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[发明专利]一种低增益三维插入式SiC探测器芯片及其制备方法-CN202111248022.6在审
发明人：史欣;谭雨航;王聪聪;杨涛;张希媛;刘凯 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：本发明公开了一种低增益三维插入式SiC探测器芯片及其制备方法，包括：SiC衬底层；SiC衬底层中按预设布局垂直插设有N型欧姆接触层和P型欧姆接触层，SiC衬底层、P型欧姆接触层和N型欧姆接触层的上表面平齐；P型欧姆接触层的侧面与SiC衬底层之间设有增益层，SiC衬底层的顶部设有钝化层，P型欧姆接触层的顶部设有第一电极，N型欧姆接触层的顶部设有第二电极，第二电极与第一电极的极性相反。相较于传统的SiC探测器，本发明的SiC探测器可以增加响应信号，有效解决由于SiC本身较高的电子空穴电离能而导致的信号较小问题；同时，本发明的SiC探测器放大信号的强度远高于噪声，可以有效提高探测器的信噪比
一种增益三维插入 sic 探测器芯片及其制备方法

[发明专利]SiC半导体装置的制造方法和SiC半导体装置-CN202080065954.4在审
发明人：金子忠昭;小岛清 -专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明是所要解决的技术问题是提供高质量的SiC半导体装置。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC半导体装置的制造方法，其包括：生长步骤，在包括SiC单晶的被处理体上形成生长层；器件形成步骤，在所述生长层中形成SiC半导体装置的至少一部分；以及分离步骤，将所述SiC通过采用这样的结构，本发明可以在晶片翘曲得到抑制的SiC晶片上形成SiC半导体装置的至少一部分之后，分离包含该一部分的SiC晶片，因而可以在抑制由晶片翘曲对SiC工艺的影响的同时实现经济性优异的SiC半导体装置的制造
sic 半导体装置制造方法

[发明专利]一种高致密SiC/SiC复合材料的快速制备方法-CN202210497736.9在审
发明人：余煜玺;魏永金;温逸琛 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：一种高致密SiC/SiC复合材料的快速制备方法，涉及航空航天材料制备技术领域。制备颗粒浆料：选用合适的颗粒分散剂进行配制颗粒浆料；浆料流延：通过流延方式将浆料引入到二维纤维布中得到流延膜，干燥后获得含流延膜的SiC纤维布；制备含颗粒SiC纤维预制体：将S2所述SiC纤维布铺叠至指定的厚度，经热压成型后得到含颗粒SiC纤维预制体；制备含颗粒多孔碳预制体：将含颗粒SiC纤维预制体置于加热炉中碳化；渗硅：在高温环境中，液态硅进入多孔碳预制体，硅与碳反应生成SiC基体，获得SiC/SiC复合材料
一种致密 sic 复合材料快速制备方法

[发明专利]一种柔性低增益SiC粒子探测器及其制备方法-CN202310068908.5在审
发明人：张希媛;史欣;杨涛;王聪聪 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明属于半导体探测器技术领域，提供一种柔性低增益SiC粒子探测器及其制备方法，该SiC粒子探测器，包括：在N型有源区和P型SiC欧姆接触层之间设N型掺杂SiC作为N+增益层，控制所述N+增益层的掺杂浓度和厚度使所述SiC粒子探测器的增益达到14～18倍。该制备方法包括：在N型有源区和P型SiC欧姆接触层之间采用外延生长得到由N型掺杂SiC构成的N+增益层，且控制所述N+增益层的掺杂浓度和厚度得到的柔性低增益SiC粒子探测器的电荷收集效率增大且信噪比显著提升，另外，所采用的基底为云母基底可使本发明的SiC粒子探测器具备优异的弯曲性能，适用于大型曲面低增益SiC粒子探测器。
一种柔性增益 sic 粒子探测器及其制备方法

[发明专利]形成与4H-SIC材料直接接触的3C-SIC层的方法-CN202310260665.5在审
发明人： G·贝洛基;S·拉斯库纳;P·巴达拉;A·巴西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/428 文献下载
摘要：本公开涉及形成与4H‑SIC材料直接接触的3C‑SiC层的方法。用于制造3C‑SiC层的方法，包括以下步骤：提供具有表面的4H‑SiC晶片；通过激光束加热所述晶片的选择性部分至少达到所述选择性部分的材料的熔融温度；使熔融的选择性部分冷却和结晶，从而形成3C‑SiC层，在3C‑SiC层上的硅层和在硅层上的富碳层；完全去除富碳层和硅层，暴露3C‑SiC层。如果硅层保持在4H‑SiC晶片上，则该工艺导致在4H‑SiC晶片上形成硅层。这样形成的3C‑SiC或硅层可以用于电或电子元件的集成，甚至只是部分集成。
形成 sic 材料直接接触方法

