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[发明专利]一种取款钞箱-CN202111614737.9有效
发明人：杨书仙;刘贯伟;刘君;赵荣伟;张云峰 -专利权人：恒银金融科技股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G07F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种取款钞箱，包括壳体和位于壳体内的摩钞机构、推钞板、导钞板和推钞板锁机构，所述摩钞机构包括上挖钞轮、下挖钞轮和止逆轮，所述止逆轮固定在止逆轮轴上，所述止逆轮轴两端为D型结构，所述止逆轮轴两端分别通过一个偏心件固定在钞箱内部，所述偏心件上设有D型孔，所述D型孔内设有两个对称的限位槽，相应的，D型结构上设有两个对称的凸起，所述止逆轮轴两端的D型结构固定在D型孔内，使得止逆轮轴处于静止不转动状态；所述导钞板上固定有检空检测片，
一种取款

[发明专利]集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构-CN202110919920.3有效
发明人：朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上方左侧制作有N型阱区，在N型阱区右侧与其相切制作有P型阱区；在N型阱区内部表面制作有第一N+区以及与第一N+区右侧相切的第一P+区；在P型阱区内部表面制作有第二N+区以及与第二N+区右侧相切的第二P+区；横跨N型阱区和P型阱区交界处制作有一用于低电压触发的第三N+区，用于形成触发区；在第三N+区与N型阱区中的第一P+区之间利用导线接有一个逆导二极管；逆导二极管阳极与用于低电压触发的第三N+区相连，阴极与N型阱区中的第一P+区相连；本发明既不影响SCR的正向电容又能大大降低逆导二极管电阻。
集成二极管可控硅瞬态电压抑制保护器件结构

[发明专利]一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件-CN202310158874.9在审
发明人：罗小蓉;邓鸿儒;彭小松;蒋卓林;魏雨夕;魏杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有逆导功能的增强型氧化镓功率器件。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难、难以实现增强型以及逆向导通电压大、电流小等问题，提出一种兼具高阈值电压和优良逆导功能的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用氧化镓沟道与P型氧化物半导体形成的PN异质结产生的耗尽区将鳍状氧化镓沟道夹断，从而器件实现增强型且具备高耐压、低泄漏电流等优良特性；当栅压高于阈值电压，鳍状沟道耗尽区收缩并在栅下形成电子积累层，从而器件导通本发明的氧化镓功率器件兼具高阈值电压、低逆导电压和大逆导电流，以及高耐压、低导通电阻和易于集成的优点。
一种具有功能增强氧化功率器件

[发明专利]一种逆导型IGBT器件-CN202211063214.4在审
发明人：许海东;於正新 -专利权人：南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种逆导型IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域。所述逆导型IGBT器件包括半导体衬底和正面金属层，半导体衬底一侧设有若干沟槽结构，沟槽结构内填充有多晶硅栅，半导体衬底分为IGBT部分和FRD部分；逆导型IGBT器件设有IGBT栅极平台和FRD栅极平台本发明实现了同时优化逆导型IGBT器件IGBT和FRD两种不同工作模式下的性能表现。
一种逆导型 igbt 器件

[发明专利]智能功率模块和具有其的电子设备-CN202310482757.8在审
发明人：李正凯;成章明;周文杰;谢地林;刘剑;岑锦升;别清峰 -专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：功率侧框架和连杆，控制侧框架和功率侧框架分设于基板的相对两侧，导电区和跳线区位于功率侧框架和控制侧框架之间，跳线区相对于功率侧框架更加邻近控制侧框架设置且与控制侧框架的驱动芯片电连接，连杆与基板相连；逆导型功率芯片，逆导型功率芯片安装于导电区且位于连杆的背向控制侧框架的一侧，逆导型功率芯片分别与跳线区和功率侧框架电连接。根据本发明实施例的智能功率模块在避免模块表面溢料的同时，能够避免逆导型功率芯片和功率侧框架之间的导电件和连杆发生位置干涉，避免短路或断路。
智能功率模块具有电子设备

[发明专利]智能功率模块和具有其的电子设备-CN202310482754.4在审
发明人：李正凯;成章明;周文杰;谢地林;刘剑;岑锦升;别清峰 -专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：框架包括控制侧框架、功率侧框架和连杆，控制侧框架和功率侧框架分设于基板的相对两侧，导电区和跳线区位于功率侧框架和控制侧框架之间，跳线区相对于控制侧框架更加邻近功率侧框架设置且与功率侧框架电连接，连杆与基板相连；逆导型功率芯片，逆导型功率芯片安装于导电区且位于连杆的背向功率侧框架的一侧，逆导型功率芯片分别与跳线区和控制侧框架的驱动芯片电连接。根据本发明实施例的智能功率模块在避免模块表面溢料的同时，能够避免逆导型功率芯片和功率侧框架之间的导电件和连杆发生位置干涉，避免短路或断路。
智能功率模块具有电子设备

