“硅单晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果34365个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种太阳能硅单晶的制作方法-CN200910098437.2有效
发明人：徐国六 -专利权人：浙江金西园科技有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能硅单晶的制备方法。目的是提供一种太阳能硅单晶的制备方法的改进，该制作方法应具有节约了资源，降低了生产成本、提高了经济效益；同时利用制备方法制备得到的太阳能硅单晶还具有很好地清洁性、安全性，且寿命较长，具有良好的产品性能。本发明的技术方案：一种太阳能硅单晶的制作方法，其特征在于：利用废弃的多晶硅下脚料作为主要原料来制备太阳能硅单晶，其制作方法包括以下步骤：第一步：首先对多晶硅下脚料进行分类；第二步：将多晶硅下脚料投入坩埚内进行拉制
一种太阳能硅单晶制作方法

[发明专利]磷掺杂硅单晶-CN201780010459.1有效
发明人：泰斯·莱斯·斯维加德;马丁·格莱斯瓦恩吉;克里斯蒂安·伽米洛夫特·辛德里森;苏尼·布·杜恩;安德斯·雷 -专利权人： TOPSIL环球晶圆股份公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及直径至少为175mm且轴向长度在50mm至1000mm范围内的磷掺杂硅单晶，所述磷掺杂硅单晶在横向平面中具有的掺杂剂原子密度为从磷掺杂硅锭切割的晶片提供了5Ωcm至2000Ωcm范围内的目标电阻率(ρNTD)，其中，当在800℃至1300℃范围内的温度下将硅退火之后测量电阻率时，对于至少75％的从磷掺杂硅单晶切割的晶片，获得3％或更小的根据SEMI标准SEMIMF81测定的RRV值，本发明涉及从所述磷掺杂硅单晶切割的晶片或多个晶片，以及涉及制造磷掺杂硅单晶的方法。
掺杂硅单晶

[发明专利]用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置-CN201210189952.3有效
发明人：曾泽斌 -专利权人：曾泽斌
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置，使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置，使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置，这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度，使本发明的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅，解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅，不能加注块状多晶硅的难题。
用于直拉硅单晶炉块状多晶加料装置

[发明专利]一种薄型硅单晶抛光片加工方法-CN200810204445.6有效
发明人：栾兴伟;叶祖超 -专利权人：上海合晶硅材料有限公司
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及薄型硅单晶抛光片的加工方法，其包括以下步骤：步骤一，对硅单晶采用线切割切片；步骤二，采用开槽双面研磨机，其上使用内圆镶软塑胶环的不锈钢行星片，对切片后的硅单晶进行双面研磨；步骤三，采用酸腐蚀减薄工艺本发明通过采用一种新的薄型硅单晶抛光片加工新的技术路线和工艺流程，有效提高薄型硅单晶抛光片TTV、WARP、TIR、STIR等水平和成品率。
一种薄型硅单晶抛光加工方法

[实用新型]碳化硅单晶生长坩埚-CN202120909714.X有效
发明人：王旻峰;张洁;汪良;付芬;邓树军 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制备领域，具体而言，涉及一种碳化硅单晶生长坩埚；碳化硅单晶生长坩埚包括坩埚本体；电加热筒，电加热筒套设于坩埚本体的外部；其中，电加热筒包括第一加热筒和第二加热筒，且第一加热筒和第二加热筒能够沿坩埚本体的高度方向拼接本实用新型的碳化硅单晶生长坩埚能够便于调整碳化硅单晶生长坩埚高度方向上各个部位的加热效率，以提高碳化硅原料的利用率，且提高碳化硅单晶生长速率。
碳化硅生长坩埚

[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置-CN202120838313.X有效
发明人：付芬;张洁;邓树军;汪良 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅制备技术领域；该碳化硅单晶生长装置包括坩埚和底座，坩埚的下方设置有磁性结构，坩埚内用于放置碳化硅粉料，以在加热过程中生成碳化硅单晶；底座与坩埚相对设置，该碳化硅单晶生长装置能够使得坩埚整体在制备过程中相对底座悬浮且旋转，从而使得坩埚不易发生偏斜，进而使得坩埚里的热场对称且均匀，达到均匀长晶热场的目的，继而能保证碳化硅单晶的结晶质量，并使得产出的晶体无偏斜
一种碳化硅生长装置

[实用新型]用于减少硅单晶棒截断崩边的工具-CN200320103212.X无效
发明人：王学锋;吴志强;戴小林;周旗钢;张果虎;万关良;王敬;杨卫国 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2003-11-11 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种加工半导体硅单晶棒截断时，特别是大直径硅单晶棒截断时减少其崩边的工具，用于硅单晶棒的截断。该工具的优点是结构简单，使用方便，减少或避免硅单晶棒被截断时发生崩边的损失，尤其是减少或避免大直径硅单晶棒被截断时发生崩边的损失。
用于减少硅单晶棒截断工具

