“sic”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11933个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多晶SiC基板及其制造方法-CN201780022271.9有效
发明人：八木邦明;小林元树 -专利权人：株式会社希克斯
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本公开的支承基板(2)是由多晶SiC形成的多晶SiC基板，该多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43％以下，其中，将多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面，并将另一个表面称为第2表面，基板粒径变化率是用第1表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值与第2表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值之差除以多晶SiC基板的厚度而计算出的数值，并且，多晶SiC基板的曲率半径为142m以上。
多晶 sic 及其制造方法

[发明专利]SiC MOSFET结构及其制造方法-CN201210143467.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC MOSFET结构及其制造方法，在原SiC沟道区的基础上形成SiC-SiGe堆叠沟道结构，同时形成SiGe源区和SiGe漏区，利用SiC、SiGe之间的晶格位错增大沟道区应力，提高沟道区载流子迁移率；进一步的，在原SiC沟道区的基础上形成SiC-SiGe-Si堆叠沟道结构，增强沟道应力，在通过在SiC沟道区注入氮、氟等离子来改善SiC沟道区的界面缺陷，抑制源区和漏区的Ge扩散，改善短沟道效应，增大载流子迁移率
sic mosfet 结构及其制造方法

[发明专利]SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶-CN201110272676.2无效
发明人：木本恒畅;盐见弘;齐藤广明 -专利权人：丰田自动车株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请涉及SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶。本发明提供一种可以以实用的生长速度生长可以用作半导体材料的低缺陷、低杂质的SiC单晶的4H-SiC单晶外延生长方法以及由该方法得到的4H-SiC单晶。本发明的方法包括在使4H-SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H-SiC单晶的(0001)面在<11-20>轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H-SiC单晶。
sic 生长方法

[发明专利]一种基于分布式链路调度和功率控制的节能SIC方法-CN202210227618.6在审
发明人：徐慧慧;曲志毅;王江;王筱翔;赵雪 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H04W52/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于分布式链路调度和功率控制的节能SIC方法，包括以下步骤：定义SIC可行区域上限距离和SIC不可行区域下限距离，将区域划分为SIC可行区域和SIC不可行区域；选择SIC可行区域内且距离接收节点最近的链路作为SIC并发链路；对所述SIC并发链路进行功率控制，将所述功率控制定义为一个以最小化总传输功率为目标的线性规划问题；通过分布式访问控制方法协调调度每个时隙的SIC并发链路对。
一种基于分布式调度功率控制节能 sic 方法

[发明专利]一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用-CN202310696789.8在审
发明人：汉多科·林纳威赫;钟宇;韩吉胜;徐明升;崔鹏;崔潆心;李树强;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用，包括：在SiC衬底正面的SiC外延层上制备高掺杂的源极区域，在SiC衬底背面制备用于漏极区域接触的微沟道结构；采用LPCVD的方法在源极区域和漏极区域同时沉积3C‑SiC薄膜；在3C‑SiC薄膜上沉积金属以实现欧姆接触。本发明采用LPCVD的方法在SiC MOSFET的源极、漏极区域沉积高掺杂的3C‑SiC薄膜。通过上述步骤制备的源极和漏极区域的3C‑SiC薄膜能够承受氧气、高湿度、高温和酸洗环境。
一种 sic 器件欧姆接触及其制备方法应用

[发明专利]一种SiC纳米线增强多孔陶瓷复合材料及其制备方法-CN201810919570.9有效
发明人：肖七巧;陈照峰;廖家豪 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-08-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC纳米线增强多孔陶瓷复合材料及其制备方法，该材料体积密度为0.5～1.8g/cm3，通孔率为50～80％，由多孔陶瓷、SiC纳米线、界面层和SiC基体组成，其特征在于SiC纳米线原位生长在多孔陶瓷中，界面层包覆在SiC纳米线和多孔陶瓷表面，SiC基体填充在多孔陶瓷和SiC纳米线的空隙中。本发明采用SiC纳米线增强多孔陶瓷复合材料，有效提高多孔陶瓷内部的比表面积，同时对多孔陶瓷进行结构增韧补强，并且原位填充SiC基体，显著提高多孔陶瓷复合材料的过滤性能及高温隔热性能等。
一种 sic 纳米增强多孔陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法-CN201711459794.8有效
发明人：杨昆;杨继胜;牛晓龙;刘新辉;路亚娟 -专利权人：河北同光晶体有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01N21/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，主要包括如下步骤：（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，控制光照条件，在室温下观察所述SiC样品的颜色；（2）将所述SiC样品加热至200‑450℃；（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件，观察加热后的SiC样品的颜色，颜色发生显著加深的是6H‑SiC晶型，否则为4H‑SiC晶型。本发明利用4H‑SiC及6H‑SiC禁带宽度差及200‑450℃之间对可见光吸收的差异，通过颜色的变化实现晶型判断，本发明简单便捷，测试成本低且无需昂贵复杂的表征设备。
一种鉴定工业化 sic 单晶晶型方法

