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[实用新型]大容量绝缘栅双极型晶体管中频逆变点焊机-CN201520702490.X有效
发明人：王桂生;李秀芬 -专利权人：沈阳科威电气设备有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大容量绝缘栅双极型晶体管中频逆变点焊机，其要点是：三相桥式整流(MD)及LC滤波电路的输出端接由IGBT1-4组成的全桥逆变电路的输入端，所述全桥逆变电路输出的交流方波经中频变压器后，由接在中频变压器次级的全波整流(D1-2)电路整流获得脉动直流电输出给负载使用，其中IGBT1-4全桥逆变电路包括其控制器及PWM驱动电路，在其控制器及PWM驱动电路控制下交替导通和关断,完成逆变过程。
容量绝缘栅双极型晶体管中频点焊

[发明专利]逆导型IGBT器件的背面栅结构及其加工方法-CN202310584234.4有效
发明人：张镜华;郝知行;杨蜀湘;王宇 -专利权人：四川奥库科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT器件的背面栅结构及其加工方法，涉及半导体芯片技术领域，所述的背面为IGBT器件的集电极所在的区域相对于衬底所在的方向，所述的背面栅结构包括衬底、集电极和互连材料，所述衬底内设有栅材料且所述集电极通过设于绝缘材料上的第一接触孔分别与所述背面P区和背面N区连接，所述栅材料通过设于绝缘材料上的第二接触孔与互连材料连接，所述互连材料通过设于绝缘材料上的第三接触孔与衬底连接；本发明解决了普通逆导型
逆导型 igbt 器件背面结构及其加工方法

[实用新型]气导式调整流量逆止阀-CN201520316147.1有效
发明人：黄银祥 -专利权人：新恭股份有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： F16K15/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具备调整流量的气导式调整流量逆止阀，包含一阀本体、一驱动活塞、一气导接头、一旋钮固定环、一旋钮、一逆止阀座及一逆止阀座承座；其于阀本体气导口内的气导管外径上设有外螺纹，并使套设于阀本体气导管上的旋钮旋转控制驱动活塞的行程，而达到精密量化调整控制逆止阀的气流量。
气导式调整流量逆止阀

[实用新型]一种发电机-CN202021174378.0有效
发明人：胡婷婷;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：浙江星月实业有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发动机，该发电机包括发动机导风罩、位于发动机导风罩内部的冷却风扇、位于发动机导风罩外部的启动手拉盘和逆变转换单元，逆变转换单元包括逆变器、逆变器导风罩，在冷却风扇与逆变器导风罩之间形成逆变转换单元冷却风道，逆变转换单元冷却风道包裹在逆变器外部。
一种发电机

[发明专利]一种含有背面槽栅及浮空环的逆导型IGBT-CN201911212434.7在审
发明人：黄铭敏;李芸;谢长江 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型栅极结构。所述背面槽型栅极结构的顶部有第二导电类型的浮空环。所述浮空环与所述漂移区的内建电势差使两个所述浮空环之间的漂移区耗尽，从而抑制折回（snap‑back）现象。
一种含有背面浮空环逆导型 igbt

[发明专利]一种逆导型IGBT及其制造方法-CN202310248701.6在审
发明人：陈万军;汪淳朋;肖紫嫣;刘超;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型IGBT及其制造方法。本发明中的一种RC‑IGBT，主要是通过在常规RC‑IGBT器件的P型集电极区上方增加了低掺杂的N型层，增大了P型集电极区上方的电阻，从而减小器件正向导通过程中的回跳电压，改善器件正向导通过程中的snapback
一种逆导型 igbt 及其制造方法

[发明专利]逆导型超结IGBT器件及其制造方法-CN201910056493.3有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型超结IGBT器件，包括：快速复合二极管的背面掺杂区即短路区由超结结构的超结沟槽自对准定义且是通过正面离子注入形成，短路区的底部表面在半导体衬底背面减薄后暴露出来；第二导电类型掺杂的集电区由半导体衬底减薄后采用背面全面离子注入形成本发明还公开了一种逆导型超结IGBT器件的制造方法。本发明能自对准形成快速复合二极管的底部掺杂区以及不需要采用光刻工艺定义集电区，从而能降低工艺难度并降低成本。
逆导型超结 igbt 器件及其制造方法

[实用新型]一种逆导型SOI LIGBT器件单元-CN201020221047.8无效
发明人：张海鹏;苏步春;张亮;张帆;牛小燕;林弥 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。
一种逆导型 soi ligbt 器件单元

[实用新型]一种逆导型IGBT高压桥臂-CN200720102232.3无效
发明人：葛运周;石新春 -专利权人：保定三伊电力电子有限公司
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：一种逆导型IGBT高压桥臂，用于解决高压桥臂的耐压问题。
一种逆导型 igbt 高压

