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[发明专利]功率MOSFET-CN201710908423.7有效
发明人：肖胜安 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率MOSFET，功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被多晶硅栅覆盖的沟道区的表面用于形成沟道；原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，用以降低功率MOSFET在开关过程中的电流变化和电压变化；在开启过程中，按照阈值电压从小到大的顺序依次开启和阈值电压对应的原胞；在关断过程中，按照阈值电压从大到小的顺序依次关断和阈值电压对应的原胞
功率 mosfet

[实用新型]功率MOSFET-CN201420736131.1有效
发明人：廖奇泊;陈俊峰;古一夫 -专利权人：上海芯亮电子科技有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率MOSFET，包括衬底、多重终止环、浮接多晶硅环、芯片边界、高温热氧化层，多重终止环位于衬底和高温热氧化层之间，浮接多晶硅环位于高温热氧化层上，芯片边界位于衬底的侧面。本实用新型功率MOSFET能完全消除突波的或瞬时脉冲对组件所可能引起的伤害，即能够提供组件对突波或瞬时脉冲更佳的防护能力。
功率 mosfet

[发明专利]一种调整同步整流时序的装置及方法-CN201410811355.9有效
发明人：沈楠科 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种调整同步整流时序的装置及方法，解决同步整流技术中的电源变换器不能便捷地兼容不同结电容和栅极导通电压的功率MOSFET及电源变换器的上下功率MOSFET同时导通而产生大量热耗的问题。本发明包括：电源变换器，电源变换器包括上功率MOSFET及下功率MOSFET；与上功率MOSFET及下功率MOSFET连接的处理器；处理器对上功率MOSFET及下功率MOSFET的栅极电压进行实时检测，标记出较先导通的功率MOSFET；在上功率MOSFET的栅极电压与下功率MOSFET的栅极电压同时满足导通条件使上功率MOSFET和下功率MOSFET同时导通时，将带有标记的功率MOSFET关断预设时间
一种调整同步整流时序装置方法

[发明专利]具有阻止反向电流功能的高边功率MOSFET开关管组-CN200710196045.0有效
发明人：杨志江 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：一种具有阻止反向电流结构的高边功率MOSFET开关管组，包括第一功率MOSFET管，输入电压端，输出电压端，栅极驱动端，该开关管组进一步包括：第二功率MOSFET管，其中所述第一功率MOSFET管的栅极和所述第二功率MOSFET管的栅极连接，所述第一功率MOSFET管的衬底和所述第二功率MOSFET管的衬底连接，所述第二功率MOSFET管源极与衬底连接，所述第一功率MOSFET管源极与所述第二功率MOSFET管漏极连接
具有阻止反向电流功能功率 mosfet 开关

[实用新型]电流感测装置-CN201520770627.5有效
发明人：王飞 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：根据本实用新型的一个实施例，所述电流感测装置包括：感测MOSFET；功率MOSFET；以及补偿MOSFET，其中，所述补偿MOSFET的漏极和所述功率MOSFET的漏极连接在一起，所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极连接在一起，并且所述补偿MOSFET被配置为对由所述感测MOSFET与所述功率MOSFET的单位指状分支宽度的不同而引起的漏极端寄生电阻差进行补偿，其中所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是LD-MOSFET器件。通过采用根据本实用新型的电流感测装置，能够通过对流过感测MOSFET的电流进行检测来精确地确定流过功率MOSFET的电流。
流感装置

[实用新型]一种功率MOSFET器件-CN200520043387.5无效
发明人：黄树良;谢锋民;邵栎瑾 -专利权人：技领半导体(上海)有限公司;技领半导体国际有限公司
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率MOSFET器件，它可以提高功率MOSFET的带载能力、击穿电压、防止寄生MOSFET、减小寄生延时。MOSFET的漏极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄，MOSFET的源极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄。并且以N阱或P阱作为功率MOSFET的漂移区，功率MOSFET的多晶栅伸出有源区部分作为场板，并环绕所述MOSFET的漏极，又有，功率MOSFET的多晶栅的两边均以金属连线引出，并用所述金属连接功率MOSFET的多晶栅的两头，另外功率MOSFET的漂移区、有源区的弯曲处采用弧形或多边形结构。
一种功率 mosfet 器件

[发明专利]MOSFET功率回路寄生电感的确定方法-CN202210538516.6在审
发明人：赵凤俭 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，包括：提供桥臂MOSFET功率回路的等效功率电路，所述等效功率电路包括桥接的驱动MOSFET和续流MOSFET以及功率回路寄生电感，并获得所述驱动MOSFET的等效输出电容；对所述桥臂MOSFET功率回路进行双脉冲测试，获得所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系；根据所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系获得谐振频率；根据所述等效输出电容和所述谐振频率，获得功率回路寄生电感值。本申请技术方案在不对器件造成损害的情况下，解决了MOSFET功率回路寄生电感难以获取的问题。
mosfet 功率回路寄生电感确定方法

