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- [发明专利]半导体器件-CN202110593143.8有效
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周文婷;段淑卿;凌翔;高金德
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上海华力微电子有限公司
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2021-05-28
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2023-09-29
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H01L23/544
- 本发明提供了一种半导体器件，包括：浅沟槽隔离结构；导电性区域；第一栅极结构，位于浅沟槽隔离结构上，包括：第一栅极、第一金属层和连接件，第一金属层位于第一栅极的两侧，第一栅极的每侧的第一金属层均沿着第一栅极的延伸方向被切断成两部分，第一栅极的一端的两侧的第一金属层。通过连接件连接，相邻第一栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接；第二栅极结构，部分位于浅沟槽隔离结构上，部分位于导电性区域上。包括：第二栅极，第一金属层和连接件，第一金属层位于第二栅极的两侧，第二栅极的一端的两侧的第一金属层通过连接件连接，相邻第二栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接。
- 半导体器件
- [发明专利]一种失效定位及失效分析方法-CN202310780526.5在审
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周文婷;赵萌;徐浩添;高金德
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上海华力微电子有限公司
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2023-06-28
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2023-09-08
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G01N21/88
- 本发明提供一种失效定位及失效分析方法，其中，失效定位方法包括：提供一具有多膜层的芯片样品，芯片样品的一膜层为具有失效位置的失效层，失效位置构成探测热点；形成垂直穿透芯片样品的第一激光标记和第二激光标记，第一激光标记和第二激光标记分别位于失效位置的第一方向和第二方向；在芯片样品的顶层或底层探测探测热点的位置，并测量第一激光标记和第二激光标记分别与探测热点之间的第一距离和第二距离；逐层研磨芯片样品至失效层，根据第一距离及第二距离，定位探测热点于失效层的位置。该方法采用第一激光标记和第二激光标记作为参考点而对失效层的热点进行定位，有效避免因顶层或底层，与失效层的结构尺寸不同而影响热点在失效层定位准确性的问题。
- 一种失效定位分析方法
- [发明专利]一种失效定位方法-CN202210185334.5在审
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陈强;高金德
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-02-28
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2023-09-05
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H01L21/66
- 本发明提供一种失效定位方法，提供含有失效后段结构的芯片样品；对芯片样品进行去层次，暴露出需要分析的金属层；在芯片样品表面沉积一层覆盖所述金属层的金属导电层；去除芯片样品表面覆盖在金属层上的所述金属导电层的部分，将金属层露出；在芯片样品表面沉积一层覆盖露出的金属层以及剩余的金属导电层的非导电保护层；对芯片样品制备包含金属层、金属导电层以及非导电保护层的TEM薄片样品；对TEM薄片样品进行VC分析，锁定断路位置；对TEM薄片样品上的断路位置进行分析。本发明解决了微小缺陷造成的金属后段断路问题无法定位分析的困难，并且可以在失效定位后，不需再加工样品，直接进行TEM分析，极大地提高了分析的成功率和质量。
- 一种失效定位方法
- [发明专利]TEM样品的制备方法-CN202210185188.6在审
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陈强;邱燕蓉;高金德
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-02-28
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2023-09-05
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G01N1/28
- 本发明公开了一种TEM样品的制备方法，包括：步骤一、形成第一保护层从具有深沟槽的芯片样品的顶部对深沟槽填充，深沟槽的深宽比大于第一保护层所能完全填充的第一值从而在深沟槽内形成有由不完全填充而产生的孔隙。步骤二、使用FIB进行第一次前后面切割并形成具有第一厚度的TEM样品，TEM样品的前后侧面都和深沟槽的延伸方向相交，深沟槽中的孔隙会在TEM样品的前后侧面暴露出来。步骤三、形成第二材料层从TEM样品的前后侧面将露的孔隙完全填充。步骤四、使用FIB对芯片样品的目标区域进行第二次前后面切割使TEM样品的厚度减薄到目标厚度。本发明能在对具有深沟槽的芯片样品进行制样过程中减少或消除离子束拉痕，提高TEM样品的质量和制样成功率。
- tem样品制备方法
- [发明专利]TEM样品的制备方法-CN202210154880.2在审
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陈强;陈柳;高金德
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-02-21
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2023-08-29
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G01N23/2202
- 本发明公开了一种TEM样品的制备方法，包括：步骤一、提供在第一表面上形成有金属保护层的芯片样品。步骤二、将芯片样品固定在FIB系统的样品台上。步骤三、沿第一方向对金属保护层进行第一次FIB切割形成一个凹槽；第一方向为TEM样品的宽度方向，第二方向和第一方向垂直的方向；凹槽沿第一方向延伸。在沿第二方向的剖面上，凹槽的内侧表面呈弧形使凹槽区域的金属保护层的厚度逐渐变化。步骤四、沿第三方向进行第二次FIB切割对芯片样品进行减薄并形成TEM样品，第三方向由金属保护层指向芯片样品，利用金属保护层的厚度调节切割速率并从而使TEM样品的宽度逐渐变化并获取最佳观测区。本发明能实现对TEM样品的厚度精确控制，从而提高TEM分析质量。
- tem样品制备方法
- [发明专利]一种表面焊接凸块的去除方法-CN202310339610.3在审
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王敏;武城;高金德
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上海华力微电子有限公司
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2023-03-31
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2023-06-30
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G01N1/28
- 本发明提出了一种表面焊接凸块的去除方法，在所述包含半导体结构的待测晶圆上截取合适大小的待测样品后将其放入反应离子刻蚀设备中，并调节蚀刻工艺条件以去除所述待测样品表层的钝化层；之后再将待测样品浸入混合酸液中以去除所述焊接凸块、凸块下第二金属化层和再分布层；最后通过超声震荡去除粘附在该待测样品上的凸块下第一金属化层，以得到表层平整的样品。本发明通过对带焊接凸块样品的截面进行成分分析，调节刻蚀工艺条件，在不影响再分布层RDL‑Al层下层的金属互连线结构的情况下去除焊接凸块和凸块下金属化层UBM‑Ni层，并实现样品表面平整化，以避免了后续因样品表面焊接凸块去除不完全而出现了无法对样品进行有效的失效分析观察的问题。
- 一种表面焊接去除方法
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