[发明专利]一种浮空p柱的逆导型槽栅超结IGBT-CN202110373827.7有效
发明人：马瑶;黄铭敏;杨治美 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其超结耐压层中的第二导电类型的半导体区浮空且其槽型栅极结构的底部被重掺杂的第二导电类型的半导体区包围，并且含有侧面被第二导电类型的浮空区包围和顶部被第一导电类型的截止环包围的背面槽型绝缘介质区。该器件有较低的导通压降，能消除电压随电流的折回现象，且能避免击穿电压的降低。
一种逆导型槽栅超结 igbt

[发明专利]高频软开关逆变数字化多功能焊机-CN201110138716.4有效
发明人：郭昊 -专利权人：太原市星云焊接设备有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本发明涉及数字化多功能焊机，具体是一种高频软开关逆变数字化多功能焊机。本发明解决了传统数字化多功能焊机其功率器件的开关损耗较大的问题。高频软开关逆变数字化多功能焊机，其工作电路包括：含有由两块双IGBT功率管集成块联接构成的IGBT逆变整流桥和控制IGBT逆变整流桥导通宽度的控制电路；所述控制电路包括连接于DSP处理器的PWM信号输出端的IGBT逆变整流桥驱动电路；所述IGBT逆变整流桥驱动电路包括PWM调制芯片UC3846、双D型主从触发器、双单稳态触发器。
高频开关数字化多功能

[发明专利]一种含有浮空区及终止环的逆导型IGBT-CN201911212951.4在审
发明人：黄铭敏;李芸;陈昶 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型栅极结构。所述背面槽型栅极结构的顶部有第一导电类型的终止环，所述背面槽型栅极结构的两侧与第二导电类型的浮空区直接接触。所述终止环用于降低背面槽型栅极结构顶部附近电场，所述浮空区用于抑制折回（snap‑back）现象。
一种含有浮空区终止逆导型 igbt

[发明专利]一种双T型四电平逆变单元及其应用电路和调制方法-CN201711489744.4有效
发明人：陈剑飞;李剑 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明公开了一种双T型四电平逆变单元及其应用电路和调制方法。一种双T型四电平逆变单元主要分为共发射极双T型四电平逆变单元、共集电极双T型四电平逆变单元。单相四电平逆变电路和三相双T型四电平逆变电路主要由共集电极双T型四电平逆变单元构成。单相四电平逆变电路的调制方法主要包括两种。三相四电平逆变电路的调制方法主要有一种。本发明涉及到的双T型四电平逆变单元及其应用电路拓扑，其输出电压电平数增加，有利于减小输出电压谐波畸变率。
一种电平单元及其应用电路调制方法

[实用新型]一种变频器综合测试装置-CN201922125185.X有效
发明人：刘进;刘洋;马汝英 -专利权人：青岛港国际股份有限公司;青岛前湾集装箱码头有限责任公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变频器综合测试装置，旨在使变频器能够脱离其所在的整机单独进行检测和调试，包括电源接入端、变压器、滤波器、整流模块安装架、逆变模块安装架、电机和中控台；整流模块安装架用于装配变频器中的整流模块，其上设置用于与整流模块的交流侧接触导通的交流输入母排和用于与整流模块的直流侧接触导通的直流输出母排；逆变模块安装架用于装配变频器中的逆变模块，其上设置用于与逆变模块的直流侧接触导通的直流输入母排和用于与逆变模块的交流侧接触导通的交流输出母排，所述直流输入母排连接整流模块安装架的直流输出母排；电机连接逆变模块安装架的交流输出母排；中控台对整流模块和逆变模块进行参数配置，并显示运行数据。
一种变频器综合测试装置

[实用新型]高效并网逆变电路-CN201220015706.1有效
发明人：丁宝;徐鹏飞;牟英峰 -专利权人：牟英峰
申请日： 2012-01-14 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高效并网逆变电路，包括增强型降压斩波电路和可控硅工频换相电路，其中增强型降压斩波电路包括SPWM调制的功率开关管、双续流二极管、功率因数调节功率开关管、旁路低频开关、电感和电容。通过调节增强型降压斩波电路中高频开关管的占空比，将直流电能转换为正弦半波；通过调整功率因数调节功率开关管或开关的导通方式，可以实现功率因数调节。由4个低频可控硅组成的换相电路对直流正弦半波进行换相，得到正弦全波，完成从直流到正弦交流的逆变。本实用新型结构简单，抗过流能力强，稳定性高，高频管数目少，逆变效率高，成本低。在开关和换相过程中，逆变的交流输出产生共模电压恒定，抑制了共模电流并降低EMI干扰。
高效并网电路