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[实用新型]一种变压器骨架及其变压器-CN201922473838.3有效
发明人：黄润成;邓永华;李天笑;王海涛 -专利权人：四川英杰电气股份有限公司;中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种变压器骨架及其变压器，其中，一种变压器骨架包括绕线管，以及与所述绕线管的外侧面相连接的至少两个支撑件，所述绕线管为金属管，且所述绕线管沿其轴线方向设有通槽；每个所述支撑件包括面板和腹板，所述面板和所述腹板形成L形的金属结构件，所述腹板上开设通孔，所述通孔与所述绕线管的外侧面相适配。本实用新型所述的一种变压器骨架，通过L型的金属支撑件来支撑金属绕线管，变压器产生的热量首先传递至金属绕线管，再传递给金属支撑件，最后传递至外界或其他散热设备，起到散热的目的，采用金属结构件和金属绕线管有效增强散热效果，同时，在金属绕线管上设置有通槽，可以有效防止变压器短路。
一种变压器骨架及其

[发明专利]一种静电夹盘表层电荷的中和方法-CN201410562361.5有效
发明人：万磊;倪图强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种静电夹盘表层电荷的中和方法，包括：当待加工处理器件在等离子体反应腔体内处理完成后，将所述待加工处理器件从所述等离子体反应腔体内移除；其中，在所述待加工处理器件加工处理过程中，所述待加工处理器件利用施加在静电夹盘上的第一电压固定在所述静电夹盘上，在所述静电夹盘固定所述待加工处理器件的过程中，在所述静电夹盘的表层积累有第一电荷；向所述静电夹盘上施加第二电压，以加快所述等离子体反应腔体内的等离子体中的电荷与积累在所述静电夹盘表层上的第一电荷的中和速率，其中，所述第二电压与所述第一电压反向。该中和方法加快了静电夹盘表层中电荷的中和速率，提高了生产效率。
一种静电表层电荷中和方法

[发明专利]一种静电吸盘装置-CN201510423110.3有效
发明人：吴狄;户高良二 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种静电吸盘装置，包括：静电吸盘、用于支撑所述静电吸盘的支撑结构以及用于测量静电吸盘温度的光纤温度传感器，所述光纤温度传感器包括传输光纤，所述传输光纤包括相互分离的第一传输光纤和第二传输光纤；当将所述静电吸盘组装到所述支撑结构上时，安装有第一传输光纤的所述静电吸盘的下表面与安装有第二传输光纤的所述支撑结构的上表面相对放置，所述第一传输光纤的第一端与所述第二传输光纤的第一端对接。本发明提供的静电吸盘装置减少了传输光纤被损坏的几率，保证了传输光纤的稳定性，降低了静电吸盘装置的硬件成本。
一种静电吸盘装置

[发明专利]一种带有温度测量装置的等离子处理器-CN201511013095.1有效
发明人：徐朝阳;周旭升;陈妙娟 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子处理装置，包括：反应腔，一基座位于反应腔内下方用于固定基片，一射频电源连接到基座内的下电极，一气体喷淋头位于反应腔顶部，反应腔内包括至少一待测温部件，所述待测温部件包括第一表面面向基座上方的基片，还包括一第二表面位于所述第一表面反面；一个加热板与所述待测温部件的第二表面，于待测温部件相互紧固，所述加热板包括一个通孔，通过内包括一个热偶和包裹在热偶外表面的弹性绝缘材料，所述热偶包括一个第一端与所述待测温部件的第二表面形成第一接触区，同时所述弹性绝缘材料也包括第一端与所述待测温部件第二表面形成环形接触区，所述环形接触区围绕所述第一接触区。
一种带有温度测量装置等离子处理器

[发明专利]聚焦环及其耐腐蚀防护方法-CN201710736818.3在审
发明人：倪图强;贺小明;左涛涛;陈星建 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚焦环及其耐腐蚀防护方法，其位于陶瓷的静电卡盘以及套置有静电卡盘侧密封圈的静电卡盘中间层的外周侧，静电卡盘陶瓷层位于所述静电卡盘中间层上方，静电卡盘中间层位于设置在等离子体蚀刻室中的静电卡盘的基体上方，静电卡盘的基体外周侧设有绝缘环，聚焦环设在绝缘环的上方；晶圆设置在静电卡盘陶瓷层上，覆盖住聚焦环的延伸环的一部分上表面，所述聚焦环设有主环与延伸环；聚焦环整体或部分沉积有抗等离子体腐蚀的涂层。本发明具有增加了聚焦环的使用寿命，稳定等离子体刻蚀工艺，保护静电卡盘，增加了静电卡盘及其他零部件的使用寿命，降低了生产成本的优点。
静电卡盘聚焦环中间层静电卡盘陶瓷层使用寿命绝缘环耐腐蚀延伸环外周密封圈等离子体蚀刻室防护等离子体腐蚀稳定等离子体刻蚀工艺上表面沉积晶圆套置主环生产成本零部件陶瓷覆盖

