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[发明专利]一种基于焊盘开窗的QFN封装-CN202210741003.5在审
发明人：宋红强;陈浩;杜钰珩;卢小银 -专利权人：合肥富煌君达高科信息技术有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：一种基于焊盘开窗的QFN封装，包括：印制电路板；顶层焊盘；所述顶层焊盘通过其表面涂刷的外部锡膏与所述器件外部焊盘贴装焊接；底层焊盘，其贴接于所述印制电路板的底面中心位置处；内部焊盘，其由金属化槽孔和多个实心结构的金属化过孔构成，所述金属化槽孔纵向开设于所述印制电路板中部，所述金属化槽孔通过其内部填充的中心锡膏与所述器件散热焊盘贴装焊接；所述金属化槽孔的底面通过多个呈阵列状分布的所述金属化过孔与所述底层焊盘纵向连接。本发明设置的内部焊盘通过金属化槽孔增加Z轴方向深度，增加中心锡膏厚度，保证中心锡膏的充足，增大芯片本体底面器件散热焊盘与中心锡膏的接触面积，减少虚焊风险。
一种基于开窗 qfn 封装

[发明专利]半导体器件和电子器件-CN201510747499.7有效
发明人： K.马托伊;M.米希茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：根据各种实施例，半导体器件可包括：接触焊盘；设置在接触焊盘之上的金属夹；以及设置在金属夹和接触焊盘之间的多孔金属层，多孔金属层将金属夹和接触焊盘彼此连接。
半导体器件电子器件

[发明专利]一种CHIP LED封装结构及加工工艺-CN202211017826.X在审
发明人：金国奇 -专利权人：深圳市天成照明有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请涉及LED的领域，尤其是本申请涉及一种CHIP LED封装结构及加工工艺，其包括依次层叠设置的第一金属层、呈矩形的绝缘层以及第二金属层，所述第一金属层包括多个设置于绝缘层一侧上的第一金属焊盘，第二金属层包括多个设置于所述绝缘层远离第一金属焊盘一侧上的第二金属焊盘，第一金属焊盘的位置与所述第二金属焊盘在所述绝缘层上一一对应；所述绝缘层四个角上贯穿设置有通孔，且所述通孔贯穿所述第一金属焊盘与第一金属焊盘对应的所述第二金属焊盘，所述通孔内设置有第一导电铜，且所述第一导电铜一端与所述第一金属焊盘抵接，所述第一导电铜另一端与所述第二金属焊盘抵接。
一种 chip led 封装结构加工工艺

[实用新型]一种应力迁移测试结构-CN201721074174.8有效
发明人：单法宪;吴启熙 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应力迁移测试结构，属于半导体制造技术领域，包括间隔排布的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘；连接于第一焊盘和第二焊盘之间的蛇形的第一金属线；连接于第三焊盘和第四焊盘之间的蛇形的第二金属线，与第一金属线位于不同层；于第一金属线连接第二焊盘的一端延伸出一第三金属线；于第二金属线连接第三焊盘的一端延伸出一第四金属线；第三金属线与第四金属线通孔连接。上述技术方案的有益效果是通过弯折增加金属线的长度，可准确测量金属线电阻，增加了测试结构的功能，可以有效监控应力迁移失效，及定量评估金属线和通孔各自的电阻变化率，对研究应力迁移失效机制和提高产品的应力迁移可靠性都有重要的意义
一种应力迁移测试结构

[发明专利]自加热电迁移测试结构以及晶圆级自加热电迁移测试方法-CN201610608746.X有效
发明人：蔡恩静;高金德 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明的晶圆级自加热电迁移测试结构包括：目标金属线、分别与目标金属线两端连接的第一焊盘和第二焊盘、分别布置在第一焊盘和第二焊盘正下方的第三焊盘和第四焊盘、以及将第三焊盘和第四焊盘连接起来的与目标金属线最接近的冗余金属线
热电迁移测试结构以及晶圆级方法

[发明专利]微反射镜层、硅基液晶显示装置及其制作方法-CN200910049283.8有效
发明人：刘煊杰;陈宇涵;郭亮良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：其中，制作微反射镜层的方法，包括下列步骤：提供包含导电插塞及焊盘沟槽的钝化层，所述导电插塞和焊盘沟槽贯穿钝化层；在钝化层及焊盘沟槽底面形成掩膜层；在掩膜层上形成第一金属层；刻蚀第一金属层，在焊盘沟槽内形成金属焊盘，所述金属焊盘与导电插塞导通；在掩膜层和金属焊盘上形成第二金属层；刻蚀第二金属层和掩膜层至露出钝化层，形成微反射镜层及保留金属焊盘上的第二金属层；在微反射镜层间及沟槽内金属焊盘以外区域形成介质层。
反射液晶显示装置及其制作方法

