；第二绝缘层，其具有第一通路导体用的第一开口部和第二通路导体用的第二开口部；第一焊盘，其形成在第二绝缘层之上，用于搭载第一电子部件；第二焊盘，其形成在第二绝缘层之上，用于搭载第二电子部件；第二布线，其形成在第二绝缘层之上；第一通路导体，其将第一连接盘与第一焊盘进行电连接；以及第二通路导体，其将第二连接盘与第二布线进行电连接，其中，第一焊盘与第二焊盘通过第一布线与第二布线电连接
中介以及制造方法

[发明专利]半导体封装-CN202110804724.1在审
发明人：陈骏盛;黄丘宗 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装，包括基板、多个中介层、多个芯片与虚拟中介层。多个中介层堆叠在基板上。多个芯片位于多个中介层上。芯片电连接至中介层。虚拟中介层位于中介层与基板之间，且电连接至中介层。芯片不位于虚拟中介层与中介层之间。
半导体封装

[发明专利]半导体装置-CN202210962122.3在审
发明人：吕孟昇;陈硕懋;赖柏颖;蔡尚纶;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体装置，可包括封装基板与混合中介物。混合中介物可包括有机中介物材料层与非有机中介物材料层位于有机中介物材料层与封装基板之间。半导体装置可进一步包括集成装置位于混合中介物中。集成装置可位于有机中介材料层中。集成装置可位于非有机中介物材料层中。集成装置可位于有机中介物材料层与非有机中介物材料层中。
半导体装置

[发明专利]一种具有中介层的封装结构-CN202110342685.8在审
发明人：胡楠;孔剑平;王琪;崔传荣 -专利权人：浙江毫微米科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种具有中介层的封装结构，涉及集成电路芯片技术领域。该封装结构包括：有源中介层；M个小芯片，位于所述有源中介层的上方，并与所述有源中介层固定连接，且所述M个小芯片之间电连接；无源中介层，位于所述无源中介层的下方，并与所述有源中介层固定连接；封装衬底，位于所述无源中介层的下方，并与所述无源中介层固定连接；其中，M为大于1的正整数。本发明上述方案，将无源中介层和有源中介层的优势进行结合，不仅可以节省芯片的面积，还可以减少生产成本，提高生产良率。
一种具有中介封装结构

[实用新型]一种具有中介层的封装结构-CN202120649898.0有效
发明人：胡楠;孔剑平;王琪;崔传荣 -专利权人：浙江毫微米科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种具有中介层的封装结构，涉及集成电路芯片技术领域。该封装结构包括：有源中介层；M个小芯片，位于所述有源中介层的上方，并与所述有源中介层固定连接，且所述M个小芯片之间电连接；无源中介层，位于所述无源中介层的下方，并与所述有源中介层固定连接；封装衬底，位于所述无源中介层的下方，并与所述无源中介层固定连接；其中，M为大于1的正整数。本实用新型上述方案，将无源中介层和有源中介层的优势进行结合，不仅可以节省芯片的面积，还可以减少生产成本，提高生产良率。
一种具有中介封装结构

[发明专利]硅中介层-CN201510413740.2有效
发明人：管式凡;施能泰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅中介层，包含一硅基板，具有一正面及相对于正面的一背面；一第一集成电路芯片，设置在硅基板的正面；一第二集成电路芯片，设置在硅基板的正面且靠近第一集成电路芯片；一虚设切割道区域，设置在第一集成电路芯片与第二集成电路芯片之间
中介

[发明专利]中介层装置-CN201280067254.4有效
发明人：让-勒尼·泰耐洛;吉勒斯·费鲁 -专利权人：爱普迪亚公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种中介层装置，包括掺杂硅衬底(1)，其具有在第一面上的外延层(24)和两个通孔(11，12)，该通孔从第一面延伸到与掺杂硅衬底的第一面相对的第二面。第一导电层和第二导电层(121，122)分别放置在第一通孔的第一面和第二面上以便电连接到一起，第三导电层和第四导电层(112，11)分别放置在第二通孔的表面上以便电连接到一起。第一导电层(122)和第三导电层(112)通过背对背二极管(35)连接到一起，其中，二极管通过二极管沟槽(6)隔离，该二极管沟槽的深度至少等于外延层(24)的深度。还提供了形成中介层装置的方法。
中介装置

[实用新型]封装结构-CN202222036007.1有效
发明人：张竣凯 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请提供了封装结构，包括：基板；以及多个中介层，并排设置在所述基板上；保护层，封装所述多个中介层，所述多个中介层的顶面通过所述保护层露出，其中，所述多个中介层中的至少一个中介层包括弹性缓冲层。上述技术方案可以使多个中介层齐平，从而确保多个中介层的顶面通过保护层露出。
封装结构

[发明专利]封装件及其形成方法-CN201910917900.5有效
发明人：蔡柏豪;游明志;许佳桂;郑心圃;庄博尧;林孟良;洪士庭;林柏尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。
封装及其形成方法

[发明专利]中介层、包括该中介层的模块及电子装置-CN201010241077.X有效
发明人：秋叶朗;御手洗俊;池田浩一;盛田伸也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了中介层、包括该中介层的模块及电子装置。所述中介层包括：基板，它具有正面和背面；布线，它形成在所述基板的正面侧上并且与半导体芯片电连接；电气元件，它与所述布线连接；以及凹部，它在对应于所述电气元件的位置处从所述基板的背面侧形成。所述模块包括上述中介层和安装在该中介层上的半导体芯片。所述电子装置包括上述中介层、安装在该中介层上的半导体芯片以及用于安装该中介层的安装基板。利用本发明实施例的中介层，能够简化制造步骤，并且该中介层表现出较好的高频特性。对于本发明实施例的包括上述中介层的模块及电子装置，能够提高可靠性和产率。
中介包括模块电子装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110380641.4在审
发明人：侯上勇;胡宪斌;邱绍玲;魏文信;黄炳刚;沈志达;卢思维;施应庆;邱文智;吴集锡;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：半导体结构包括：第一中介层；第二中介层，与第一中介层横向相邻，其中，第二中介层与第一中介层间隔开；以及第一管芯，附接至第一中介层的第一侧并且附接至第二中介层的第一侧，其中，第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧面向第一管芯
半导体结构及其形成方法

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