[发明专利]防止堵塞的气体抽取装置及设置该装置的MOCVD设备-CN201510602068.1有效
发明人：姜勇 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止堵塞的气体抽取装置，以及设置有该气体抽取装置的MOCVD设备。所述的MOCVD设备包含用于放置晶圆的反应腔以及设置在反应腔顶部的进气装置；气体抽取装置设置在反应腔底部，包含：多个抽气孔，沿周向均匀分布开设在气体抽取装置的顶部；多个防护结构，分别对应罩设在每个抽气孔的上方，防止沉积反应物从防护结构顶部落入抽气孔，同时允许工艺气体经过防护结构侧面的通气开口被气体抽气装置抽走。本发明能有效防止沉积反应物堵塞气体抽取装置的抽气孔，使反应腔内气体均匀分布，维持晶圆工艺的一致性，具有高可靠性和稳定性；并能有效延长MOCVD设备的开腔清理周期，提高工作效率，降低使用成本。
防止堵塞气体抽取装置设置 mocvd 设备

[发明专利]抑制刻蚀过程中孔底部出现缺口的方法、孔的形成方法-CN201410421297.9有效
发明人：黄秋平;王红超;严利均;刘身健;倪图强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供抑制孔结构刻蚀过程中孔底部出现缺口的方法，以及孔结构的形成方法。其中，该孔结构的形成方法主要包括以下步骤：(1)、提供基底，所述基底包括待蚀刻材料层与粘附在所述待蚀刻材料层下表面的绝缘层；(2)、异向等离子刻蚀所述待蚀刻材料层，以初步形成孔；(3)、在相对较低的工作气压环境下，继续异向等离子刻蚀，以加深所述孔。至少在所述加深所述孔的工艺结束时，所述绝缘层已能透过所述孔而暴露。
抑制刻蚀过程底部出现缺口方法形成

[发明专利]一种等离子体电弧监测方法及装置-CN201610200486.2有效
发明人：徐蕾;饭塚浩;席朝晖;倪图强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体电弧监测方法，在利用该对静电吸盘的电信号进行电弧的监测时，通过将电信号与第一阈值进行比较，获得第一比较波形，通过将电信号与第二阈值进行比较，获得第二比较波形，由于第一阈值较小，第一比较波形的脉冲具有更长的持续时间，便于获取变化较快的电信号的相对较宽的持续时间，而第二波形是通过与较大的阈值比较后获得波形，也就是说，第二波形中的脉冲代表幅值满足要求的情况，通过这二者的判断，可以去除了电信号微小波动或短暂波动等干扰信号，有效的判断出准确的电弧发生的情况，达到可靠监测等离子体电弧发生的目的。
一种等离子体电弧监测方法装置

[发明专利]等离子体处理装置、基片卸载装置及方法-CN201410628189.9有效
发明人：左涛涛;吴狄;倪图强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置、基片卸载装置及方法，用于降低基片卸载过程中的基片破裂风险。其中的一种实施例的基片卸载装置包括用于承载基片的静电夹盘、设置在基片周边的聚焦环、升举顶针及控制器。基片的边缘部分延伸至聚焦环的上方。聚焦环内设置有通道。升举顶针包括可升降的第一级顶杆，第一级顶杆内设置有可相对于第一级顶杆作升降运动的第二级顶杆。聚焦环内的通道容许第二级顶杆通过，但不容许第一级顶杆通过。控制器用于控制第一级顶杆接触并抬升聚焦环，进而抬升所述基片，实现基片与静电夹盘的脱离；也用于控制第二级顶杆相对于第一级顶杆的上升运动，以使得第二级顶杆穿过通道而作用在基片上并抬升基片，实现聚焦环与基片的分离。
等离子体处理装置卸载方法

