[发明专利]半导体装置封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装体，包括：

一封装体，包括：

一集成电路芯片；

一中介层，经由多个芯片连接器接合至该集成电路芯片；以及

一封胶层，围绕该集成电路芯片；

一封装基底，经由多个导电连接器接合至该中介层；

一第一底胶层，位于该封装体与该封装基板之间，该第一底胶层具有一第一热膨胀系数；以及

一第二底胶层，围绕该第一底胶层，该第二底胶层具有小于该第一热膨胀系数的一第二热膨胀系数。

2.如权利要求1所述的半导体装置封装体，其中该第一底胶层及该第二底胶层自该封装基底朝向该封装体逐渐变细。

3.如权利要求1所述的半导体装置封装体，其中该第一底胶层与该中介层接触，且与该封胶层隔开。

4.如权利要求1所述的半导体装置封装体，其中该第二底胶层与该封装体接触，且与所述多个导电连接器隔开。

5.一种半导体装置封装体的制造方法，包括：

将一芯片贴附至一中介层的一第一表面；

以一封胶层封装该芯片；

形成多个导电连接器于该中介层的一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；

经由所述多个导电连接器将该中介层接合至一封装基底；

沉积一第一底胶层于该中介层与该封装基底之间，并围绕所述多个导电连接器；以及

沉积一第二底胶层以围绕该第一底胶层，该第二底胶层具有比该第一底胶层低的热膨胀系数。

6.如权利要求5所述的半导体装置封装体的制造方法，还包括在形成第一底胶层之前，将该中介层与该封装基底的表面暴露于一等离子体。

7.如权利要求5所述的半导体装置封装体的制造方法，其中该第二底胶层具有高于第一底胶层的硅重量浓度。

8.一种半导体装置封装体，包括：

一第一封装体，包括：

一第一集成电路芯片；

一封胶层，围绕该第一集成电路芯片；以及

一重布层，位于该封胶层及该第一集成电路芯片上；

多个功能连接器；

一第二封装体，经由多个功能连接器接合至该第一封装体，其中所述多个功能连接器及该重布层电性连接该第二封装体的一第二集成电路芯片至该第一集成电路芯片；

一第一底胶层，位于该第一封装体与该第二封装体之间，该第一底胶层围绕所述多个功能连接器；以及

一第二底胶层，围绕该第一底胶层，该第二底胶层具有不同于该第一底胶层的材料组成，该第二底胶层的最顶部区域范围位于该第一底胶层的最上表面的上方。

9.如权利要求8所述的半导体装置封装体，其中该第二底胶层延伸于该第二封装体正下方位于该第一底胶层与该重布层之间。

10.如权利要求8所述的半导体装置封装体，其中该第二底胶层自该重布层的一上表面延伸至该第二封装体的一侧壁。