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[发明专利]具有多划分的保护环的肖特基二极管结构及制备方法-CN200810004909.9有效
发明人：屠尚辉;藏前文香 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：传导接触层与半导体材料区形成第一肖特基势垒。传导接触层叠盖第二部分并形成与第一肖特基势垒的极性相反的第二肖特基势垒。传导接触层不叠盖第一部分，其与半导体材料区形成pn结。
具有划分保护环肖特基二极管结构制备方法

[发明专利]垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管-CN202210717160.2在审
发明人：刘国梁;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管，制作工艺包括以下步骤：提供衬底；在衬底的一侧表面上外延生长以形成势垒层；在势垒层上注入离子以形成P+区域；采用物理气相沉积法或化学气相沉积法，将低功函数的金属沉积于P+区域上，以形成第一欧姆接触金属层；在势垒层上溅射高功函数的合金，并进行退火处理，以同时形成第二欧姆接触金属层及肖特基接触金属层，第二欧姆接触金属层沉积于第一欧姆接触金属层上，肖特基接触金属层沉积于第二欧姆接触金属层上本发明解决了肖特基二极管制作工艺中正向浪涌欧姆大的问题。
垂直结构肖特基二极管制作工艺

[实用新型]低正向导通压降的肖特基二极管-CN201120064944.7有效
发明人：童钧彦;王凯莹;吕佳玲;吴国贤;陈坤贤 -专利权人：璟茂科技股份有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低正向导通压降的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一第一表面，并形成一凹入第一表面的护环，护环内为一P型掺杂区；又N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒；本实用新型使该肖特基势垒的高度低于N-型掺杂漂移层的表面，藉此缩小肖特基势垒下方的N-型掺杂漂移层厚度，以进一步降低肖特基二极管的正向导通压降
向导通压降肖特基二极管

[发明专利]具有单个势垒的沟槽型肖特基器件-CN200680038726.8无效
发明人：乔瓦尼·里基耶罗;罗萨罗·卡尔塔 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/095 文献下载
摘要：用于形成沟槽型肖特基势垒器件的工艺包括：在硅晶片表面中的沟槽内形成氧化物层，然后在该晶片的全部上表面上沉积完全连续的金属势垒层，该全部上表面包括沟槽内部以及沟槽间的台，势垒只与台接触。可以使用钛、钯和任何传统的势垒金属。
具有单个沟槽型肖特基器件

[发明专利]高压元件及其制造方法-CN201910026979.2有效
发明人：黄宗义 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高压元件包含至少一横向扩散金属氧化物半导体元件以及至少一肖特基势垒二极管。其中横向扩散金属氧化物半导体包括阱区、本体区、栅极、源极以及漏极；肖特基势垒二极管包括肖特基金属层以及肖特基半导体层。其中，肖特基金属层与源极电连接，且肖特基半导体层与阱区邻接。
高压元件及其制造方法

[发明专利]一种基于叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法-CN202010255504.3有效
发明人：杨凌;王军;宓珉瀚;侯斌;张蒙;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法，二极管包括：衬底，依次位于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层、介质层；第一凹槽，贯穿介质层、SiN钝化层、AlGaN势垒层；第二凹槽中第一部分贯穿介质层、SiN钝化层、部分AlGaN势垒层，第二部分贯穿另一部分AlGaN势垒层、AlN插入层和部分GaN缓冲层；阴极沉积有第一欧姆金属；阳极包括若干第二欧姆金属本发明阳极采用欧姆加肖特基叉指结构，由于阳极的肖特基接触和欧姆接触处于同一列，反向偏压时将引入较多的肖特基耗尽区，从而提高了器件的反向击穿电压。
一种基于结构横向肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种SiC结势垒肖特基二极管-CN201721570348.X有效
发明人：朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的SiC衬底；第一导电类型的SiC外延层，位于衬底的第一表面上，其中，外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；结势垒区，从外延层的远离衬底的表面延伸进入外延层，结势垒区包括多个第二导电类型的环状或者条状结构；第二导电类型的SiC结终端扩展区，自结势垒区的结终端向远离结势垒区的两侧延伸设置，掺杂浓度自结势垒的结终端向两侧逐渐减小；介质层，设置在外延层的远离衬底的表面上，并具有斜坡结构，在与结势垒区对应的部分形成开口；第一电极层，设置在衬底的第二表面上；以及第二电极层，包括覆盖开口的肖特基接触区和延伸到介质层上的场板结构。
一种 sic 结势垒肖特基二极管

[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制备方法-CN200910050995.1无效
发明人：杨忠武;宋凯霖;洪旭峰;任宏志 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体为基片，在上面形成N-外延层，阳极为(阻档层)金属材料；其制备包括：在硅外延片和金属之间用75度清洗试剂清洗10-30分钟生长一层薄氧化层，氧化层厚度在，然后溅射或蒸发金属，合金形成硅化物，作为势垒层，从而形成了肖特基势垒二极管。本发明制备方法简单，在低成本的条件下，通过薄氧化层的参与，降低了势垒高度，高效率的制备得到低正向压降的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管的应用范围更为广泛。
一种肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]混合阵列终端功率器件及其制作方法-CN202210583543.5在审
发明人：毛维;杨卿慧;杨翠;杜鸣;史江义;马佩军;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合阵列终端功率器件及其制作方法，主要解决现有肖特基二极管开启电压高、输出电流小和反向漏电大的问题，其包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层；钝化层的左侧设有阴极槽，阴极槽上方设有阴极；钝化层的右侧设置有欧姆块，其底部与势垒层的上表面接触；欧姆块的左侧从右到左依次设有M个阳极块、N个肖特基终端、K个P型阵列块，阳极块和肖特基终端的下部位于过渡层中；P型阵列块的下表面与势垒层的上表面接触；阳极块、肖特基终端、P型阵列块和欧姆块的上表面设有互连金属，用于同时给阳极块、肖特基终端、P型阵列块和欧姆块施加电压。
混合阵列终端功率器件及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管-CN201410427708.5有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;陈南庭;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底、氮化铝成核缓冲层、背势垒层、氮化镓、势垒层以及绝缘介质层组成，在势垒层上形成有源极、漏极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，在绝缘介质层上形成有栅极，栅极与绝缘介质层形成肖特基接触。本发明通过在栅极正下方沟道区域引入极化强度大于势垒层的背势垒层，使背势垒层和势垒层的极化强度相抵消，起到耗尽栅下沟道的二维电子气的效果，从而实现增强型工作状态。
一种氮化增强型异质结场效应晶体管

