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[发明专利]一种SiC/SiC复合材料的连接方法-CN201711257277.2有效
发明人：谢巍杰;邱海鹏;陈明伟;刘善华 -专利权人：中航复合材料有限责任公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合材料的连接方法，特别涉及一种SiC/SiC复合材料的连接方法，主要适用于大型复杂薄壁和尺寸精度要求高的SiC/SiC复合材料构件的连接。本发明提供的SiC/SiC复合材料连接方法中，SiC/SiC复合材料螺钉起到了紧固连接的作用，先驱体转化法生成的碳化硅起到了锁紧与粘接的作用，巧妙结合了紧固连接与粘接并充分发挥各自优点，连接强度和可靠性高本发明提供了一种一体化制备大型复杂SiC/SiC复合材料构件的方法，在SiC/SiC复合材料的制造过程完成连接，缩短SiC/SiC复合材料构件的制备周期并降低成本。本发明提供一种SiC/SiC复合材料的连接方法，可以克服现有技术中粘接的脆性大且可靠性差、螺栓连接的构件表面形状改变、铆接的铆钉易脱出且可靠性差等缺点。
一种 sic 复合材料连接方法

[发明专利]SiC复合基板的制造方法-CN201680052879.1有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;长泽弘幸 -专利权人：信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
sic 复合制造方法

[发明专利]一种SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管及其制备方法-CN201710604397.9有效
发明人：陈照峰;余盛杰 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： B01D39/20 文献下载
摘要：一种SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管及其制备方法，其特征在于，所述的SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管包括管状SiC纤维三维织物预制体，SiC基体，(SiC/PyC)n界面层，SiC基体附着于SiC纤维表面，(SiC/PyC)n界面层介于SiC基体和SiC纤维之间，管壁从内到外，SiC基体厚度呈梯度分布。SiC基体厚度为30~100μm。(SiC/PyC)n界面层厚度为300nm~2μm。采用化学气相渗积法一体化成型得到SiCf/SiC陶瓷基复合过滤管。
一种 sicf sic 陶瓷复合过滤及其制备方法

[发明专利]SiC晶圆在线加工方法-CN201711432420.7在审
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC晶圆在线加工方法，包括如下步骤：获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。上述方法通过在SiC晶圆片的背面淀积一层非光物质，能够使SiC晶圆不再透光，保证具有光线传感器的设备可以识别SiC晶圆及其定位边，并且一次淀积就能够保证SiC晶圆片满足后续所有加工工序的需求，有效地提高了SiC晶圆的加工效率。
晶圆在线加工非透光淀积背面晶圆片光线传感器加工工序加工效率正面设置定位边有效地透光保证加工

[实用新型]一种复合半导体衬底-CN202121722381.6有效
发明人：田野;王晓宇 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种复合半导体衬底，包括：高掺杂SiC基底，用于降低电流损耗；低掺杂SiC转移层，用于作为SiC外延层的生长基底；键合界面层，设置在所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层之间，用于键合所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层。本实用新型通过采用基于键合剥离转移技术的高掺杂‑低掺杂复合半导体衬底，在能够使用高掺杂的SiC基底材料降低器件导通损耗的前提下，通过在高掺杂SiC基底材料上方引入低掺杂SiC转移层，解决了传统高掺杂SiC衬底在生长外延时难以控制SiC外延层掺杂浓度的弊端。
一种复合半导体衬底

[发明专利]晶片生成装置-CN201810658962.4在审
发明人：饭塚健太吕;大宫直树;森俊;北野元己;平田和也;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
单晶SiC 生成装置晶片激光照射晶片剥离磨削组件剥离层照射激光光线激光光线聚光点上表面透过性自动地波长剥离

[发明专利]一种超高温陶瓷改性SiC/SiC复合材料的制备方法-CN202211266916.2在审
发明人：宋环君;陈昊然;杨良伟;金鑫;李晓东;左红军;刘伟;于新民;刘俊鹏;孙同臣 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开一种超高温陶瓷改性SiC/SiC复合材料的制备方法，属于航空航天材料制备工艺领域，通过三代SiC纤维编织成SiC纤维预制体，在其表面掺入陶瓷粉体制成改性层；在SiC表面沉积一层PyC界面层和一层SiC界面层；选用烧结助剂、SiC陶瓷粉体、聚合物前驱体和溶剂进行浸渍，再经过高压固化和高温裂解，反复进行若干次，最后进行高温烧结制备得到超高温陶瓷改性SiC/SiC复合材料。本发明能够提高SiC/SiC复合材料1400℃以上抗氧化性能。
一种超高温陶瓷改性 sic 复合材料制备方法

[发明专利]SiC晶体的制造方法-CN201610455007.1有效
发明人：关章宪;石川由加里 -专利权人：丰田自动车株式会社;一般财团法人日本精细陶瓷中心
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及SiC晶体的制造方法。本发明提供可有效地掺杂氮的SiC晶体的制造方法。另外，提供一种可仅对SiC晶体的一部分区域提高N施主浓度的SiC晶体的制造方法。SiC晶体的制造方法，其为供给含Si、C及N的原料气体从而使N掺杂的SiC晶体在SiC基板上气相生长的SiC晶体的制造方法，其中，上述SiC基板为表面的一部分或全部沉积有La、Ce或Ti的SiC基板，或者为表面的一部分为全部离子注入有La、Ce或Ti的SiC基板。
sic 晶体制造方法

