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[发明专利]一种基于肖特基势垒的气体光检测器-CN201811202489.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基势垒的气体光检测器，包括弧面在下方的半圆形透光棱镜，半圆形透光棱镜的平面上方设置有气体感应层，气体感应层的上方设置有N型半导体层，N型半导体层的上方设置有金属层，金属层与外接电源的正极电连接，N型半导体层外接电源的负极电连接；基于肖特基势垒的气体光检测器，通过在检测器中设置气体感应层，由入射光入射气体感应层从而引起肖特基结的肖特基势垒发生变化，不同气体填充在气体感应层，会引起肖特基势垒不同的变化，在已知入射光特性的情况，根据肖特基势垒的变化，判断待测气体的特性，该基于肖特基势垒的气体光检测器，结构简单，实现了基于肖特基势垒检测器的多用能应用。
肖特基势垒气体感应光检测器检测器外接电源金属层棱镜透光负极电连接入射光特性待测气体气体填充肖特基结入射光正极电弧面入射应用

[发明专利]一种深沟槽肖特基二极管及其工艺制作方法-CN201210343042.6在审
发明人：李天贺;陈建国;谢春诚 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽肖特基二极管及其工艺制作方法，所述方法包括以下步骤：对半导体硅外延片进行硅槽刻蚀、栅极氧化层生长、多晶硅淀积及回刻、绝缘介质淀积、肖特基势垒接触的形成及保护层处理，得到深沟槽肖特基二极管晶圆；对所述深沟槽肖特基二极管晶圆进行合金处理，并对合金处理后的深沟槽肖特基二极管晶圆进行背面处理，得到深沟槽肖特基二极管，其中，所述合金处理的主工艺时间为45~180分钟。与现有技术相比，本发明中合金处理的主工艺时间较长，从而能够更大程度地释放深沟槽肖特基二极管晶圆中的应力和可动电荷，避免深沟槽肖特基二极管反向漏电参数异常波动，达到降低反向漏电电流、提高产品良率的效果。
一种深沟槽肖特基二极管及其工艺制作方法

[发明专利]具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法-CN201911171044.X在审
发明人：单亚东;谢刚;胡丹;李武华 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法，所述半导体装置包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。本发明采用两种不同的势垒金属作为肖特基接触，器件反向阻挡时，利用高势垒的肖特基金属对低势垒肖特基金属的电场屏蔽作用降低肖特基势垒电流，器件正向导通时，器件因低势垒肖特基金属具有较低的导通压降。
具有基金半导体装置及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管芯片的元胞结构及半导体芯片-CN201911395653.3在审
发明人：陈喜明;王亚飞;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管芯片的元胞结构，包括：位于衬底之上的漂移区，漂移区表面向下设置有邻接的阱区和JFET区，位于阱区之上与阱区形成欧姆接触的欧姆金属，位于JFET区之上的鳍式结构，设置于所述鳍式结构表面并与所述鳍式结构形成肖特基接触的肖特基金属本发明通过将传统平面JBS结构肖特基二极管有源区的肖特基平面接触改为三维立体结构接触，增加了肖特基接触的面积，扩大了导通电流的路径，降低了芯片的导通电阻，同时有效解决了传统平面JBS结构中反向偏置下肖特基接触中央位置电场集中效应，降低了在反向阻断工况时肖特基接触中心位置的电场强度，保持或降低了反偏时的漏电几率。
一种碳化硅肖特基二极管芯片结构半导体

[发明专利]一种具有肖特基结型的无电解质隔膜单部件燃料电池-CN201410309914.6有效
发明人：朱斌;宓丹;何运娟 -专利权人：湖北大学
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01M8/1246 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有肖特基结型的无电解质隔膜单部件燃料电池，其单部件是由掺杂氧化铈与加入1—95％的金属半导体(n或p)氧化物构成的纳米复合材料压片而成。在电池片的一面以泡沫镍为支撑并作为集电极，在另一面通过物理溅射或真空沉积加载肖特基金属镍、或铜、或钴等，在其表面而形成肖特基结；或在燃料氢气或天然气作用下，在电池片的另一表面还原得到富肖特基金属的表面而形成肖特基结，构成具有肖特基结型的无电解质隔膜单部件燃料电池。本发明采用肖特基结构克服了燃料电池无电解质容易造成短路的问题。同时肖特基结简单，容易实现，成本低廉、低温工作性能好。本发明在300‑550℃下输出功率密度100‑620毫瓦/平方厘米。
一种具有肖特基结型电解质隔膜部件燃料电池

