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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种IGBT器件及其制备工艺-CN202311064440.9在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT器件及其制备工艺，涉及半导体器件领域。其结构包括：N型衬底，P型多晶硅，N型多晶硅区域，ILD氧化层和发射极金属；所述衬底上刻蚀有浅沟槽，所述沟槽填充有P型多晶硅，所述N型衬底上形成有P阱区域和P型多晶硅栅区域，所述P阱区域形成有P型多晶硅填孔，所述P型多晶硅填孔与所述P型多晶硅栅区域之间形成发射极；所述N型多晶硅为表面被反型的N型多晶硅，所述N型多晶硅形成发射极的N型接触；所述ILD氧化层为所述N型多晶硅与所述发射极金属之间的电绝缘层；所述发射极金属填充所述ILD氧化层区域并覆盖其表面。本申请提供的IGBT器件及其制备工艺，可以改善平面IGBT的栅源短路失效。
一种 igbt 器件及其制备工艺

[发明专利]一种带有可编程内置电阻栅的IGBT-CN202310450972.X在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有可编程内置电阻栅的IGBT，其通过在栅金属PAD与栅极总线之间设置若干组可编程电阻栅，使得该IGBT在出厂后，操作人员可通过烧录PAD对若干组可编程电阻栅进行编程，进而对内置栅极电阻进行调节，以使其与相应的应用场景相适应。
一种带有可编程内置电阻 igbt

[实用新型]一种带有可编程内置电阻栅的IGBT-CN202320950988.2有效
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有可编程内置电阻栅的IGBT，其通过在栅金属PAD与栅极总线之间设置若干组可编程电阻栅，使得该IGBT在出厂后，操作人员可通过烧录PAD对若干组可编程电阻栅进行编程，进而对内置栅极电阻进行调节，以使其与相应的应用场景相适应。
一种带有可编程内置电阻 igbt

[实用新型]一种具有层叠式栅极的IGBT-CN202320644439.2有效
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有层叠式栅极的IGBT，本实用新型的具有层叠式栅极的IGBT，将原有与发射极金属层同层的栅极金属层堆叠于发射极金属层的上方，从而使得发射极金属层可以最大程度地在衬底表面延展。而在IGBT结构中，发射极金属的面积基本与有源区的面积对应，所以这有效地解决了栅极金属层对有源区的影响和破坏，元胞区的周期性和均匀性也不再受栅极金属层的影响。
一种具有层叠栅极 igbt

[发明专利]一种具有层叠式栅极的IGBT-CN202310315527.2在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有层叠式栅极的IGBT，本发明的具有层叠式栅极的IGBT，将原有与发射极金属层同层的栅极金属层堆叠于发射极金属层的上方，从而使得发射极金属层可以最大程度地在衬底表面延展。而在IGBT结构中，发射极金属的面积基本与有源区的面积对应，所以这有效地解决了栅极金属层对有源区的影响和破坏，元胞区的周期性和均匀性也不再受栅极金属层的影响。
一种具有层叠栅极 igbt

[发明专利]一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件-CN201911014906.8有效
发明人：阳平 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件，包括芯片本体，芯片本体的边缘为终端保护区，芯片本体包括N型基区、P型基区、P+接触区及N+发射区、N型场终止区、P型集电极区、集电极金属层、发射极金属，芯片本体的中部包括元胞区，元胞区内设有多个元胞，芯片本体的中部还包括与元胞区隔离的闩锁测试区，闩锁测试区内设有闩锁测试模块，闩锁测试模块包括两组测试端子组件，每组测试端子组件包括位于P+接触区上方并与P+接触区连接的闩锁测试端子。本发明的抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件具有闩锁检测功能，能够防止器件由于闩锁现象造成损坏。
一种抗闩锁效应沟槽绝缘晶体管器件

[发明专利]一种低应力的半导体芯片-CN202010348049.1有效
发明人：阳平 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种低应力的半导体芯片，包括半导体基板，半导体基板包括由多个IGBT元胞并联形成的IGBT芯片区，衬底上还设有阻止区，阻止区位于IGBT芯片区以外，阻止区内设有设有第一接触沟槽，第一接触沟槽内设有热膨胀系数大于二氧化硅热膨胀系数的金属。本发明的低应力的半导体芯片，能降低半导体芯片的面内应力和IGBT芯片区内的应力，改善硅片的翘曲度，能避免后续工艺中设备传送问题，能形成低应力的深沟槽IGBT器件。
一种应力半导体芯片

