|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 10546个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体封装-CN202310357676.5在审
-
朴珉庆;宋生燮;郑锜泓
-
三星电子株式会社
-
2023-04-04
-
2023-10-27
-
H01L23/498
- 一种半导体封装包括衬底、设置在衬底上的第一芯片结构、设置在衬底上的第二芯片结构、设置在第一芯片结构和第二芯片结构之间的至少一个控制器、以及接合线结构，该至少一个控制器包括设置于在第一方向上彼此相对的边缘上的边缘焊盘、以及设置在边缘焊盘之间的中心焊盘。衬底包括：第一接合焊盘，沿垂直于第一方向的第二方向布置；以及第二接合焊盘，沿第二方向布置在第一接合焊盘与第一芯片结构之间的空间和第一接合焊盘与第二芯片结构之间的空间中的至少一个空间中。接合线结构包括将边缘焊盘连接到第一接合焊盘的第一接合线结构、以及将中心焊盘连接到第二接合焊盘的第二接合线结构。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体器件和制造方法-CN202311050444.1在审
-
亚当·R·布朗;里卡多·L·杨多克
-
安世有限公司
-
2018-10-23
-
2023-10-27
-
H01L23/495
- 本公开涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：布置在相应的第一载体和第二载体上的第一半导体裸片和第二半导体裸片，第一半导体裸片和第二半导体裸片各自包括布置在相应半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的第一半导体裸片和第二半导体裸片的第三接触；以及第一接触连接构件，从第一半导体裸片的第一接触延伸到第二载体的裸片连接部分，第一半导体裸片的第一接触与第二半导体裸片的第三接触电连接。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]用于低温接合的结构和方法-CN202310947688.3在审
-
塞普里昂·艾米卡·乌卓
-
艾德亚半导体科技有限责任公司
-
2017-10-25
-
2023-10-27
-
H01L23/498
- 一种制造组件的方法，其可包含将在第一基板的第一表面处的第一电性传导元件的顶表面与在第二基板的主要表面处的第二电性传导元件的顶表面并置。其中为下列中之一者：所述第一传导元件的所述顶表面可下凹至所述第一表面之下，或所述第二基板的所述顶表面可下凹至所述主要表面之下。电性传导纳米粒子是被设置在所述第一传导元件和所述第二传导元件的所述顶表面之间。所述传导纳米粒子具有的长度尺寸是小于100纳米。所述方法亦可包含至少在所述经并置的第一传导元件和第二传导元件的界面处提高温度到一结合温度，在所述结合温度时所述传导纳米粒子可造成冶金结合形成于所述经并置的第一传导元件和第二传导元件之间。
- 用于低温接合结构方法
- [发明专利]半导体装置-CN202310259408.X在审
-
小平悦宏;关野裕介;伊藤太一
-
富士电机株式会社
-
2023-03-10
-
2023-10-27
-
H01L23/498
- 本发明提供抑制并联连接的多个半导体芯片的电流不平衡的半导体装置。布线板在短边侧具备输出部分，在短边侧具备与半导体芯片的输出电极电连接的纵向连接部分及横向连接部分。此时，纵向连接部分从输出部分侧的端部沿着长边形成有狭缝。由此，从配置于距端子接合区最近的位置的半导体芯片输出的电流经由纵向连接部分和横向连接部分直到到达布线板的输出部分为止。该电流路径与从配置于距端子接合区最远的位置的半导体芯片输出的电流到达布线板的输出部分为止的电流路径之差变小。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202310323653.2在审
-
丸山力宏;小田佳典;原田孝仁
-
富士电机株式会社
-
2023-03-29
-
2023-10-27
-
H01L23/495
- 本发明提供一种半导体装置，即使水滴附着于引线框架也能够防止发生短路。布线保护部(35)包裹第一、第二引线框架(51、52)的一部分，并具备供第一、第二引线框架(51、52)突出的包裹面(35a)。包裹面(35a)与半导体芯片平行，并且在第一、第二引线框架(51、52)之间包括相对于包裹面(35a)突出的止水部(36)。在该情况下，即使顺着第一、第二引线框架(51、52)流动的水滴到达包裹面(35a)，在包裹面(35a)上水滴向对置的第一、第二引线框架(51、52)侧的移动被止水部(36)妨碍。因此，能够防止第一、第二引线框架(51、52)的短路，抑制半导体装置的可靠性的降低。
- 半导体装置
- [发明专利]焊盘结构和电子器件-CN202211625257.7有效
-
吕慧瑜;罗杰馨;柴展
-
上海功成半导体科技有限公司
-
2022-12-16
-
2023-10-27
-
H01L23/498
- 本申请的实施例提出了一种焊盘结构和电子器件。焊盘结构包括衬底、第一绝缘膜层、BPSG绝缘膜、阻隔层、金属电极和打线，第一绝缘膜层设置衬底的一侧；BPSG绝缘膜设置在第一绝缘膜层远离衬底的一侧，BPSG绝缘膜上形成有槽结构，槽结构贯穿BPSG绝缘膜；一部分阻隔层设置在BPSG绝缘膜远离衬底的一侧，另外一部分阻隔层设置在槽结构内并与第一绝缘膜层贴合；金属电极设置在阻隔层远离衬底的一侧，打线设置在金属电极远离衬底的一侧。根据本申请实施例中的焊盘结构，其在BPSG绝缘膜上形成多个槽结构，如此，能够减少BPSG绝缘膜与阻隔层的接触面积，并以此减少金属电极从第一绝缘膜层剥离的风险，提高焊盘结构的可靠性。
- 盘结电子器件
- [发明专利]半导体封装件-CN201910358470.8有效
-
金炳镐;崔在薰;崔朱伶
-
三星电子株式会社
-
2019-04-30
-
2023-10-27
-
H01L23/498
- 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案；半导体芯片，设置在所述第一表面上，并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体装置-CN201910789328.9有效
-
森崇浩
-
铠侠股份有限公司
-
2019-08-23
-
2023-10-27
-
H01L23/49
- 根据一个实施方式，半导体装置具备：印刷布线板，具有衬底、衬底之上的布线层、及布线层之上的第1绝缘层，布线层具有连接端子、及与所述连接端子电性连接的布线，第1绝缘层具有使连接端子及布线的一部分从第1绝缘层露出的开口、及设置在开口的边缘并且与布线重叠的凸部或凹部；半导体芯片，装载在印刷布线板上；接合线，将连接端子与半导体芯片电性连接；及第2绝缘层，将半导体芯片及接合线覆盖，并且将开口填满。
- 半导体装置
- [实用新型]半蚀刻引线框架-CN202320864075.9有效
-
孙彬;孙静;李文学
-
青岛泰睿思微电子有限公司
-
2023-04-18
-
2023-10-27
-
H01L23/495
- 本实用新型涉及一种半蚀刻引线框架，该引线框架包括：基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。本实用新型的引线框架设置有封装层，利用封装层填充基岛及引脚背面的凹陷部与凹入部，大大提升了引线框架的平整度，在DB和WB工艺中不存在真空吸附不牢，不规则跳动等问题，从而也就不会发生虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象，能够提高产品的良率。
- 蚀刻引线框架
|