[发明专利]SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置-CN202310848200.1在审
发明人：陈媛;史益典;侯波;贺致远;陈义强;施宜军;蔡宗棋 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置、计算机设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品。该方法包括：控制待测的SiC MOSFET工作在预设状态下，其中，SiC芯片包括栅极、漏极、第一源极，SiC MOSFET还包括第二源极。获取第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号。在确定SiC MOSFET失效的情况下，根据第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号，确定SiC MOSFET的失效机理，其中，失效机理包括SiC芯片失效和封装组件失效中的至少一种。采用本申请的方法，能够在功率循环试验中SiC MOSFET失效时，确定出SiC MOSFET失效的原因具体是SiC MOSFET的芯片本身失效，还是封装组件失效，避免依据单一退化参数的判据而发生误判。
sic mosfet 功率循环退化机理在线诊断方法系统装置

[发明专利]纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法-CN201210329426.2有效
发明人：韦文生 -专利权人：温州大学
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法，包括单晶碳化硅(4H-SiC)基片、分别沉积于4H-SiC基片两侧的数纳米nc-Si超薄层、P和N型梯度掺杂多层nc-SiC薄膜(4H-SiC型)、沉积于外层nc-SiC薄膜上的合金欧姆电极，所述梯度掺杂nc-SiC多层膜、4H-SiC基片与合金欧姆电极构成电极/nc-SiC/4H-SiC/nc-SiC/电极双缓变结构。
纳米碳化硅晶体双缓变结快速恢复二极管及其制备方法

[发明专利]带有Al过渡层的低摩擦系数SiC-Al薄膜材料的沉积方法-CN201310375272.5有效
发明人：郑锦华 -专利权人：郑州大学
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有Al过渡层的低摩擦系数SiC-Al薄膜材料的沉积方法。调整沉积设备中的SiC靶和Al靶与基材之间的距离，将基材放置在载物台上，将沉积室内抽真空；将SiC靶和Al靶的挡板置于靶与基材之间，将Ar气导入沉积室；利用射频电源分别对SiC靶和Al靶表面进行清洗；关闭SiC靶电源，同时把Al靶的挡板撤去，使Al靶在基材上沉积过渡层；然后打开SiC靶的电源，把SiC靶的挡板撤去，使SiC靶和Al靶同时向基材溅射沉积；沉积结束后，得到带有Al中间过渡层的SiC-Al薄膜材料利用本发明能够制备出一种具有低摩擦系数、并且与金属基材具有较高界面结合强度的SiC-Al薄膜材料。
带有 al 过渡摩擦系数 sic 薄膜材料沉积方法

[发明专利]SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法-CN201310404915.4有效
发明人：贾仁需;辛斌;宋庆文;张艺蒙;闫宏丽 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC衬底同质Web Growth外延方法，方法包括：选取正轴4H或6H的原始SiC衬底；将原始SiC衬底进行显影处理和干刻蚀工艺处理，处理为加工SiC衬底；利用外延炉对加工SiC衬底进行原位刻蚀；对加工SiC衬底进行同质外延处理；加工SiC衬底在刻蚀图形内角处进行悬臂生长生成SiC外延片，生长出的悬臂为无缺陷的碳硅双原子层结构；生长出的悬臂愈合形成一层碳硅双原子层薄膜覆盖刻蚀台面区域；从外延炉中取出生长好的SiC外延片。本发明SiC衬底同质Web Growth外延方法实现了在正轴碳化硅衬底最顶端的刻蚀台面上外延薄的一层完全无缺陷的悬臂，并且有效缩短外延时间并提高薄膜生长面积。
sic 衬底同质网状生长 web growth 外延方法

[发明专利]纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料、制备及其应用-CN201410108402.3有效
发明人：邓坤坤;尚拴军;李建超;周珊珊;石巨岩;梁伟 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料、制备及其应用，纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料由芯层和包覆层组成，芯层为SiC颗粒增强镁基复合材料，包覆层为纯铝，纯铝包覆层的单边厚度为2-6mm，芯层SiC颗粒均匀分散在镁基复合材料中，SiC颗粒的体积为SiC颗粒增强镁基复合材料总体积的5％-20％，SiC颗粒直径尺寸≤10μm，制备步骤包括：(1)制备SiC颗粒增强镁基复合材料，(2)制备纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料，本发明还提供了纯铝包覆SiC颗粒增强镁基复合材料在制备型材中的应用。
纯铝包覆 sic 颗粒增强复合材料制备及其应用

