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[发明专利]一种基于雪崩管的脉冲产生系统-CN202310076739.X在审
发明人：谢彦召;仇杨鑫;杨宇;张岚琦;周彤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03K3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于雪崩管的脉冲产生系统，包括Marx电路和触发电路，Marx电路包括依次级联的多级雪崩单元，触发电路的输出端与多级雪崩单元中的第一级雪崩单元的输入端连接，被配置为向第一级雪崩单元的雪崩三极管的集电极馈入触发脉冲相比传统技术中脉冲源电路第一级雪崩管采用基极触发方式，本发明通过触发电路触发第一级雪崩单元的雪崩三极管的集电极，使得集电结势垒区中激励雪崩过程的电子数目增多且电场强度更强，集电结中自由电子的碰撞电离更加激烈，电子在基区的扩散和漂移过程对于雪崩过程的影响变小，从而提高脉冲源的脉冲漂移和脉冲抖动特性，降低多脉冲源功率合成时触发脉冲源的设计难度。
一种基于雪崩脉冲产生系统

[发明专利]基于热成像技术的半导体雪崩失效分析测试方法及装置-CN201811024283.8有效
发明人：孙伟锋;吴其祥;童鑫;卢丽;钊雪会;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：基于热成像技术的半导体雪崩耐量失效分析的测试方法及装置，本发明主要包括在搭建的测试系统中，开启待测功率器件和功率开关管，电感开始续流，当电感中的电流达到雪崩电流峰值Iav后，关断待测功率器件和功率开关管，电感放电，待测功率器件发生雪崩，在待测功率器件被击穿前开启短路功率器件，待测功率器件被短路并停止雪崩，电感能量通过短路功率器件泄放，此后，重复本操作，使待测器件持续发生雪崩，通过对器件雪崩时间的限制，使得器件在在不损坏的情况下多次进行雪崩过程，在此过程中我们可以通过热成像技术观测器件雪崩过程中发热点位置的变化情况。
基于成像技术半导体雪崩失效分析测试方法装置

[发明专利]一种量子阱雪崩光电二极管-CN202110526233.5有效
发明人：王登魁;魏志鹏;方铉;房丹;唐吉龙;林逢源;李科学;王新伟;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域，解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题，空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极，雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结，雪崩层的能带排列为II型排列；空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到价带带阶后的空穴能量等于其离化阈值能量，空穴发生碰撞离化过程；电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去导带带阶后的电子能量小于其离化阈值能量，电子不发生碰撞离化过程。本发明实现了高倍增因子和低噪声特性，提高现有雪崩光电二极管的性能指标。
一种量子雪崩光电二极管

[发明专利]增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法-CN201811187009.2在审
发明人：周宏伟;刘鹏飞;闫宏丽;刘杰;徐西昌 -专利权人：龙腾半导体有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法，该方法在芯片背面相对应正面的主结区域，形成N注入区，将原来寄生的PNP三极管，变成一个PIN的结构，有效抑制雪崩过程中，发生二次击穿造成单管损坏。本发明在逆导型IGBT背面注入的时候，在对应主结区域，注入一圈N+区域，抑制了逆导型IGBT雪崩过程的二次击穿特性，大大提高逆导型IGBT的雪崩耐受能力，且不增加任何成本。
逆导型二次击穿雪崩过程雪崩耐量主结耐受能力芯片背面有效抑制单管雪崩背面

[发明专利]一种基于雪崩测试的变电站监控系统性能评价方法-CN202010445722.3有效
发明人：李均强;李宣义;栗会峰;王献志;李铁成;赵宇皓 -专利权人：国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国网河北能源技术服务有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于雪崩测试的变电站监控系统性能评价方法，同时对遥信信号进行置位以及对遥测信号进行置数，同时实现遥信雪崩模拟与遥测雪崩模拟，在模拟过程中，进行不同等级的遥信雪崩模拟与遥测雪崩模拟，监测被测变电站的状态
一种基于雪崩测试变电站监控系统性能评价方法

