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[实用新型]双基岛共阳极肖特基封装框架-CN201521096623.X有效
发明人：马红强;徐向涛;王兴龙;王强 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双基岛共阳极肖特基封装框架，包括引线框架管脚部分与引线框架散热部分，两者通过绝缘陶瓷烧结粘合而成，一条封装框架包含20个引线材料单元，每个引线材料单元能封装成一只双基岛共阳极肖特基模块，每个引线材料单元的管脚部分包括两个独立设置的基岛和三个I/O管脚，基岛作为载体用于安装肖特基芯片，芯片安装时，正面朝上，背面朝下，且两个芯片通过导线连接到中间的I/O管脚上，使得位于左右两侧的I/O管脚为阴极该封装框架采用双基岛，分体式单排排列，双基岛安装普通肖特基芯片，双基岛式载体区阴极分离、阳极共用，解决了普通肖特基芯片难以实现共阳极封装的难题。
双基岛共阳极肖特基封装框架

[发明专利]具有浮岛的结势垒肖特基二极管-CN200780033962.5有效
发明人：潘继;安荷·叭刺 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-12-01 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一肖特基二极管，其包含有一肖特基势垒与数个邻近该肖特基势垒并作为浮岛的掺杂区域，以起到PN结的作用来防止由反向电压所产生的漏电流。在半导体衬底上至少开设一个沟槽，且其中填充设置有肖特基势垒材料，从而构成肖特基势垒。该肖特基势垒材料也可以设置在沟槽侧壁上来构成肖特基势垒。填充在沟槽中的肖特基势垒材料是由钛/氮化钛或者钨组成的。该沟槽开设在N型半导体衬底中，包含P型掺杂区域的掺杂区域是设置在沟槽下方的，并构成浮岛。P型掺杂浮岛以垂直阵列的形式形成于沟槽底部下方。
具有结势垒肖特基二极管

[发明专利]一种沟槽型SiC MOSFET元胞结构、制备方法及功能电路-CN202211457913.7在审
发明人：张伟;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET元胞结构、制备方法及功能电路，该元胞结构在栅沟槽之间增加一个源沟槽，所述源沟槽的底部形成若干间隔的P岛，所述源沟槽内填充肖特基金属；所述P岛在SiC MOSFET承受反向耐压时，SiC MOSFET的耗尽层扩展，降低栅沟槽底部的电场强度，提升器件的可靠性，且所述源沟槽内的肖特基金属与所述P岛形成欧姆接触，与N‑外延区域的非P岛区形成肖特基接触，使体二极管的阳极同时包含有肖特基和欧姆接触本发明提供的沟槽型SiC MOSFET元胞结构的体二极管的元胞结构同时包含有肖特基和欧姆接触，降低了正向导通压降，同时，减小了正面注入效率，降低了反向恢复损耗。
一种沟槽 sic mosfet 结构制备方法功能电路

[发明专利]一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法-CN202310843058.1在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;于恒懿;游淑珍;于龙洋;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，以及源极、漏极、氮化物层和钝化层、至少一个位于势垒层上方的肖特基岛以及位于氮化物层上的栅极；其中，源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；氮化物层位于源极和漏极之间，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层和漏极之间；肖特基岛位于氮化物层的一侧或两侧，且肖特基岛与所述势垒层形成肖特基接触；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触
一种具有肖特基岛结构粒子 gan 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有非连续沟槽设计的肖特基器件结构及其制作方法-CN201410196577.4在审
发明人：张小辛;傅静;余强 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有非连续沟槽设计的肖特基器件结构及其制作方法，所述肖特基器件结构包括呈网络状分布的肖特基结面、以及呈网格阵列分布于所述肖特基结面中的多个岛状沟槽结构；所述肖特基结面为N型轻掺杂硅外延层及金属硅化物形成；所述岛状沟槽结构包括形成于所述N型轻掺杂硅外延层中的沟槽、形成于所述沟槽表面的介质层以及填充于所述沟槽内的多晶硅层。本发明最大限度地降低了沟槽总面积，使得沟槽型功率肖特基器件的有效面积最大化，在保证反向漏电和反向耐压性能不降低的情况下，最大限度地降低了正向压降和提高了器件对浪涌冲击的耐受力。
一种具有连续沟槽设计肖特基器件结构及其制作方法

