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- [发明专利]SiC晶片的生成方法-CN201810089116.5有效
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平田和也;山本凉兵
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株式会社迪思科
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2018-01-30
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2023-10-13
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H01L21/304
- 提供SiC晶片的生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。一种SiC晶片的生成方法，其包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；晶片生成工序，将SiC晶锭(2)的生成SiC晶片的那侧浸渍于液体(26)中，与发出具有与晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波的振动板(30)对置，以剥离层(22)为界面将晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(39)。
- sic晶片生成方法
- [发明专利]气体冷却器-CN202280011426.X在审
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壶井升;中村元;户塚顺一朗;平田和也
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神钢压缩机株式会社
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2022-01-13
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2023-09-12
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F04B39/06
- 气体冷却器具备排液回收部(33)、排液排出流路(34)、排液箱(40)和通气流路(50)。在排液回收部(33)中，积存由冷却部(21)冷却气体从而从气体分离出的排液。排液箱(40)具有将排液与气体分离的分离部(47)和积存分离出的排液的积存部(48)。排液排出流路(34)一端与排液回收部(33)连通，另一端与分离部(47)连通。通气流路(50)一端与分离部(47)连通，另一端与通到比排液回收部(33)靠上方的下游侧空间(37)和气体导出口(32)的气体流路连通。
- 气体冷却器
- [发明专利]晶片生成方法-CN201810088340.2有效
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平田和也;山本凉兵
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株式会社迪思科
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2018-01-30
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2023-06-20
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H01L21/02
- 提供晶片生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。本发明的晶片生成方法至少由下述工序构成：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；剥离开端形成工序，对于形成有剥离层(22)的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线(LB)，使裂纹(20)生长，形成剥离的开端(23)；以及晶片生成工序，将晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对晶锭(2)赋予具有与晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将晶锭(2)的一部分剥离而生成晶片(34)。
- 晶片生成方法
- [发明专利]机器学习装置和磁轴承装置-CN202080020858.8有效
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藤本俊平;阪胁笃;平田和也;日比野宽
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大金工业株式会社
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2020-03-13
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2023-06-09
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F16C32/04
- 提供具有机器学习装置且能够适当地进行被支承体的位置的控制的磁轴承装置。机器学习装置学习磁轴承装置(10)的控制条件。磁轴承装置具有磁轴承(21、22)，该磁轴承具有对轴(115)赋予电磁力的多个电磁体(51～54)。机器学习装置具有学习部(45)、状态变量取得部(43)、评价数据取得部(44)和更新部(47)。状态变量取得部取得包含与轴的位置相关的至少1个参数的状态变量。评价数据取得部取得评价数据，该评价数据包含轴的位置的测定值、轴的位置的目标值以及与相对于目标值的偏差相关的参数中的至少1个参数。更新部使用评价数据对学习部的学习状态进行更新。学习部按照更新部的输出来学习控制条件。
- 机器学习装置磁轴
- [发明专利]晶片的生成方法-CN202210953952.X在审
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平田和也;山本凉兵
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株式会社迪思科
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2022-08-10
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2023-02-17
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H01L21/02
- 本发明提供晶片的生成方法，在从锭生成晶片时能够对晶片的外周高效地实施倒角加工。晶片的生成方法包含如下的工序：剥离层形成工序，将对于锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于距离锭的第1端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而向锭照射激光束，形成剥离层；第1倒角部形成工序，将具有吸收性的波长的激光束从第1端面侧照射至晶片的外周剩余区域而形成第1倒角部；剥离工序，剥离要生成的晶片；以及第2倒角部形成工序，从晶片的剥离面侧照射具有吸收性的波长的激光束而形成第2倒角部。
- 晶片生成方法
- [发明专利]锭的处理方法和处理装置-CN202210627974.7在审
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野本朝辉;须藤雄二郎;平田和也;高桥邦充
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株式会社迪思科
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2022-06-06
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2022-12-13
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H01L21/66
- 本发明提供锭的处理方法和处理装置，能够三维地确认锭内部的杂质浓度不同的小面区域。锭的处理方法包含如下的步骤：荧光检测步骤，照射激发光并检测从锭的上表面产生的荧光；存储步骤，将锭的上表面的荧光的光子数的分布与XY坐标位置相关联地作为二维数据进行存储，并存储获取二维数据的Z坐标位置；激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位于距离锭的上表面相当于晶片的厚度的深度而进行照射，形成剥离层；晶片生成步骤，以剥离层作为起点而从锭分离晶片；以及三维数据生成步骤，根据锭的各个Z坐标位置的二维数据，生成示出锭整体中的荧光的光子数的分布的三维数据。
- 处理方法装置
- [发明专利]金刚石基板生成方法-CN201910869124.6有效
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野本朝辉;平田和也
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株式会社迪思科
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2019-09-16
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2022-09-30
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H01L21/428
- 提供金刚石基板生成方法，能够从金刚石锭高效且廉价地生成金刚石基板。该金刚石基板生成方法包含如下的工序：剥离带形成工序，一边使金刚石锭(2)和聚光点(FP)在与结晶面(110)垂直的[110]方向上相对地移动一边对金刚石锭(2)照射激光光线(LB)，从而形成剥离带(22)；分度进给工序，将金刚石锭(2)和聚光点(FP)在与结晶面(001)平行且与[110]方向垂直的方向上相对地进行分度进给；剥离层形成工序，重复实施该剥离带形成工序和该分度进给工序而在金刚石锭(2)的内部形成与结晶面(001)平行的剥离层(24)；以及剥离工序，从金刚石锭(2)的剥离层(24)剥离要生成的金刚石基板。
- 金刚石生成方法
- [发明专利]SiC晶锭的成型方法-CN201811250283.X有效
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平田和也;酒井敏行
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株式会社迪思科
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2018-10-25
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2022-08-30
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B24B1/00
- 本发明提供一种高效地成型出SiC晶锭的SiC晶锭的成型方法。本发明的SiC晶锭的成型方法包括下述工序：保持工序，利用卡盘工作台(14)对从SiC晶锭生长基台(2)切割得到的原始SiC晶锭(4)的切割面(6)进行保持；平坦化工序，对卡盘工作台(14)所保持的原始SiC晶锭(4)的端面(8)进行磨削而将其平坦化；c面检测工序，从平坦化后的端面(8’)对原始SiC晶锭(4)的c面进行检测；第一端面形成工序，对平坦化后的端面(8’)进行磨削，形成相对于c面以偏离角α倾斜的第一端面(8”)；以及第二端面形成工序，利用卡盘工作台(14)对第一端面(8”)进行保持并对原始SiC晶锭(4)的切割面(6)进行磨削，以与第一端面(8”)平行的方式形成第二端面(6’)。
- sic成型方法
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