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[发明专利]化合物半导体层叠基板及其制造方法以及半导体元件-CN201880012091.7有效
发明人：长泽弘幸;久保田芳宏;秋山昌次 -专利权人：信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明为化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含B或A中的任一者的原子之间的键合、并且它们的晶格匹配的单极性的反相位区域边界面。由此，使化合物半导体层叠基板的表面背面的极性面成为单一极性，使半导体元件的工序设计变得容易，同时无需施加复杂的基板加工，可制造低成本、高性能、稳定的半导体元件。
化合物半导体层叠及其制造方法以及元件

[发明专利]SiC层叠体、其制造方法和半导体器件-CN202180032148.1有效
发明人：长泽弘幸 -专利权人： CUSIC股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种3C‑SiC和六方晶SiC的层叠结构以及其制造方法，在半导体器件中使用该3C‑SiC和六方晶SiC的层叠结构能够抑制异质界面中的载流子俘获和散射，从而提高半导体器件的特性。在六方晶SiC(1)表面上设置与晶格的最密面(CPP)平行的晶种面(1p)和从最密面倾斜的倾斜面(1i)，在晶种面上生成3C‑SiC的二维核(2e)的同时，在倾斜面上进行步进控制外延，从而制造层叠六方晶SiC层和3C‑SiC层的SiC层叠体。通过使SiC层叠体的所有界面成为共格异质界面(3)，将3C‑SiC表面和六方晶SiC表面隔开，可以自由配置半导体元件，获得高性能半导体器件。
sic 层叠制造方法半导体器件

[发明专利]SiC复合基板的制造方法-CN201680052889.5有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;长泽弘幸 -专利权人：信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在表面和背面具有氧化硅膜21a的由Si构成的保持基板21的表面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，将该单晶SiC层负载体14中的保持基板21的背面的部分区域或整面的氧化硅膜21a的厚度的一部分或全部除去，对单晶SiC层负载体14'赋予翘曲，接下来在单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而形成多晶SiC基板11，然后将上述保持基板21以物理和/或化学方式除去。根据本发明，采用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
sic 复合制造方法

[发明专利]SiC复合基板及其制造方法-CN201680054539.2有效
发明人：久保田芳宏;秋山昌次;长泽弘幸 -专利权人：信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明，在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层，不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等，使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。
sic 复合及其制造方法

[发明专利]SiC复合基板的制造方法和半导体基板的制造方法-CN201680049584.9有效
发明人：久保田芳宏;秋山昌次;长泽弘幸 -专利权人：信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板21上将单晶SiC层12和多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15，然后以物理方式和/或化学方式将上述保持基板21除去。根据本发明，采用简便的制造方法得到具有结晶性良好的单晶SiC层的SiC复合基板。
sic 复合制造方法半导体

[发明专利]碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板-CN201880014716.3有效
发明人：长泽弘幸;久保田芳宏;秋山昌次 -专利权人：信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明为碳化硅基板的制造方法，具有：准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板1a的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层1b、1b并使该被覆层1b、1b表面成为平滑面的支承基板1的工序；在所述支承基板1的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜10的工序；将所述支承基板1中至少被覆层1b、1b以化学方式除去，在使被覆层1b、1b表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板1分离，作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板10a、10b得到该多晶碳化硅的膜的工序。由此实现表面平滑且平坦并且内部应力也减小的碳化硅基板。
碳化硅制造方法

[发明专利]SiC复合基板的制造方法-CN201680052879.1有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;长泽弘幸 -专利权人：信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
sic 复合制造方法