[实用新型]一种沟槽型SiC MOSFET元胞结构及功能电路-CN202223087234.3有效
发明人：张伟;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽型SiC MOSFET元胞结构及功能电路，该元胞结构包括形成于碳化硅N‑外延层的栅沟槽和源沟槽，所述源沟槽内填充肖特基金属，底部形成若干间隔的P岛，所述源沟槽内的肖特基金属与所述P岛形成欧姆接触，与所述碳化硅N‑外延层2形成肖特基接触。本实用新型提供的沟槽型SiC MOSFET元胞结构的体二极管的元胞结构同时包含有肖特基和欧姆接触，即为肖特基二极管和PN结二极管的结合，相比于普通的体二极管（PN结二极管，欧姆接触），正向导通时，电流主要通过肖特基结（肖特基结势垒比PN结势垒低），从而降低了正向导通压降，同时，减小了正面注入效率，降低了反向恢复损耗。
一种沟槽 sic mosfet 结构功能电路

[实用新型]一种用于全桥整流的新型肖特基器件-CN201621301958.5有效
发明人：关世瑛 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于全桥整流的肖特基器件；该器件具有通过P‑外延层隔离形成的四个独立的N‑外延岛，每个N‑外延岛表面都有一个肖特基势垒结，在每个势垒区边缘处，都分别有P+保护环、绝缘介质层，分别与每个肖特基势垒结相连接的金属层形成器件的电极，第一电极与第三电极相连，构成整流器件的共阳输出极；第二电极、第四电极形成整流器件的两个输入极；背面电极为整流器件的共阴输出极；通过新颖的结构设计，一颗本实用新型的肖特基器件，可实现全桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要四颗传统的肖特基器件组合封装才能实现且封装制程复杂、成品率低，而本实用新型的肖特基器件，可简化封装难度、提高封装成品率。
一种用于整流新型肖特基器件

[实用新型]一种沟槽肖特基管结构及半导体器件-CN201520461970.1有效
发明人：余强;张小辛;郑晨焱 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽肖特基管结构及半导体器件，所述沟槽肖特基管结构至少包括：分区域制备于外延片表层的第一沟槽型肖特基结构和第二沟槽型肖特基结构；其中，所述第一沟槽型肖特基结构包括岛状肖特基结阵列及围绕于各岛状肖特基结周围的连续网状沟槽单元；所述第二沟槽型肖特基结构包括分离沟槽单元阵列及围绕于各分离沟槽单元周围的连续网状肖特基结。本实用新型的沟槽肖特基管结构降低了沟槽总面积，使得沟槽型功率肖特基器件的有效面积增加，同时具有高反向击穿电压，低正向压降和高电流通过能力。
一种沟槽肖特基管结构半导体器件

[发明专利]基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法-CN202210192802.1在审
发明人：杨凌;武玫;王平;侯斌;张濛;宓珉瀚;朱青;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括：阴极、n+‑Ga2漂移层、阳极，其中，n‑‑Ga2O3漂移层和阳极接触面上设有若干重掺杂P型岛；；其中，重掺杂P型岛和轻掺杂P型区均采用氮化镓材料。本发明提供的基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管采用了若干重掺杂P型岛结构，并在其下方引入了轻掺杂P型区域，形成超结结构，通过耗尽肖特基接触区域下方的电子，降低了器件反向泄漏电流，增加了器件击穿电压，同时以P型GaN作为重掺杂P型岛和轻掺杂P型区的材料规避了P型Ga2O3制备困难的问题。
基于结构混合 pin 肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件-CN201810502999.8有效
发明人：苏言杰;蔡葆昉;陶泽军;张亚非;杨志 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件，包括：绝缘性基底，设置在绝缘性基底上表面两侧的电极对，位于电极对之间的碳纳米管网络，位于碳纳米管网络内的呈岛状的石墨烯。与现有技术相比，本发明采用岛状石墨烯与碳纳米管网络形成肖特基结构使得碳纳米管中的光生空穴转移并被限制于岛状石墨烯，大幅度降低了光生载流子复合几率，同时大幅降低由连续石墨烯作为导电沟道导致的暗电流，进而提高器件的光电性能
一种基于纳米石墨烯肖特基结性能光电器件

