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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

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F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构-CN200910002977.6无效
发明人：王庆钧;吴岱原;陈佑升;林哲歆 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构，其中硅导通孔结构包括硅衬底、环状电容、导电通孔、低介电常数材料层以及凸块。上述环状电容位于硅衬底内，且环状电容从内到外是由第一导电层、电容介电层与第二导电层所构成。导电通孔是位于环状电容所围绕的硅衬底中，而低介电常数材料层则位于环状电容与导电通孔之间。至于凸块是与导电通孔相接触，以利于与其他芯片做接合。
硅导通孔制造方法结构

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310572277.7在审
发明人：尹志尧;许颂临;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，其中包括多次重复的制程循环步骤，所述制程循环步骤包括刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤在各重复执行的制程循环步骤中，执行时间逐次减少。随着制程循环步骤的重复执行，刻蚀深度逐渐变深，制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间，随着刻蚀深度的加深，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]硅通孔工艺方法-CN201310557105.2在审
发明人：潘嘉;陈曦;周正良 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔工艺方法，与有源器件的工艺相集成，是在硅片上有源器件制作完成之后，先在硅片上淀积一层金属前介质；然后对硅通孔区域进行刻蚀，然后形成氧化层及淀积钛和氮化钛，再淀积一层金属钨；回刻并再淀积第二层金属钨；进行接触孔刻蚀及金属互连工艺；背面减薄。该方法在不改变现有工艺方法和流程的基础上实现了硅通孔工艺的集成，降低了器件的电阻和电感，提高了RF产品的性能。
硅通孔工艺方法

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310572268.8在审
发明人：尹志尧;许颂临;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，包括交替进行的刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤的执行时间不超过相邻两次刻蚀步骤执行的间隔时间，且所述侧壁沉积步骤的执行时间逐次减少。本发明的优点是，随着刻蚀深度逐渐变深，侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的侧壁沉积步骤的执行时间，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量，从而改变刻蚀结构表面及侧壁刻蚀气体、沉积气体及其产生的等离子体的分布
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]穿硅通孔制造-CN202010170957.6在审
发明人：罗伯特·爱德华·西嘉石;索恩·泰·陆;埃利尼塔·马拉斯马斯·占旺萨克 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明题为“穿硅通孔制造”。一个或多个实施方案涉及通过具有低电阻和高密度的硅晶片建立电连接，同时维持可加工性以用于进一步制造。通过硅晶片的此类连接实现从硅晶片的顶侧到硅晶片的底侧的低电阻连接。
穿硅通孔制造

[发明专利]硅通孔加工方法-CN202310356953.0在审
发明人：陈齐松;杜祥雷;傅剑宇;陈桥波;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请关于硅通孔加工方法，涉及半导体器件材料技术领域。该方法包括：获取双抛片；在双抛片的表面生成硅化合物层；在第一表面制备预设图形；基于预设图形在双抛片的第一表面的硅化合物层上以第一预设深度进行刻蚀，第一预设深度为200μm~300μm；曝光；对第一表面进行保护；自第二表面在硅化合物层上进行刻蚀至双抛片刻通；对刻通后的双抛片进行去胶。在进行TSV加工的过程中，将双抛面相对的两个表面上分别生成硅化合物层，并在生成硅化合物层后，从第一表面进行部分刻蚀，在刻蚀后，在第二表面制备相同的图案，并从第二表面开始刻蚀至双抛片刻通。
硅通孔加工方法

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310347871.6有效
发明人：严利均;栗山宏一;刘身健 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔刻蚀方法，包括：提供待刻蚀硅衬底；对所述待刻蚀硅衬底进行刻蚀；在刻蚀过程中，刻蚀气体和侧壁保护气体同时通入等离子体刻蚀腔体，并控制刻蚀腔体压力在高气压阶段和低气压阶段之间交替变化，直至刻蚀完成本发明较有效率的刻蚀硅衬底，提高了工艺效率。
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310321218.2无效
发明人：严利均;黄秋平;刘翔宇 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔刻蚀方法，包括：提供待刻蚀硅衬底；采用第一刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，形成开口；采用钝化沉积在所述开口的侧壁和底部形成保护层；采用第二刻蚀对所述开口底部进行刻蚀，其中，所述第二刻蚀的刻蚀腔室压力小于第一刻蚀和钝化沉积的刻蚀腔室压力；依次循环采用所述第一刻蚀、钝化沉积和第二刻蚀，处理所述硅衬底，直至形成硅通孔。本发明形成的硅通孔侧壁粗糙度低。
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110152715.5无效
发明人：彭虎;肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：硅片上淀积二氧化硅，形成深沟槽；在深沟槽中淀积一层钛或氮化钛；在深沟槽中淀积钨；进行化学机械研磨表面的钨去除；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片的背面进行减薄
硅通孔填充方法