[发明专利]一种焊盘结构及其制备方法-CN201210261996.2在审
发明人：彭冰清 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种焊盘结构及其制备方法，包括：提供具有顶部金属层和顶部通孔的叠层；在所述叠层上沉积第一钝化层；蚀刻所述第一钝化层，形成第一开口以露出所述顶部金属层；沉积焊盘金属层，通过所述第一开口与顶部金属层相连；平坦化所述焊盘金属层；蚀刻所述焊盘金属层的两侧部分，以露出所述第一钝化层；沉积第二钝化层；蚀刻所述第二钝化层形成第二开口，以露出所述焊盘金属层。本发明中在沉积焊盘金属材料层时，增加所述焊盘金属材料层的厚度，然后执行一平坦化步骤，使所述焊盘金属材料层的表面更加平整，在进行结合线焊接过程中，所述焊接线球与所述焊盘金属材料层表面的接触面积变大，粘合力更强
一种盘结及其制备方法

[实用新型]芯片结构-CN02284962.9无效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-11-08 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：首先，芯片具有一有源表面、一保护层及多个金属焊盘，例如电极焊盘或芯片焊盘，其中保护层及这些金属焊盘均配置于该有源表面上，而保护层暴露出这些金属焊盘。此外，这些接合柱分别连接于这些金属焊盘之一，且这些接合柱分别由至少一金属材料层所迭合而成。
芯片结构

[发明专利]一种倒装热源芯片及其制备方法和应用方法-CN202110252542.8有效
发明人：张剑;卢茜;向伟玮;曾策;董乐;赵明;叶惠婕;蒋苗苗;朱晨俊;叶永贵 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装热源芯片及其制备方法和应用方法，该倒装热源芯片包括芯片衬底、底部绝缘层、导热钝化层、阻焊层、粘附层、发热电阻、温度传感器、金属互连焊盘、金属导热焊盘和微凸点，芯片衬底、底部绝缘层、导热钝化层和阻焊层依次连接；导热钝化层内设置有发热电阻和多个温度传感器，发热电阻和温度传感器通过粘附层连接底部绝缘层；阻焊层内贯穿地设置有多个金属互连焊盘和多个金属导热焊盘，金属互连焊盘电连接发热电阻和温度传感器，金属导热焊盘连接导热钝化层，金属互连焊盘和金属导热焊盘的表面设置有微凸点。
一种倒装热源芯片及其制备方法应用

[发明专利]芯片封装结构-CN201210444502.4有效
发明人：林仲珉 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极；位于所述球下金属电极表面的焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的部分金属焊盘。本发明的芯片封装结构增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
芯片封装结构

[实用新型]芯片封装结构-CN201220586656.2有效
发明人：林仲珉;沈海军 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极；位于所述球下金属电极表面的焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。本实用新型的芯片封装结构增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
芯片封装结构

[发明专利]电子元件的焊盘的处理方法和电路板组件、电子设备-CN202210213641.X在审
发明人：张旭;刘洋;谭姣 -专利权人：微智医疗器械有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元件的焊盘的处理方法和电路板组件、电子设备，该处理方法包括以下步骤：将电子元件放入溅射装置的溅射腔内，对焊盘进行溅射以去除焊盘表面的氧化层，在去除氧化层的过程中溅射腔内的靶材与溅射腔内部隔离开；在溅射腔内对去除氧化层后的焊盘进行溅射，以使焊盘表面形成至少一层金属层，在形成金属层的过程中靶材暴露在溅射腔内。根据本发明的电子元件的焊盘的处理方法，能够更有效地去除焊盘表面的氧化层，同时焊盘表面形成金属层的效率更高，且金属层在焊盘表面的厚度比较均匀，金属层和焊盘之间的结合强度高，能显著提高焊盘的导电性。
电子元件处理方法电路板组件电子设备

[实用新型]一种麦克风-CN201520110583.3有效
发明人：赵志刚;安春璐 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H04R19/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种麦克风，在麦克风线路板上的输出焊盘和接地焊盘的对应的线路板另一侧设置有铆钉焊盘，同时在线路板上设置贯通的金属化通孔，铆钉焊盘和输出焊盘、接地焊盘通过金属化通孔进行连通，焊盘上的锡膏遇热后会填充金属化通孔，因而使得铆钉焊盘和输出焊盘、接地焊盘的焊锡连接在一起，铆钉焊盘和输出焊盘、接地焊盘的焊盘和锡膏的附着力同时保证了输出焊盘和接地焊盘不容易被牵拉而脱落，大大提高了输出焊盘和接地焊盘的抗拉力和抗推力，进而提高了使用麦克风的可靠性
一种麦克风

[发明专利]一种高密度芯片焊接结构及焊接方法-CN201910758036.9在审
发明人：张博威 -专利权人：华宇华源电子科技(深圳)有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明一种高密度芯片焊接结构，包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。一体化的金属材料包括金属基材和金属导体。每个金属焊盘的高度相等或者不相等。
金属焊盘焊料金属连接金属载体焊料层金属材料金属导体芯片芯片热膨胀系数绝缘基材表面高密度芯片电极焊接电路走线多条电路高度相等焊接结构金属基材树脂材料一体化不相等电连接阻焊层散热导电分层焊层焊盘银粉银胶粘接走线附着填充匹配

[实用新型]一种高密度芯片焊接结构-CN201921337381.7有效
发明人：张博威 -专利权人：华宇华源电子科技（深圳）有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型一种高密度芯片焊接结构，包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。一体化的金属材料包括金属基材和金属导体。每个金属焊盘的高度相等或者不相等。
一种高密度芯片焊接结构