[发明专利]一种逆导型IGBT器件及制备方法-CN202211030903.5在审
发明人：马千成;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT器件及制备方法，涉及IGBT制造技术领域，该逆导型IGBT器件包括：IGBT元胞区和二极管元胞区，所述二极管元胞区包括：衬底；漂移区，所述漂移区设置于所述衬底上表面；第一金属硅化物，所述第一金属硅化物设置于所述漂移区的上表面，所述第一金属硅化物与所述漂移区直接接触形成肖特接触，构成肖特基二极管结构，且所述肖特基二极管结构内不设置阱区；由于肖特基二极管导通时具有较小的导通压降，因此，本发明的逆导型IGBT正常工作时的损耗较小。
一种逆导型 igbt 器件制备方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件及其制备方法-CN202310819974.1有效
发明人：李豪;张杰 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT器件及其制备方法。该器件包括：元胞区、环绕元胞区的终端区以及至少部分环绕终端区的N型集电区；N型缓冲层；设置于N型缓冲层一侧的N型漂移层；设置于N型漂移层远离N型缓冲层一侧的N型发射极和N型集电极，N型发射极位于元胞区，N型集电极位于N型集电区；P型集电极，设置于N型缓冲层远离N型漂移层的一侧；导电结构连接于N型集电极和P型集电极之间，导电结构用于将N型集电极与P型集电极电连接，以实现逆导功能。本发明实施例的技术方案采用常规IGBT器件的制备工艺及设备，无需进行背面光刻工艺，有效降低了逆导型IGBT器件的工艺制造难度。
一种逆导型 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]逆导型IGBT半导体器件及制造方法-CN201310645774.5在审
发明人：肖胜安;雷海波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT半导体器件，集成有IGBT器件和FRD，在硅基片的背面一个以上的沟槽，由位于沟槽的底部和侧面的N+区组成FRD的N型电极区，由位于沟槽外部的P+区组成IGBT器件的集电区。本发明能够同时增加IGBT器件的阳极区面积和FRD的阴极区面积，能在提高FRD的电流处理能力同时不降低IGBT器件的电流能力，从而能更好的实现IGBT器件的电流能力和FRD的电流处理能力两者的平衡，能改善逆导型本发明还公开了一种逆导型IGBT半导体器件的制造方法。
逆导型 igbt 半导体器件制造方法

[发明专利]一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法-CN202210949239.8在审
发明人：刘超;汪淳朋;杨超;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法。本发明中的一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，在进行结终端场限环注入的同时，在元胞区注入形成P+区，等效增加了器件反向导通时PN结的P区浓度，减小了器件反向的反向导通压降。本发明的一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，能够与现有MOS栅控晶闸管工艺相兼容。本发明的有益效果为：在牺牲器件部分正向导通能力的基础上，大幅提升了器件的反向导通能力。
一种逆导型 mos 晶闸管制造方法

[发明专利]一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法-CN201210540050.X在审
发明人：张文亮;朱阳军;田晓丽;卢烁今;褚为利 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿型逆导IGBT及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该隧穿型逆导IGBT包括P⁺区、P^-基区、N^-漂移区、N⁺缓冲层、P⁺集电极，其特征在于，在sup>++区底部接触，使得P⁺区、P^-基区、N^-漂移区、N⁺缓冲层和N⁺⁺区构成逆导通道该隧穿型逆导IGBT芯片面积小、成本低，可靠性高；开关功率损耗少；无回跳。
一种隧穿型逆导 igbt 及其制造方法

[发明专利]一种含有高阻p-top区的逆导型超结IGBT-CN202110351484.4在审
发明人：马瑶;黄铭敏;杨治美 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型超结IGBT（Reverse Conducting Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor，逆导型超结绝缘栅双极型晶体管）器件，其超结耐压层中的第二导电类型的半导体区的上方有一个电阻率较高的第二导电类型的顶部区，并且含有侧面被第二导电类型的浮空区包围和顶部被第一导电类型的截止环包围的背面槽型绝缘介质区。该器件有较低的导通压降并且能消除电压随电流的折回现象。
一种含有 top 逆导型超结 igbt

[发明专利]一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制造方法-CN202111020893.2有效
发明人：刘超;汪淳朋;杨超;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明中的一种逆导型MOS栅控晶闸管，主要是通过缩短常规RC‑MCT器件的FS层宽度，增大P型阳极区上方的电阻，从而减小器件正向导通过程中的回跳电压，改善器件正向导通过程中的snapback效应；本发明中的一种逆导型
一种逆导型 mos 晶闸管及其制造方法

[发明专利]开关型DC/DC变换电路-CN201110134808.5无效
发明人：郑海涛;张东海;韩卫军;王伟毅;付登萌 -专利权人：联合汽车电子有限公司
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关型DC/DC变换电路，包括逆变电路、整流输出电路、微处理器；所述逆变电路输入端接直流电压源，将直流电压源的直流电压变为高频交流电压输出到整流输出电路；整流输出电路将逆变电路输出的高频交流电压整流，输出直流电压；微处理器输出所述逆变电路中的各开关器件的驱动控制信号，控制所述逆变电路中的各开关器件的导通和关断，所述微处理器当将一设定电压值增减时，输出的所述逆变电路中的各开关器件的驱动控制信号控制各开关器件的导通时间相应增减本发明的开关型DC/DC变换电路，占用板上空间小。
开关 dc 变换电路

[实用新型]逆导型开关整流电路-CN201620425995.0有效
发明人：朱延彬;戴建山 -专利权人：儒竞艾默生环境优化技术（上海）有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本申请提供逆导型开关整流电路，包括：由第一至第四功率二极管构成的整流桥电路，其中，第一功率二极管的阳极和第三功率二极管的阴极相连构成第一整流桥臂；第二功率二极管的阳极和第四功率二极管的阴极相连构成第二整流桥臂；电解电容，其正极连接第一功率二极管及第二功率二极管的阴极，以形成直流输出正极；其负极连接第三功率二极管及第四功率二极管的阳极且接地，以形成直流输出负极；第一逆导单元，串联于第一或第四功率二极管，包括：第一逆导型开关及与之并联的第一功率电阻；第二逆导单元，串联于第二或第三功率二极管，包括：第二逆导型开关及与之并联的第二功率电阻。
逆导型开关整流电路