[实用新型]一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片-CN202222959675.1有效
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片，其栅金属层并不直接与多晶硅栅极连接，而是通过包含N型多晶硅柱、P型多晶硅层、N型多晶硅层等部件在内的抑制栅与多晶硅栅极连接，从而减小了器件关断时，栅极放电电流的变化速度，进而抑制了IGBT的峰值电压。
一种带有电压峰值抑制 igbt 芯片

[发明专利]一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片-CN202211385058.3在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片，其抑制多晶硅栅极表面设有P型多晶硅反型层，P型多晶硅反型层与N型表面多晶股连接层接触，从而形成PN结二极管，该PN结二极管及由抑制多晶硅栅极引入的内置电阻串联形成抑制电路，以抑制芯片关断时栅极放电电流的速度，进而减小了由此产生的峰值电压。
一种带有电压峰值抑制 igbt 芯片

[发明专利]IGBT器件-CN202211434920.5在审
发明人：王海军;吴小利 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT器件包括：多个第一沟槽栅，包括填充于第一栅极沟槽中的第一栅介质层和第一栅极导电材料层，第一栅极导电材料层连接到栅极。在版图结构上，各第一栅极沟槽平行排列。在至少一条第一栅极沟槽上设置有米勒电容连续调节结构，包括：第二沟槽栅，第二沟槽栅包括填充于第二栅极沟槽中的第二栅介质层和第二栅极导电材料层。第二栅极沟槽和对应的第一栅极沟槽相交，第二和第一栅极沟槽相连通，第二和第一栅极导电材料层电连接；利用第二和第一栅极沟槽相交的特点，第二栅极沟槽的长度、间距和数量都独立于第一栅极沟槽，通过调节第二栅极沟槽的长度、间距或数量调节米勒电容并实现米勒电容的连续调节，以实现对芯片性能进行更精细控制。
igbt 器件

[实用新型]一种带有补偿沟道的IGBT芯片-CN202222958188.3有效
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有补偿沟道的IGBT芯片，其元胞内设置左发射极区及左接触孔，右发射极区及右接触孔，P型基区内形成偏左和偏右的两个P+深阱区，这使得即使各接触孔发生一定偏移，主发射极区一侧的导电沟道阈值升高、电流降低，但左发射极区或右发射极区下方的导电沟道由于阈值降低，电流升高，从而补偿了元胞内电流的降低，保证了芯片的性能及可靠性。
一种带有补偿沟道 igbt 芯片

[实用新型]一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片-CN202222959698.2有效
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片，其抑制多晶硅栅极表面设有P型多晶硅反型层，P型多晶硅反型层与N型表面多晶股连接层接触，从而形成PN结二极管，该PN结二极管及由抑制多晶硅栅极引入的内置电阻串联形成抑制电路，以抑制芯片关断时栅极放电电流的速度，进而减小了由此产生的峰值电压。
一种带有电压峰值抑制 igbt 芯片

[发明专利]一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片-CN202211384826.3在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片，其栅金属层并不直接与多晶硅栅极连接，而是通过包含N型多晶硅柱、P型多晶硅层、N型多晶硅层等部件在内的抑制栅与多晶硅栅极连接，从而减小了器件关断时，栅极放电电流的变化速度，进而抑制了IGBT的峰值电压。
一种带有电压峰值抑制 igbt 芯片

[发明专利]一种带有补偿沟道的IGBT芯片-CN202211385069.1在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有补偿沟道的IGBT芯片，其元胞内设置左发射极区及左接触孔，右发射极区及右接触孔，P型基区内形成偏左和偏右的两个P+深阱区，这使得即使各接触孔发生一定偏移，主发射极区一侧的导电沟道阈值升高、电流降低，但左发射极区或右发射极区下方的导电沟道由于阈值降低，电流升高，从而补偿了元胞内电流的降低，保证了芯片的性能及可靠性。
一种带有补偿沟道 igbt 芯片

[发明专利]一种可靠性改善型半导体器件-CN202110258725.0有效
发明人：王海军 -专利权人： 上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种可靠性改善型半导体器件，包括中部为元胞区、边缘为终端保护区和截止区的器件本体，器件本体包括表面具有绝缘介质层的半导体衬底、设于绝缘介质层上方的金属互联层及位于金属互联层上方且延伸至截止区的保护层，金属互联层通过器件本体表面的第一接触孔与半导体衬底表面的基极或栅极连接，器件本体的截止区表面设有底端延伸至半导体衬底的第三接触孔，第三接触孔内设有连接半导体衬底与金属互联层的漏电泄放金属。本发明的可靠性改善型半导体器件具有漏电吸收功能，可靠性高、使用寿命长。
一种可靠性改善半导体器件

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