[发明专利]DCS雪崩工况的模拟方法和装置-CN201810547254.3有效
发明人：赵潮涌;江国进;孙永滨;白涛;吕慧娟;王桂兰;胡俊;任保华;彭立 -专利权人：北京广利核系统工程有限公司;中国广核集团有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明属于工业自动化控制的技术领域，提供了一种应用于核电站DCS雪崩工况的模拟方法和装置，所述方法包括：S1、从DCS中导出工程数据库，所述工程数据库中的I/O变量数据点，在DCS中可人工强制改变其输入/输出信号的数值，并且所述每个数据点含有多个数据点项；S2、对所述工程数据库中的数据点进行筛选，获取模拟雪崩工况的雪崩试验数据点项；S3、将所述模拟雪崩工况的雪崩试验数据点按照设计的格式进行存储；S4、将按照设计格式存储的雪崩试验数据点项结合定时器，通过DCS接口设备，定期传入DCS系统内部，强制改变雪崩试验数据点的取值，实现雪崩工况的自动模拟；因此，在雪崩工况模拟过程中，取消了单独的模拟底层设备信号产生装置
dcs 雪崩工况模拟方法装置

[发明专利]一种实现量子点发射光子雪崩荧光的方法-CN202210459950.5在审
发明人：赵琪;吴蕙;邬楚妍;詹求强 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现量子点发射光子雪崩荧光的方法，所述方法包括以下步骤：制备光子雪崩上转换稀土纳米颗粒；去除雪崩上转换颗粒表面的油酸配体；连接无配体上转换颗粒与水溶性量子点，将无油酸配体的上转换颗粒水溶液与水溶性量子点混合搅拌过夜基于本发明的方法可使量子点与能发生雪崩过程的上转换纳米颗粒进行连接，通过荧光能量共振转移(FRET)过程使得在光子雪崩上转换样品被近红外波段的低能光子激发并发射出大量高能光子之后，这些高能光子能进一步被量子点有效吸收并产生荧光
一种实现量子发射光子雪崩荧光方法

[发明专利]一种基于电力104规约的雪崩测试方法-CN201410648759.0无效
发明人：徐韬;刘进兴;胡祖伟;张凌;袁蓉;孔令匀;杨文波;李耀华;张可;王炜;周强;赵宇;田皞;陈涛;洪建明 -专利权人：云南电网公司大理供电局
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电力104规约的雪崩测试方法。其特点是，包括如下步骤：1)测试开始时，首先对整个测试过程制定测试计划；2)将制定的测试计划下载到雪崩测试仪；3)将雪崩测试仪与被测配电网自动化主站系统进行通信；4)待雪崩测试仪与被测配电网自动化主站系统通信正常后，启动测试计划；5)测试过程中，检查配电网自动化主站系统的反应情况。本发明提供了一种基于电力104规约的雪崩测试方法，是用于解决配网自动化主站系统的测试验收工作而设计的一套模拟测试方案，为配网自动化主站系统的测试验收提供一套可行的测试解决方案。
一种基于电力 104 规约雪崩测试方法

[发明专利]高灵敏度、高分辨率的检测器装置和阵列-CN200680028037.9无效
发明人：德米特里·A·舒沙科夫;维塔利·E·舒宾 -专利权人：增强技术公司
申请日： 2006-06-10 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01J47/00 文献下载
摘要：本发明描述了雪崩放大结构(1)，所述雪崩放大结构(1)包含电极(2)和(8)、雪崩区(3)、计量器(4)、积分器(5)、调节器(6)和衬底(7)，被设置成检测由少至几个电子组成的弱信号。计量器(4)调整雪崩过程。积分器(5)累积信号电荷。调节器(6)排空所述积分器(5)并且控制所述计量器(4)。所述雪崩放大结构(1)包含：标准计量器，反向偏压设计；标准计量器，标准偏压设计；横向计量器，标准偏压设计；可变计量器，标准偏压，调节电极设计；标准计量器，标准偏压，调节电极设计；以及横向计量器，标准偏压类似地，设置雪崩放大结构(1)以提供多通道装置的阵列。所述结构对于国防关键性装置直接具有适用性。
灵敏度高分辨率检测器装置阵列

[发明专利]一种雪崩光电二极管过压保护方法及装置-CN201510386469.8有效
发明人：蔡舒宏;李汝虎;欧阳宁 -专利权人：博为科技有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本发明涉及光通信领域，特别涉及一种雪崩光电二极管过压保护方法，包括在BOSA驱动芯片的寄存器预输入用于控制雪崩光电二极管电压的寄存器值；判断升压结点的电压与雪崩光电二极管的反向击穿电压的大小；当升压结点的电压小于雪崩光电二极管的反向击穿电压时，将寄存器值写入BOSA驱动芯片的寄存器；将寄存器值写入BOSA驱动芯片的寄存器后结束本次电压调整过程，以及当升压结点的电压大于或等于雪崩光电二极管的反向击穿电压时结束本次电压调整过程。本发明提供的雪崩光电二极管过压保护方法及装置，不增加额外的保护电路，电路成本低，电路的占用面积不变，有利于实现产品的集成化和小型化。
一种雪崩光电二极管保护方法装置