[发明专利]隧穿增强型垂直结构的HEMT器件-CN202010714612.2在审
发明人：钟敏 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：该HEMT器件包括：衬底；缓冲层，设置在衬底的一个表面上；电流阻挡层，设置在缓冲层远离衬底的表面；沟道层，覆盖防扩散层、电流阻挡层和部分的缓冲层；势垒层，设置在沟道层远离衬底的表面；防扩散层，设置在电流阻挡层与势垒层之间；源极，设置在沟道层远离电流阻挡层的表面且具有第一延伸部，且第一延伸部覆盖部分的势垒层的表面并与势垒层形成肖特基接触；绝缘介质层，覆盖部分的势垒层和另一部分的缓冲层；栅极，设置在绝缘介质层远离缓冲层的表面且设置在源极的两侧；漏极，设置在衬底远离缓冲层的表面。本发明的垂直结构的HEMT器件，将源极与势垒层在水平方向上的接触面积延长，且延长部分金属与势垒层形成肖特基接触，以提高器件的反向阻断性。
增强垂直结构 hemt 器件

[发明专利]一种槽型结型势垒肖特基二极管-CN201910458036.7在审
发明人：宋庆文;范鑫;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种槽型结型势垒肖特基二极管，包括从下至上依次设置的底层金属层、N+衬底层和N‑外延层，其中，N‑外延层的上表面设置有若干个P型离子注入区，每个P型离子注入区内部设置有凹槽，相邻P型离子注入区之间的间距从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势，凹槽的深度从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势；N‑外延层上设置有隔离介质层和顶层金属层，隔离介质层环绕在N‑外延层上表面的四周，顶层金属层设置在N‑外延层和隔离介质层的上表面以及凹槽的内部本发明的槽型结型势垒肖特基二极管，在保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，有效抑制了局部电迁移现象的发生。
肖特基二极管外延层结型势垒隔离介质层上表面槽型顶层金属层种槽正向导通电阻底层金属层反向漏电流内部设置依次设置有效抑制衬底层电迁移环绕退化保证

[发明专利]4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201410333652.7在审
发明人：曹琳 -专利权人：西安永电电气有限责任公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管包括：4H-SiC衬底；位于衬底上的第一4H-SiC外延层，第一4H-SiC外延层上方形成有浮结层；位于第一4H-SiC外延层和浮结层上的第二4H-SiC外延层；位于第二4H-SiC外延层上的结势垒区、结终端扩展及场限环；位于结终端扩展和场限环上方的SiO₂层、以及位于部分SiO₂层上的场板，场板中间形成肖特基接触窗口；位于衬底背面的欧姆接触的阴极、以及位于肖特基接触窗口内肖特基接触的阳极。本发明改善了4H-SiC浮结肖特基势垒二极管反向漏电流大的问题，同时，将传统高温离子注入工艺形成浮结结构的方法改变为刻蚀外延工艺，解决了离子注入产生晶格损伤导致器件性能下降的问题，有效提升了器件性能。
sic 浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件-CN201621301959.X有效
发明人：关世瑛 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件；该器件是在N+衬底两面同时形成上、下外延层N‑，在上、下外延层表面分别形成上、下肖特基势垒区，在上、下肖特基势垒区边缘，分别有上、下P+保护环，在上、下肖特基势垒区表面的金属层，分别形成器件的上、下阳极，在器件的上、下边缘，分别围绕高浓度的N型上、下掺杂环，上掺杂环连接的金属层形成器件的共阴极；一颗本实用新型的器件，可实现半桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要两颗传统的肖特基器件才能实现；同时，本实用新型器件的芯片与一颗传统的肖特基器件的芯片尺寸相当，因此与同规格传统的半桥整流肖特基器件比，可实现半桥整流肖特基器件的封装小型化。
一种适用小型化封装整流肖特基器件

[发明专利]一种具有双层异质结构的混合阳极GaN整流芯片及制备方法-CN202310040186.2在审
发明人：王文樑;侯冬曼;周润杰;李国强;林廷钧;赖全光;肖嘉莹 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双层异质结构的混合阳极GaN整流芯片及制备方法，由下至上依次层叠设置衬底、GaN层、第一势垒层及第二势垒层，所述第一势垒层与GaN层形成异质结，所述第二势垒层与第一势垒层形成异质结，双层异质结形成双层二维电子气，实现电子气的展宽，所述第二势垒层的上表面设置阴极结构和肖特基混合阳极结构。
一种具有双层结构混合阳极 gan 整流芯片制备方法