[发明专利]具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用-CN202011528207.8在审
发明人：杨勇;刘盟;黄政仁;刘学建;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用。所述SiC陶瓷器件包括低B、C残余的SiC陶瓷基体和位于SiC陶瓷基体表面的高纯CVD‑SiC薄膜；所述SiC陶瓷基体的致密度高于98%；所述SiC陶瓷基体的纯度高于99.5wt%；所述CVD‑SiC膜的纯度高于本发明通过在低B、C残余SiC陶瓷表面镀制一层高纯CVD SiC薄膜，将有效减少B元素扩散进晶圆中，减少对晶圆的不利影响。
具有高纯工作表面 sic 陶瓷器件及其制备方法应用

[发明专利]一种SiC异质结晶体管外延结构及器件-CN202010500900.8在审
发明人：钮应喜;左万胜;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;胡新星;史田超;史文华;钟敏;郗修臻 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC异质结晶体管外延结构及器件，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、N型3C‑SiC外延层；该结构中3C‑SiC与4H‑SiC形成的异质结具有可忽略的热匹配和晶格匹配，3C‑SiC和4H‑SiC在0001面的晶格失配小于0.1％，具有更好的界面结构。
一种 sic 结晶体外延结构器件

[发明专利]一种高温高强高致密SiC/SiC复合材料及制备方法-CN202211036337.9有效
发明人：成来飞;叶昉;郭广达;张立同 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-08-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温高强高致密SiC/SiC复合材料及制备方法，将碳化硅晶须浆料通过真空和压力浸渍的方法，引入多孔SiC/SiC中，然后将红色树脂通过真空浸渍引到SiC/SiC‑SiCw内裂解，采用RMI完成SiC/SiC复合材料的致密化。引入SiCw填充了部分孔隙，弥补了碳硅反应无法完全填充复合材料孔隙的缺点，降低了残留硅含量。高强韧的SiCw提高复合材料基体开裂能量，增加裂纹扩展路径，提升复合材料的强韧性。制备的SiC/SiC复合材料具有高致密度，低残余硅量和高温力学性能优异的特点，解决了目前RMI工艺方法制备SiC/SiC复合材料使用温度极限受限于残余硅的问题。
一种高温高强致密 sic 复合材料制备方法

[发明专利]一种薄壁板类SiC/SiC复合材料构件的制备方法-CN202310215829.2在审
发明人：陈明伟;邱海鹏;刘时剑;张冰玉;罗文东;谢巍杰;张琪悦;陈义 -专利权人：中国航空制造技术研究院
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明涉及复合材料制备技术领域，具体涉及一种薄壁板类SiC/SiC复合材料构件的制备方法。该方法包括步骤：将多层SiC纤维机织布裁切后进行自动化缝合，获得2DSiC第一纤维预制体；对2DSiC纤维预制体分别进行热解碳界面相沉积、碳化硅界面相沉积，获得具有热解碳/碳化硅复相界面相的2DSiC第二纤维预制体；将2DSiC第二纤维预制体进行真空或加压浸渍，固化后进行热处理，获得多孔炭结构的SiC第三纤维预制体；采用MI工艺对SiC第三纤维预制体进行处理，获得熔渗工艺致密化的SiC/SiC复合材料；采用PIP工艺对SiC/SiC复合材料进行处理，获得SiC/SiC复合材料构件。该薄壁板类SiC/SiC复合材料构件的制备方法的目的是解决传统单一的SiC/SiC复合材料成型方法存在材料孔隙率高、制备周期长的问题。
一种薄壁 sic 复合材料构件制备方法

[发明专利]SiC晶片的生成方法-CN201711146070.8有效
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：提供一种SiC晶片的生成方法，其能够高效地将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；以及SiC晶片生成工序，将SiC晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对SiC晶锭(2)赋予具有与SiC晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将SiC晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(34)。
sic 晶片生成方法

[发明专利]SiC纤维增强增韧(SiC-BN)m-CN202110773874.0在审
发明人：成来飞;叶昉;宋超坤;刘永胜;张立同 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC纤维增强增韧(SiC‑BN)m多元多层自愈合陶瓷基复合材料及制备方法，首先在SiC纤维预制体中制备热解碳界面，然后引入一定体积分数的SiC基体，得到半致密SiC/SiC复合材料；然后在上述半致密SiC/SiC复合材料中交替沉积SiC、BN基体，形成SiC‑BN多元多层基体((SiC‑BN)m)，获得SiCf/(SiC‑BN)m自愈合复合材料。其中，SiC基体主要起承载作用，BN基体起裂纹偏转和自愈合的作用。因此，获得目标层厚比和n值的多元多层SiCf/(SiC‑BN)m是本发明的核心。
sic 纤维增强 bn base sub

[发明专利]一种SiC衬底双面生长SiC外延层的方法及应用-CN202010356535.8有效
发明人：林云昊;蔡文必;毛张文;郑元宇;张恺玄 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC衬底双面生长SiC外延层的方法及其在制备SiC基的BJT或IGBT的外延片的应用应用，通过移除损伤层、反面蒸镀层的方式，解决SiC衬底或第一SiC外延层损伤导致难以进行高质量双面外延的问题，解决衬底反面蒸镀层或外延反面蒸镀层影响双面外延的问题；进而能够有效降低双面外延中的缺陷，获得高质量的双面SiC外延层。本发明中，通过保护层的设置，能够减少SiC衬底或第一SiC外延层的损伤厚度，配合移除损伤层的工艺，减少移除SiC衬底或第一SiC外延层的厚度，降低成本，提高生产效率。本发明能够在SiC衬底的正反两面生长分别具有不同掺杂浓度或掺杂类型的SiC外延结构，为新型的SiC器件开发提供制备方案，为SiC器件结构设计提供了更多的可能。
一种 sic 衬底双面生长外延方法应用