[发明专利]单光子探测电路和单光子探测器-CN202310862686.4有效
发明人：盛迎接;吴亚;贺羽 -专利权人：国仪量子（合肥）技术有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开一种单光子探测电路和单光子探测器，其中，单光子探测电路包括雪崩二极管、供电子电路、探测单元、淬灭单元、异常处理单元、选择单元、恢复单元和脉冲处理单元，供电子电路向雪崩二极管提供偏置电压，然后探测单元探测雪崩二极管的状态，若发生雪崩则通过淬灭单元对雪崩二极管进行主动淬灭处理，再通过高压恢复单元进行恢复处理，在恢复过程中如果出现异常，则利用异常处理单元进行处理，选择单元则能够对淬灭和异常进行选择，上述主动淬灭处理、恢复处理和异常处理都通过脉冲处理单元对偏置电压进行控制，从而能够在雪崩电流较低时提高雪崩二极管的响应灵敏度，降低后脉冲概率，同时缩短死时间并提高光子探测的探测效率和饱和计数率。
光子探测电路探测器

[发明专利]背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达-CN202011538082.7在审
发明人：刘颖彪;弗朗西斯科·潘泽里;向少卿 -专利权人：上海禾赛科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达，背照式单光子雪崩二极管包括中浅槽隔离结构，位于相邻二极管区之间，且位于外延层远离衬底的端面上，浅槽隔离结构能够很好的隔离相邻二极管区，且在背照式单光子雪崩二极管的形成过程中，形成浅槽隔离结构后，形成第一掺杂区，从而形成第一掺杂区的过程中，浅槽隔离结构起到阻挡作用，浅槽隔离结构使得一个二极管区中第一掺杂区的掺杂离子不易进入相邻的二极管区中，使得相邻背照式单光子雪崩二极管之间不易出现元素串扰，有利于提高背照式单光子雪崩二极管的良品率和电学性能。
背照式单光子雪崩二极管形成方法以及激光雷达

[发明专利]一种单光子Si-APD探测器及其制造方法-CN201910957824.0有效
发明人：郭安然;雷仁方;李睿智;高建威;向华兵 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提出了一种单光子Si‑APD探测器，包括：吸收区、P+接触区、N+接触区、雪崩区、介质层，所述P型衬底表面中部设置吸收区，所述吸收区下方设置P+接触区，所述P+接触区下方设置有下电极；所述吸收区上部的两端位置设置有截止环；所述吸收区的上部的中间位置设置雪崩区，且雪崩区由P型杂质和N型杂质补偿掺杂形成；所述雪崩区之上设置N+接触区；所述雪崩区两侧各设有一个保护环，所述保护环上方设置有上电极；所述N+接触区上方设置介质层。该单光子Si‑APD探测器具有较宽的雪崩区且制造过程引入缺陷很少，可实现高探测效率低暗计数的器件性能。
一种光子 si apd 探测器及其制造方法

[发明专利]一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置-CN201910816110.8有效
发明人：陈婧瑶;张帅;潘结斌;房立峰;赵娟 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置

[实用新型]雪崩信号提取电路及单光子探测器-CN202222387028.8有效
发明人：李南;王林松;王其兵 -专利权人：国开启科量子技术（北京）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的雪崩信号提取电路及单光子探测器，涉及雪崩信号提取领域，包括雪崩光电二极管、直流电源、分压电阻、雪崩信号采样电阻，其中，雪崩光电二极管用于接收光子并产生雪崩信号；直流电源用于为雪崩光电二极管提供反向偏置电压；分压电阻与雪崩光电二极管串联，用于当雪崩光电二极管产生雪崩信号时，降低加载于雪崩光电二极管两端的反向偏置电压直至雪崩光电二极管停止产生雪崩信号；雪崩信号采样电阻与分压电阻串联，用于将雪崩光电二极管产生的雪崩信号传输给雪崩信号甄别电路
雪崩信号提取电路光子探测器

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