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110226264.5无效
发明人：彭虎;程晓华;郁新举 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：形成深沟槽或孔；在深沟槽或孔侧壁和底部淀积一层氧化层；淀积钛和氮化钛；淀积第一层钨；对第一层钨进行回刻，将深沟槽或孔外部的第一层钨去除；淀积一层氮化钛；淀积第二层钨；对第二层钨进行回刻，将深沟槽或孔外部的第二层钨去除；当深沟槽或孔未填满时，重复第二层钨的淀积和回刻，直至深沟槽或孔被填满；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片背面进行减薄；形成背面金属并制作背面金属图形本发明钨填充工艺和钨刻蚀工艺的结合，能实现高深宽比硅通孔的填充，且能够便于与现有集成电路工艺集成、并能利用现有生产设备进行加工，能降低工艺难度和成本。
硅通孔填充方法

[实用新型]硅通孔测试结构-CN201320804163.6有效
发明人：吕勇;王笃林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种用于进行再分布层电迁移测试的硅通孔测试结构，包括：多个设有两根硅通孔的硅通孔结构，两个硅通孔一端通过第一金属条电连接，另一端通过再分布层分别与相邻的硅通孔结构中的两根硅通孔电连接，多个第一金属条和再分布层将现有技术中的第一金属层改变成多个第一金属条，每一条金属条将硅通孔结构中的两根硅通孔的一端电连接起来，再使用再分布层将多个硅通孔结构中的两根硅通孔串联起来，由于第一金属条较短不易发生电迁移形成的空洞，并且能够准确测试再分布层的电迁移性能；由于还添加了第一硅通孔漏电流测试结构和第二硅通孔漏电流测试结构，两者之间保持预定距离，用于测试硅通孔之间的漏电流。
硅通孔测试结构

[实用新型]硅通孔测试结构-CN202221624830.8有效
发明人：施长治 -专利权人：上海联影微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅通孔测试结构，硅通孔测试结构包括第一半导体衬底、位于第一半导体衬底中的硅通孔和围绕硅通孔设置的测试区域，测试区域位于第一半导体衬底之上。由于测试区域围绕硅通孔设置，因此，在采用本实施例提供的硅通孔测试结构测试硅通孔的侧壁的漏电流时，能够将硅通孔的侧壁朝向第一半导体衬底的各个方向的漏电流收集起来，从而能够提高硅通孔测试结构测试出的漏电流的准确性
硅通孔测试结构

[发明专利]改进的硅通孔-CN201480081420.5在审
发明人： M·索瓦 -专利权人：雅达公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：使用ALD和PEALD处理来制备通孔以便金属化。每一个通孔被涂覆以厚度范围为20至的氮化钛阻挡层。在氮化钛阻挡层上形成钌密封层，其中所述密封层在无氧的情况下形成以防止氮化钛阻挡层的氧化。
改进硅通孔

[发明专利]划线穿硅通孔-CN201080006081.6无效
发明人：阿尔温德·钱德拉舍卡朗 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：每一划线包括多个穿硅通孔。
划线穿硅通孔

[发明专利]硅通孔深孔填充工艺-CN201310750385.9有效
发明人：侯珏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺，用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，工作步骤如下：步骤A1，向磁控溅射设备中通入工艺气体；步骤A2，用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积；步骤A3，用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积，重复步骤A2和A3，直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀，且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺，工艺设计简单合理，通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积，提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，可以完美的支持后续的电镀工艺，提高产能。
硅通孔深孔填充工艺

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