[发明专利]一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法-CN201811381345.0有效
发明人：杨成樾;周正东;罗烨辉;陈宏;白云;李诚瞻;刘国友;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所;株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括：提供具有不同面积的多个SiC衬底，所述SiC衬底的正反两面分别具有接触金属层；分别测量每个SiC衬底在正反两面之间的I‑V特性，得到每个SiC衬底的I‑V测试曲线；根据所述I‑V测试曲线拟合求出每个SiC衬底的总电阻R(S)，所述总电阻R(S)与所述SiC衬底的面积S相关；以及根据所述多个SiC衬底的总电阻R(S)和面积S推导计算所述接触金属层与所述SiC衬底之间的比接触电阻率ρc。
一种测量 sic 衬底背面欧姆接触电阻率方法

[发明专利]一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法-CN202011431664.5有效
发明人：汪洋;余盛杰;刘佳宝;柴攀;万强 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法，其包括基体和基体表面的复合涂层，所述复合涂层由内到外依次包括C‑SiC共沉积层、SiC涂层、SiC‑TaC共沉积梯度层和TaC涂层，所述C‑SiC共沉积层由SiC和热解C组成，所述SiC‑TaC共沉积梯度层从内到外TaC含量从0到100％呈梯度变化分布。C‑SiC共沉积层、纯SiC涂层和SiC‑TaC共沉积梯度层能够有效缓解TaC涂层热膨胀系数大而造成涂层中内应力大的影响，可有效避免TaC涂层在使用过程中出现开裂脱落等问题，延长了使用寿命。
一种具有复合涂层结构 mocvd 备用基座及其制备方法

[发明专利]一种主动驱动电路及并联SiC MOSFET功率组件-CN202210349484.5在审
发明人：李冬黎;倪炜江;李倩 -专利权人：安徽芯塔电子科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开的主动驱动电路，设于并联连接的主SiC MOSFET与从SiC MOSFET之间，包括一个为主SiC MOSFET和至少一个从SiC MOSFET，主动驱动电路包括：di/dt检测电路Ⅰ、diVsl大于电压Vsn时，压控灌电流源电路从从SiC MOSFET的栅极注入电流，以使从SiC MOSFET的漏极电流逼近主SiC MOSFET漏极电流；在电压Vsl小于电压Vsn时，压控拉电流源电路从从SiC MOSFET的栅极抽取电流，以使从SiC MOSFET的漏极电流逼近主SiC MOSFET漏极电流。本发明提出的主动驱动电路简单，动态响应快，并且对解决多个并联SiC MOSFET动态不均流问题具有较好的效果。
一种主动驱动电路并联 sic mosfet 功率组件

[发明专利]一种含MAX相界面层的SiCf-CN201811524813.5有效
发明人：黄小忠;王春齐;唐云;彭立华 -专利权人：湖南泽睿新材料有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积，获得含MAX相界面层的SiC纤维，然后采用先驱体浸渍裂解的方法陶瓷化获得SiCf/SiC复合材料；所述MAX相为Ti3SiC2；所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制为0.6～1.0μm；本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料，有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。
一种 max 界面 sic base sub

[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN202010662122.2在审
发明人： H-J.舒尔策;J.P.孔拉特;A.R.施特格纳;H.施特拉克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：提供碳化硅（SiC）半导体本体（102）。通过至少一个离子注入工艺经由SiC半导体本体（102）的第一表面（108）将离子引入到SiC半导体本体（102）中。此后，在SiC半导体本体（102）的第一表面（108）上形成SiC器件层（110）。在SiC器件层（110）中或之上形成半导体器件元件。
半导体器件制造方法以及

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN202010079770.5在审
发明人：西原祯孝;深田启介 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提供VF劣化得到抑制的SiC外延晶片。本发明的SiC外延晶片(10)是在SiC单晶基板(1)上形成有SiC外延层(2)的SiC外延晶片，SiC外延层(2)所包含的由基板的微管引起的大凹坑缺陷和由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的合计密度为1个/
sic 外延晶片及其制造方法

[发明专利]SiC半导体衬底及其制造方法和制造装置-CN201980072707.4在审
发明人：金子忠昭;芦田晃嗣;井原知也;堂岛大地 -专利权人：学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有台阶高度被控制的生长层的SiC半导体衬底及其制造方法以及其制造装置。其特征在于，包括用于使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长的生长步骤。这样通过使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长，可以提供一种生长层的台阶高度被控制的SiC半导体衬底。
sic 半导体衬底及其制造方法装置

[发明专利]一种SiC晶锭的激光加工设备-CN201910213922.3在审
发明人：陈畅;柳啸;李春昊;杨深明;李福海;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B23K26/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC晶锭的激光加工设备，该设备包括激光隐切装置、激光解裂片装置和传送装置，激光隐切装置发射的第一激光光束聚焦到待加工SiC晶锭内部，在待加工SiC晶锭内部形成切割改制区域，传送装置用于将待加工SiC晶锭传送至激光解裂片装置的目标加工区域，目标加工区域与待加工SiC晶锭内部的切割改制区域重合，激光解裂片装置发射的第二激光光束聚焦到待加工SiC晶锭内部的切割改制区域进行激光热加工，从待加工SiC晶锭中分离得到SiC片。本发明提供的SiC晶锭的激光加工设备，可以解决现有技术中SiC晶锭的切片效率低，材料损耗大、加工成本高的技术问题。
晶锭激光加工激光加工设备裂片装置切割传送装置激光光束加工区域切装置改制聚焦激光热加工材料损耗切片效率区域重合发射传送