[发明专利]基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法-CN202110792656.1在审
发明人：叶建东;胡天澄;巩贺贺;郁鑫鑫;徐阳;张贻俊;任芳芳;顾书林;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N‑漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N‑漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与N‑漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N‑漂移层形成肖特基接触；PN异质结与肖特基接触相并联。本发明利用Ni薄膜在快速热退火下形成的自组装纳米岛代替光刻胶作为掩膜，省去了光刻的步骤，大大简化了制备工艺，不仅缩短了制备周期，而且节约了成本。
基于组装 ni 纳米 jbs 功率二极管及其制备方法

[发明专利]含定向扩散结的肖特基器件及制造方法-CN201510660447.6在审
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：含定向扩散结的肖特基器件及制造方法。P型岛区将占用15%以上的肖特基势垒区面积，影响JBS肖特基器件的参数性能，现在很多芯片加工厂，不能制作出性能优良的JBS肖特基器件。本发明方法包括：硅单晶基片（1），所述的硅单晶基片上具有外延层（2），所述的外延层上设置有肖特基势垒区（3），所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区（4）配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层（8）本发明用于制造含定向扩散结的肖特基器件。
定向扩散肖特基器件制造方法

[实用新型]含定向扩散结的肖特基器件-CN201520792159.1有效
发明人：洪旭峰;王锰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：含定向扩散结的肖特基器件。P型岛区将占用15%以上的肖特基势垒区面积，影响JBS肖特基器件的参数性能，现在很多芯片加工厂，不能制作出性能优良的JBS肖特基器件。本实用新型组成包括：硅单晶基片（1），所述的硅单晶基片上具有外延层（2），所述的外延层上设置有肖特基势垒区（3），所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区（4）配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层（本实用新型用于制造含定向扩散结的肖特基器件。
定向扩散肖特基器件

[发明专利]一种带有浮岛型保护环的高压肖特基二极管-CN202310367462.6有效
发明人：杜飞波;高东兴 -专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种带有浮岛型保护环的高压肖特基二极管，包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区及第二导电类型保护环，所述第一导电类型阱区表面的有源区均设有肖特基势垒金属，所述第二导电类型保护环与其表面的肖特基势垒金属分离，并浮空设置在其肖特基势垒金属下方，所述第二导电类型保护环与第一导电类型阱区之间形成PN结，所述PN结设有一耗尽区，所述第一导电类型阱区与其表面的肖特基势垒金属形成肖特基结，在零偏状态下，所述PN结的耗尽区能够覆盖所述肖特基结的肖特基势垒金属的边缘
一种带有浮岛型保护环高压肖特基二极管

[发明专利]一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法-CN200910087347.3有效
发明人：董军荣;杨浩;吴如菲;黄杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs肖特基变容二极管，该GaAs肖特基变容二极管包括：用于支撑整个GaAs肖特基变容二极管的GaAs绝缘衬底；在该GaAs绝缘衬底上外延生长的高掺杂N+层，在N+层上继续外延生长的普通掺杂的N型层；经过挖岛、隔离两个工艺步骤，在N型层、N+层上形成的台面结构；在N型层上蒸发金属形成肖特基接触的上电极；以及在N+层上蒸发金属形成欧姆接触的下电极。本发明同时公开了一种GaAs肖特基变容二极管的制作方法。利用本发明，在不改变肖特基二极管特性的前提下采用平面制造工艺，减小了器件体积，提高了集成度。
一种 gaas 肖特基变容二极管及其制作方法

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