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710796202.5有效
发明人：邓光敏;裴轶;朱永生 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该半导体器件，包括基于所述衬底制作的半导体层、基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极、以及基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极。该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。在该半导体器件中，肖特基源极与欧姆漏极可以构成肖特基二极管。在欧姆源极为高电位，欧姆漏极为低电位时，肖特基源极与欧姆漏极构成的肖特基二极管正向开启，形成续流回路。在需要用二极管进行续流的电路中，无需外接续流二极管，可通过自带的肖特基二极管实现续流功能，降低电路成本，使电路尺寸更小，同时降低电路设计难度，降低损耗。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种肖特基二极管的工艺设计-CN201610963476.4有效
发明人：姚剑锋;王自鑫;刘卫华;郭建平;邱晓辉;张顺;张国光;严向阳 -专利权人：佛山市蓝箭电子股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种肖特基二极管的工艺设计，肖特基二极管包括半导体衬底、外延层、沟槽、栅介质层、多晶硅、肖特基接触金属、正面金属层和背面金属层，半导体衬底的上表面设置有外延层，外延层上的两端设有沟槽，沟槽内表面设置有栅介质层，沟槽内部设置有多晶硅，外延层上表面设置有肖特基接触金属，正面金属层设于肖特基接触金属的上表面，背面金属层设于半导体衬底一侧的表面。本发明利用SILVACO TCAD对肖特基二极管进行结构与电学特性建模，从而确定影响肖特基二极管的耐压与电流的模型参数，通过控制变量法，不断调整优化参数，使得肖特基二极管的击穿与可靠性达到最佳组合，从而缩短开发周期和提高成品率
一种肖特基二极管工艺设计

[发明专利]变温肖特基二极管特性测试仪-CN200910080023.7无效
发明人：贾春燕;刘国超;冉书能;孙鼎;蒋莹莹;荀坤;邢启江 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种变温肖特基二极管特性测试仪，属于肖特基二极管测试技术领域。该测试仪包括一变温系统、一数据采集系统和一计算机控制系统，变温系统用于改变肖特基二极管的温度，测得温差电动势信号；数据采集系统用于对肖特基二极管样品的两端施加电压信号，收集肖特基二极管两端的电压数据和流过肖特基二极管的电流数据，以及获得温差电动势数据；计算机控制系统用于对数据采集系统进行控制，并根据数据采集系统的数据信息，计算出肖特基二极管的势垒高度qφ_b、有效理查德常数A^**、理想因子本发明可直接获得肖特基二极管的特性参数，提高了测量效率。
变温肖特基二极管特性测试仪

[实用新型]一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件-CN201621301959.X有效
发明人：关世瑛 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件；该器件是在N+衬底两面同时形成上、下外延层N‑，在上、下外延层表面分别形成上、下肖特基势垒区，在上、下肖特基势垒区边缘，分别有上、下P+保护环，在上、下肖特基势垒区表面的金属层，分别形成器件的上、下阳极，在器件的上、下边缘，分别围绕高浓度的N型上、下掺杂环，上掺杂环连接的金属层形成器件的共阴极；一颗本实用新型的器件，可实现半桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要两颗传统的肖特基器件才能实现；同时，本实用新型器件的芯片与一颗传统的肖特基器件的芯片尺寸相当，因此与同规格传统的半桥整流肖特基器件比，可实现半桥整流肖特基器件的封装小型化。
一种适用小型化封装整流肖特基器件