[发明专利]一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法-CN201710010531.2有效
发明人：孔令沂;孙国胜;卓俊辉;刘丹;韩景瑞;张新河;李锡光;萧黎鑫 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其包括以下步骤：步骤1：对SiC晶片正面覆盖蓝膜作为保护层；步骤2：将SiC晶片正面贴入抛光夹具的模板内，该SiC晶片正面覆盖的蓝膜与模板紧密接触，且其之间无气泡；步骤3：将装好SiC晶片的抛光夹具放置于抛光设备上，抛光设备对SiC晶片背面进行研磨抛光处理；步骤4：对SiC晶片进行清洗，封装；其中，于步骤3中，抛光设备采用金刚石研磨液与CMP抛光液调配制成的组合型研磨抛光液，配合合成纤维聚合物抛光垫对SiC晶片背面进行研磨抛光处理。本发明可快速将SiC晶片背面原先可见的背面生长层和污染层进行有效去除，同时还可有效控制并减小SiC晶片的应力和形变。
一种尺寸 sic 晶片背面处理方法

[发明专利]一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法-CN201710316026.0有效
发明人：杨文澍;武高辉;姜龙涛;张强;修子扬;陈国钦;乔菁;康鹏超;芶华松 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C22C49/06 文献下载
摘要：一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明涉及一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明的目的是为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。方法：一、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料的制备；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料及热挤压模具的预热；三、半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料。本发明在固相线以上、液相线以下对SiC纳米线增强铝基复合材料进行热挤压处理。铝基体的晶粒边界发生熔化，铝基体处于固‑液混合状态，对SiC纳米线约束力小。SiC纳米线可以实现低损伤的定向排列。
一种基于固态挤压制备定向排列 sic 纳米增强复合材料方法

[发明专利]一种适用于立体光刻技术的陶瓷类材料SiC晶须及制备方法-CN201810125936.5有效
发明人：成来飞;吕鑫元;叶昉;范尚武;于树印;刘永胜;张立同 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于立体光刻技术的陶瓷类材料SiC晶须及制备方法，组合物包括：SiC晶须、光敏树脂、分散剂、流变助剂。制备步骤为SiC晶须预处理、SiC晶须素坯的制备、SiC晶须预制体的排胶、SiC基体的制备。本发明所提供的技术方案，成型精度高，微观结构均匀且可设计，可成型型面复杂构件，推动了立体光刻技术在陶瓷领域应用，解决了现有方法依赖模具、成型复杂型面构件困难、且微观结构不均匀的问题，其制备的SiC晶须增强SiC‑CMC材料具备各向同性，即在各个方向的结构与功能特征基本一致，这使得SiC晶须增强SiC‑CMC材料更有潜力应用于航空航天领域需承受较高且复杂应力条件的热端部件。
一种适用于立体光刻技术陶瓷材料 sic 制备方法

[发明专利]一种SiC纳米线增强Cf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201710483098.4有效
发明人：陈照峰;廖家豪 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC纳米线增强Cf/SiC陶瓷基复合材料，由碳纤维编织体、热解碳界面层、原位生长SiC纳米线和SiC基体组成，其特征在于所述的热解碳界面层包覆在碳纤维表面，厚度为0.1～0.2μm；所述的热解碳界面层也包覆在SiC纳米线表面，厚度为0.02～0.04μm；所述的的SiC纳米线直径为20～150nm，纳米线数量比为20～50％的SiC纳米线两端粘结在碳纤维的热解碳表面上，数量比为10～30％的SiC纳米线一端粘结在碳纤维的热解碳表面上；SiC基体填充在碳纤维和SiC纳米线之间的空隙中；所述的复合材料体积密度大于1.8g/cm3
一种 sic 纳米增强 cf 陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种3D成型制备SiCf-CN201811639741.9有效
发明人：成夙;许腾腾;曾涛;靳来振 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法，它涉及一种陶瓷复合材料SiCf/SiC的制备方法。本发明的目的是要解决传统制备SiCf/SiC陶瓷材料构件时存在着难成型、难加工的问题。方法：一、混合粉末；二、参数设定；三、制备陶瓷坯体；四、固化；五、烧结；六、浸渍、裂解；七：重复步骤六操作，至裂解过程的质量增重小于1％为止，得到SiCf/SiC本发明主要用于3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料。
一种成型制备 sic base sub