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[发明专利]晶片的加工方法-CN201910393174.1有效
发明人：吉川敏行;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，能够抑制晶片分割时的加工不良的产生。该晶片的加工方法包含如下的工序：计算工序，根据由于激光束的照射而在晶片上产生的热传导的偏差的影响，确定在被照射激光束的分割预定线的两侧要确保的区域的大小，在将该区域中所包含的器件的列数设为N的情况下，计算满足N＜2n的最小的2n；2n加工工序，通过按照分割预定线的该最小的2n条的间隔对分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕；以及二等分加工序，反复进行通过对将分别包含在加工痕所划分的多个区域中的器件的列数二等分的分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕的工序，直至该加工痕所划分的区域中所包含的器件的列数为1。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201710251742.5有效
发明人：中村胜;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供晶片的加工方法，在实施对晶片的背面进行磨削而进行薄化并且分割成各个器件的工序时，防止在意图之外的部位产生碎裂现象。本发明的晶片的加工方法包含如下工序：搬送工序，将晶片搬送到第2卡盘工作台上，将晶片的保护带侧保持在保持面上并使吸引垫从晶片的背面离开；以及磨削工序，对该晶片的背面进行磨削而进行薄化并且将晶片分割成各个器件芯片。该搬送工序包含：载置工序，将该吸引垫所保持的晶片载置在第2卡盘工作台的保持面上；夹持工序，将该吸引垫的吸引力阻断，利用该吸引垫和该保持面对晶片进行夹持；以及保持工序，使吸引力作用于该保持面而将该晶片的保护带侧吸引保持在保持面上并使该吸引垫从晶片的背面离开。
晶片加工方法

[发明专利]晶片生成装置-CN201810658962.4在审
发明人：饭塚健太吕;大宫直树;森俊;北野元己;平田和也;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
单晶SiC 生成装置晶片激光照射晶片剥离磨削组件剥离层照射激光光线激光光线聚光点上表面透过性自动地波长剥离

[发明专利]切削装置-CN201810262192.1在审
发明人：楠欣浩;加藤圭;北村宏;高桥聪;植山博光 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：提供切削装置，高效且低价地实施对准。切削装置具有：第一、第二卡盘工作台，它们在与保持面平行的第一方向上互相相邻地配设；第一、第二切削单元，它们配设在第一、第二卡盘工作台的上方，能够对第一、第二卡盘工作台各自的保持面上所保持的被加工物进行切削加工；第一、第二照相机，它们配设在第一、第二卡盘工作台的上方，能够对第一、第二卡盘工作台各自的保持面上所保持的被加工物进行拍摄；照相机基台，其对第一、第二照相机进行支承；以及照相机基台移动单元，其能够使照相机基台在第一方向上移动，第一照相机和第二照相机按照第一卡盘工作台的中心与第二卡盘工作台的中心在第一方向上的距离分开而固定在照相机基台上。
卡盘工作台照相机切削装置基台被加工物切削单元切削加工移动单元上移动支承平行对准拍摄

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201810166410.1在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该方法具有：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在内部形成有多个气泡的第1或第2透明基板的至少任意一方的正面或背面上与各LED电路对应地形成多个凹坑；透明基板粘贴工序，将第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上，并且将第2透明基板的正面粘贴在第1透明基板的背面上，从而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与第1、第2透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
透明基板发光二极管芯片晶片层叠体粘贴背面分割预定线半导体层互相交叉加工工序晶片分割一体化发光层凹坑制造分割

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201810165543.7在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该方法具有：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在第1或第2透明基板的至少任意一方的正面或背面上，与各LED电路对应地形成多个凹坑；透明基板粘贴工序，将第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上，并且将第2透明基板的正面粘贴在第1透明基板的背面上，从而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与第1、第2透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
透明基板发光二极管芯片晶片层叠体粘贴背面分割预定线半导体层互相交叉加工工序晶片分割一体化发光层凹坑制造分割

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201810166025.7在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该方法具有：晶片准备工序，准备如下晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，对在整个面的区域内形成有多个贯通孔的第1或第2透明基板的至少任意一方的正面或背面与各LED电路对应地形成多个凹坑；透明基板粘贴工序，将第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上，将第2透明基板的正面粘贴在第1透明基板的背面上而形成一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与第1、第2透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
透明基板发光二极管芯片晶片层叠体粘贴背面分割预定线半导体层互相交叉加工工序晶片分割一体化发光层贯通孔凹坑制造分割

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法-CN201711000328.3在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；一体化工序，将在内部形成有多个气泡的透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；透明基板加工工序，在实施了一体化工序之后，在一体化晶片的透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；以及分割工序，在实施了透明基板加工工序之后，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
发光二极管芯片制造方法

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201711005663.2在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑，其中，透明基板在内部形成有多个气泡；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
发光二极管芯片制造方法

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201711005653.9在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑，其中，透明基板在内部形成有多个气泡；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
发光二极管芯片制造方法

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201710785071.0在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供得到充分亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该制造方法的特征在于，具备晶片准备工序，该晶片在晶体生长用透明基板上具有形成包含发光层的2层以上半导体层的层积体层，在由层积体层表面上相互交叉的2条以上分割预定线划分出的各区域形成有LED电路；晶片背面加工工序，在晶片背面与各LED电路对应形成2个以上凹部或槽；透明基板加工工序，在整个面上形成2个以上贯通孔的透明基板表面与晶片的各LED电路对应形成2个以上凹陷；一体化工序，实施晶片背面加工工序和透明基板加工工序后，将透明基板表面粘贴在晶片背面，形成一体化晶片；分割工序，将晶片沿该分割预定线与透明基板一起切断，一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
发光二极管芯片制造方法

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201710733439.9在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。该方法具有如下的工序晶片准备工序，准备如下的晶片晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑，其中，透明基板在整个面的区域内形成有多个贯通孔；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
发光二极管芯片制造方法

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201710545598.6在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，具有如下工序晶片准备工序，准备如下的晶片该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
发光二极管芯片制造方法

[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片-CN201710541151.1在审
发明人：冈村卓;北村宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，能够得到充分的亮度。一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，具有如下工序晶片准备工序，准备如下的晶片该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；一体化工序，在实施了透明基板加工工序之后，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
发光二极管芯片制造方法

[发明专利]聚甲醛树脂组合物及其制备方法-CN89102665.7在审
发明人：南沢毅;光内正道;北村宏 -专利权人：汎塑料株式会社
申请日： 1989-04-25 - 公布日： 1989-11-29 - 主分类号： C08L61/02 文献下载
摘要：一种聚甲醛树脂组合物，其中包括聚甲醛树脂(A)、1～60％重量的碳纤维(B-1)和占碳纤维重量的0.1～15％的聚氨基甲酸乙酯(B-2)，也可以包含至多50％重量的非碳纤维无机填料(C)，(B-1)、(B-2)及(C)的总量不超过70％重量。混合各组分前，将碳纤维先用聚氨基甲酸乙酯处理，使聚氨基甲酸乙酯附着到碳纤维的表面。
甲醛树脂组合及其制备方法

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