[实用新型]一种基于肖特基势垒的气体光检测器-CN201821674556.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于肖特基势垒的气体光检测器，包括弧面在下方的半圆形透光棱镜，半圆形透光棱镜的平面上方设置有气体感应层，气体感应层的上方设置有N型半导体层，N型半导体层的上方设置有金属层，金属层与外接电源的正极电连接，N型半导体层外接电源的负极电连接；基于肖特基势垒的气体光检测器，通过在检测器中设置气体感应层，由入射光入射气体感应层从而引起肖特基结的肖特基势垒发生变化，不同气体填充在气体感应层，会引起肖特基势垒不同的变化，在已知入射光特性的情况，根据肖特基势垒的变化，判断待测气体的特性，该基于肖特基势垒的气体光检测器，结构简单，实现了基于肖特基势垒检测器的多用能应用。
肖特基势垒气体感应光检测器检测器外接电源金属层棱镜透光本实用新型负极电连接入射光特性待测气体气体填充肖特基结入射光正极电弧面入射应用

[实用新型]串联式肖特基二极管封装组件-CN202221198603.3有效
发明人：廖皇順 -专利权人：力勤股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种串联式肖特基二极管封装组件，其包含承载框架结构、第一肖特基二极管芯片、第二肖特基二极管芯片及跨接框架。该承载框架结构包括第一承载框架及第二承载框架。该第一、二肖特基二极管芯片分别具有第一电性接面及第二电性接面，该第一肖特基二极管芯片以该第二电性接面设置于该第一承载框架上。该第二肖特基二极管芯片以该第一电性接面设置于该第二承载框架上。该跨接框架跨接于该第一肖特基二极管芯片的第一电性接面与该第二肖特基二极管芯片的第二电性接面之间。借此便于应用于高压的电路中。
串联式肖特基二极管封装组件

[实用新型]一种肖特基二极管-CN202122838500.0有效
发明人：李小刚;李鹏 -专利权人：深圳市桦沣实业有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管，包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括上壳和下壳，所述上壳通过螺栓固定安装于下壳的上端，所述上壳上通过螺栓固定安装有散热板，所述散热板的下端固定连接有散热翅片，所述上壳上开设有散热孔，所述散热翅片的端部穿过散热孔位于肖特基二极管本体的内部，本实用新型安装固定结构简单，方便组装，且提高了肖特基二极管的散热能力，使其内部的电子元件在优越的环境下稳定运行，相对提高了肖特基二极管的使用寿命，提高了肖特基二极管的防水性，降低了外界水分进入肖特基二极管内部的可能性，降低了设备短路甚至损坏的风险。
一种肖特基二极管

[实用新型]大型太阳能远程防爆多层垃圾分类装置-CN201420563873.9有效
发明人：程礼华;冯文结;程皓 -专利权人：程礼华
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及垃圾处理领域，尤其涉及大型太阳能远程防爆多层垃圾分类装置，包括：太阳能岛、送料岛、破袋岛、干燥岛、分层岛、发酵岛、生物煤制造岛、收集岛、总控岛；收集岛包括无机物收集岛、金属收集岛、玻璃砖石收集岛；太阳能岛为装置提供动力，送料岛、破袋岛、干燥岛、分层岛依次连接，分层岛分别与发酵岛、无机物收集岛、金属收集岛、玻璃砖石收集岛连接，发酵岛与生物煤制造岛连接。
大型太阳能远程防爆多层垃圾分类装置

[发明专利]一种肖特基二极管的制备方法-CN201010235701.5有效
发明人：汪洋;吴亚贞 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，该方法利用未加射频偏压的IMP溅镀法生长钛金属层，用传统PVD溅镀法生长氮化钛金属层，从而降低了电镀金属对肖特基接触表面造成金属损伤，提高了肖特基二极管的表面态质量，降低了肖特基二极管的反向漏电流，并进一步降低了肖特基二极管的能耗。
一种肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基二极管的等效电路及仿真方法-CN201310306492.2有效
发明人：武洁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的等效电路及仿真方法，传统的肖特基二极管仿真模型不能准确地仿真器件在正向工作时的衬底漏电流，本发明通过在传统的肖特基二极管模型基础上添加二极管及电阻元件来精确地描述肖特基二极管的等效电路模型，提高肖特基二极管的仿真精度，缩短设计周期。
肖特基二极管等效电路仿真方法