[发明专利]一种氮化钽TaN薄膜的刻蚀方法-CN201510418839.1有效
发明人：刘骁兵;刘志强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化钽TaN的刻蚀方法，包括：步骤a、在第一时间段内，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，以使TaN与所述第一刻蚀气体发生界面反应生成第一刻蚀产物；步骤b、在第二时间段内，向反应腔室内通入第二刻蚀气体；步骤c、循环执行所述步骤a和所述步骤b，直至所述TaN完全去除。在本发明提供的TaN刻蚀方法中，其在整个刻蚀过程中，能够保证TaN薄膜不同区域的刻蚀速率均相同，因此，在整个TaN薄膜材料刻蚀结束后，不会出现局部区域出现过刻蚀的现象，不会出现过刻蚀损害TaN薄膜下方的层结构。因此，相较于现有技术的刻蚀方法，本发明提供的刻蚀方法能够提高刻蚀工艺的兼容性和产品的良率。
一种氮化 tan 薄膜刻蚀方法

[发明专利]一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备-CN201610109005.7有效
发明人：罗伟义;刘身健 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器、控制器以及ICP设备，该控制方法包括：获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；计算所述电流比为所述期望值时对应的所述第一电容以及所述第二电容的电容值；根据计算结果调节所述第一电容以及所述第二电容的电容值，使得所述内线圈相对于所述外线圈的电流比为所述期望值。控制方法根据所述第一电容以及所述第二电容的电容值与所述电流比之间对应关系，可以快速确定不同电流比时对应的所述第一电容以及所述第二电容的电容值，根据确定的电容值直接调节第一电容以及第二电容以获取电流比的期望值，进而调节功率分配器的电流，达到调整输出功率相对分配的目的。
一种控制方法射频功率分配器以及 icp 设备

[发明专利]一种电感耦合等离子处理器-CN201511012711.1有效
发明人：龚岳俊;吴狄;黄允文 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种电感耦合等离子处理器，包括：一反应腔体围绕构成气密空间，反应腔体包括：反应腔体侧壁以及反应腔侧壁顶部依次叠放的一气体聚焦环、一上盖环，上盖环上方的绝缘材料窗。所述气体聚焦环包括中心的开口部和外侧的环形部，外侧环形部的上下表面通过环形密封圈与反应腔侧壁顶部以及上盖环实现密封。其特征在于所述上盖环下表面包括多个凹进的空腔，空腔内包括：弹性部件提供向下压力，一顶推部件包括上端连接到弹性部件，所述顶推部件可在弹性部件的驱动下进行上下移动，一限位部件固定到空腔内壁，所述限位部件包括横向延展的阻挡部以限制顶推部件的移动范围。
一种电感耦合等离子处理器

[发明专利]化学气相沉积装置及其沉积方法-CN201510294433.7有效
发明人：幸沛锦;杜志游 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积反应装置，包括：反应室，内部设置基片托盘及旋转轴，基片托盘用以支撑若干基片，进气装置，位于所述基片承载装置上方，用于提供流向基片表面的反应气体，所述进气装置与所述基片承载装置之间形成一反应区域；所述基片承载装置中心区域设置中央排气系统；环绕所述基片承载装置设置环形边缘排气系统；所述每片基片表面的反应气体及副反应气体同时经中央排气系统和边缘排气系统排出反应室外。本发明可以有效调节基片表面的薄膜沉积良率和均匀性。
化学沉积装置及其方法

[发明专利]静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法-CN201410612314.7有效
发明人：叶如彬;浦远;倪图强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法，所述插入环为能够通入和排出流体的中空腔体结构，所述调整方法包括：步骤A、获取插入环的预定介电常数；所述预定介电常数由反应腔体内待加工晶圆上方的等离子体密度及其分布确定；步骤B、根据所述插入环的预定介电常数，选取与所述预定介电常数相对应的流体介电质；步骤C、向所述中空腔体内通入选取的流体介电质。通过本发明提供的调整方法，可以实现插入环介电常数的大幅度且精确调整。
静电外围插入介电常数调整方法

[发明专利]等离子体处理装置及其晶圆边缘处理组件-CN201510985463.2有效
发明人：严利均;余东洋;黄秋平;刘身健;浦远 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于等离子体处理装置的晶圆边缘处理组件，所述晶圆边缘处理组件位于一电感耦合等离子体处理装置的刻蚀腔体内，所述刻蚀腔体内包括设置在底部的基座，基座上方设置有静电夹盘，晶圆设置在所述静电夹盘上；所述晶圆边缘处理组件包含边缘保护环、遮蔽环及阻挡环；所述的边缘保护环覆盖晶圆的边缘位置，所述的遮蔽环设置在边缘保护环的上方，所述的阻挡环设置在遮蔽环的上方，并与刻蚀腔体的内壁连接。本发明同时提供了包含这种晶圆边缘保护组件的等离子体处理装置。本发明可以阻挡过多的刻蚀气体进入到晶圆边缘，提高晶圆表面刻蚀均一性。
等离子体处理装置及其边缘组件

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