[发明专利]具有集成栅极电阻器和二极管接法MOSFET的功率MOSFET-CN201280043093.5有效
发明人： J·王;S·徐;J·科瑞克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：功率MOSFET（202）是在半导体器件（200）中由半导体器件的栅极输入节点（204）与功率MOSFET的栅极（206）之间的分流电阻器（208）和二极管接法MOSFET（210）的并联组合形成的。二极管接法MOSFET的栅极（212）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过二极管（220）连接到功率MOSFET的源极节点（218）。二极管接法MOSFET的漏极节点被连接到半导体器件的栅极输入节点（204）。二极管接法MOSFET的源极节点（216）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。功率MOSFET和二极管接法MOSFET被集成到半导体器件的衬底中，以使得二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过pn结与功率MOSFET的源极节点（218）电隔离。
具有集成栅极电阻器二极管 mosfet 功率

[发明专利]一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器-CN202011393919.3在审
发明人：刘若曦;田泽;郎静;邵刚;邓广真;陈智;李潇 -专利权人：西安翔腾微电子科技有限公司
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器。本发明的方法包括以下步骤：1)检测功率MOSFET的功率管源漏两端的电压；2)计算出功率MOSFET的功率管的源漏电压差；3)通过内部电流基准输出电流至外部低温漂普通电阻，从而转化为基准电压；4)通过比较基准电压同功率MOSFET的功率管源漏之间的压差，从而判断功率MOSFET的功率管所处状态；5)通过设置不同阻值的电阻，实现对不同功率的功率MOSFET的功率管的控制。本发明具有缩小功率MOSFET控制电路面积的优点。
一种外置普通电阻功率 mosfet 控制方法控制器

[发明专利]一种功率MOSFET封装热阻比较装置-CN201610132622.9有效
发明人：刘义芳 -专利权人：西安华羿微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中功率MOSFET压接在散热器上；恒流控制板精确控制不同的功率MOSFET工作在放大区并保证相同的功率耗散，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度。本发明通过恒流控制板的控制作用，使流过功率MOSFET的电流得到精确控制，极大减小了由于不同功率MOSFET存在的开启电压差异而导致的电流差异。同时，在相同的功率耗散条件下，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度，可以较快捷并准确地比较出不同功率MOSFET封装热阻的大小。
功率MOSFET 散热器功率MOSFET封装恒流控制板点温计热阻双路比较装置功率耗散测量可调直流电源电流差异开关电源开启电压控制作用放大区减小压接保证

[实用新型]一种功率MOSFET封装热阻比较装置-CN201620180738.5有效
发明人：刘义芳 -专利权人：西安后羿半导体科技有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中功率MOSFET压接在散热器上；恒流控制板精确控制不同的功率MOSFET工作在放大区并保证相同的功率耗散，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度。本实用新型通过恒流控制板的控制作用，使流过功率MOSFET的电流得到精确控制，极大减小了由于不同功率MOSFET存在的开启电压差异而导致的电流差异。同时，在相同的功率耗散条件下，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度，可以较快捷并准确地比较出不同功率MOSFET封装热阻的大小。
一种功率 mosfet 封装比较装置

[发明专利]一种自带短路保护的功率MOSFET-CN202011419731.1在审
发明人：钟任生 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及功率MOSFET的技术领域，更具体的涉及一种自带短路保护的功率MOSFET，其包括主功率管，其为双源极功率MOSFET，所述双源极功率MOSFET包括第一源极和第二源极；短路保护电路，其通过所述第二源极、双源极功率MOSFET的栅极与所述双源极功率MOSFET连接；其中，所述第一源极为双源极功率MOSFET向外引出的源极。本发明在主功率管的源极和栅极连接短路保护电路，其采用的短路保护电路能快速切断主功率管的栅极的驱动电流，极大地提高了安全性能。
一种短路保护功率 mosfet

[发明专利]半导体功率器件-CN201811364479.1在审
发明人：袁愿林;刘伟;刘磊;毛振东 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：封装在同一个封装体内的第一MOSFET功率器件芯片和第二MOSFET功率器件芯片，其中：所述第一MOSFET功率器件芯片的漏极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的源极金属层电性连接；所述第一MOSFET功率器件芯片的源极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的栅极金属层均接所述封装体的源极引脚；所述第一MOSFET功率器件芯片的栅极金属层接所述封装体的栅极引脚；所述第二MOSFET功率器件芯片的漏极金属层接所述封装体的漏极引脚。本发明能够降低半导体功率器件的特征导通电阻。
半导体功率器件

[发明专利]一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路-CN201410542302.1在审
发明人：聂培军 -专利权人：北京谊安医疗系统股份有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路。其包括：变速控制电路和逻辑控制电路，所述变速控制电路连接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET，所述功率MOSFET连接容性负载，所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源，其输出端通过变速控制电路连接功率当逻辑控制电路控制功率MOSFET导通时，通过变速控制电路能够控制功率MOSFET的软启动功率输出特性，能够大大减小MOSFET导通瞬间大电流对容性负载的冲击；当逻辑控制电路控制功率MOSFET截止时，通过变速控制电路能够控制功率MOSFET加速关闭麻醉机供电电源。本发明可以通过改变加速控制电路中元器件的参数实现任意配置功率MOSFET的软启动特性，而且可以保证极速关闭麻醉机供电电源，具有电路结构简单、功耗低的优点。
一种麻醉功率 mosfet 负载保护电路

[实用新型]功率半导体器件-CN202022541853.X有效
发明人：朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本实用新型提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。
功率半导体器件

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