[发明专利]碳化硅单晶基板及其制法-CN201380052882.X有效
发明人：佐藤信也;藤本辰雄;柘植弘志;胜野正和 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供碳化硅单晶基板及其制法，该碳化硅单晶基板是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的基板，其中，在将基板对半分所得到的某一单侧的半圆区域内产生的螺旋位错比在剩下的半圆区域产生的螺旋位错少其是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的碳化硅单晶基板，其中，在将该基板对半分所得到的单侧的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值为在剩下的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值的
螺旋位错碳化硅单晶基板半圆区域基板碳化硅单晶测定点再结晶切出制法升华生长观察

[发明专利]一种高频高性能声表面波器件及其制备方法-CN201810288040.9在审
发明人：潘峰;傅肃磊;曾飞;王为标;李起;宋成;沈君尧 -专利权人：清华大学;无锡市好达电子有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：所述声表面波器件包括依次叠加的碳化硅单晶衬底、压电薄膜和叉指电极；压电薄膜为钽酸锂单晶薄膜或铌酸锂单晶薄膜；碳化硅单晶衬底为4H‑SiC单晶基片、6H‑SiC单晶基片、3C‑SiC单晶基片或3C‑SiC外延单晶基片。碳化硅单晶基片具有较高的声速、优良的热稳定性和化学稳定性和高热导率；钽酸锂或铌酸锂压电单晶薄膜的晶体质量高、一致性好、传播损耗小，采用叉指电极/钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜/碳化硅单晶衬底结构形式的声表面波器件
声表面波器件碳化硅单晶薄膜单晶基片铌酸锂单晶叉指电极压电薄膜钽酸锂衬底制备移动通讯领域化学稳定性钽酸锂单晶衬底结构传播损耗高热导率功率耐受热稳定性外延单晶温度系数压电单晶一致性好依次叠加中心频率铌酸锂应用

[发明专利]一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法-CN200910301603.4有效
发明人：吴贤富;邓良平;丁国江;万金平;阮光玉;袁小武;徐杰;王洪亮;张学东 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法，依序包括多晶硅提纯与硅单晶成晶两大工艺，其中，多晶硅提纯包括：清炉、装炉，抽空、预热，化料、熔接，生长细颈，放肩，转肩、等径及收尾，重复；单晶硅成晶包括：清炉采用该方法制备硅单晶，能够极大提高所得硅单晶的电阻率、超高纯度、电阻率分布、断面电阻率均匀性以及少子寿命，其纯度达到11N以上，电阻率达到8000Ω.cm～30000Ω.cm，断面电阻率均匀性小于15％，少子寿命大于600～1000μs，从而极大提高器件性能和稳定性、安全性；同时可实现批量生产真空区熔高阻硅单晶。
一种真空区熔高阻硅单晶制备方法

[发明专利]一种碳化硅单晶生长方法-CN201811302567.9有效
发明人：宁秀秀;高超;梁晓亮;李霞;宗艳民;刘家朋;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅单晶生长方法，所述方法包括将原料置于碳化硅单晶生长装置中，加热使得原料升华形成碳化硅单晶的步骤，所述晶体生长装置中设置有含有Si与SiC的混合物或Si粉的Si元素补充装置，所述Si元素补充装置设置于原料的内部，在Si元素补充装置上设有若干通孔；所述Si元素补充装置为钽材料坩埚或镀钽石墨材料坩埚；在晶体生长过程中，Si与SiC的混合物或Si粉可穿过通孔为碳化硅单晶的生长补充Si元素。本申请可以有效的调节在碳化硅单晶生长中生长腔室中的Si/C比例，从而减少单晶生长产生的碳包裹体缺陷以及调节原料区的温度场分布，减少原料的碳化。
碳化硅单晶补充装置生长混合物通孔坩埚晶体生长过程晶体生长装置温度场分布单晶生长生长腔室生长装置石墨材料碳包裹体缺陷原料区碳化加热申请穿过升华补充

[发明专利]一种直拉硅单晶的生产工艺-CN201110199181.1有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶的生产工艺，包括以下步骤：1、硅原料及掺杂剂准备；2、装料；3、抽真空处理；4、熔料；5、熔料后提渣，其提渣过程如下：501、降温结晶；502、逐步升温并维持结晶过程连续进行直至硅熔体表面漂浮的不溶物全部被结晶物凝结住；503、取晶后清渣；6、后续处理：采用单晶炉且按直拉法的常规处理工艺，依次完成引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉工序，并获得拉制成型的硅单晶成品。本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好，能有效保证所生产硅单晶晶体的质量，并能解决现有硅单晶生产过程中存在的除渣时间不易把握、提渣效果较差、所生产硅单晶的纯度较低等实际问题。
一种直拉硅单晶生产工艺

[发明专利]碳化硅单晶的制备装置及其应用-CN201911032080.8有效
发明人：方帅;高超;高宇晗;王路平;王宗玉;张九阳;潘亚妮;宁秀秀;李霞;舒天宇;许晓林;薛传艺 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅单晶的制备装置及其应用，属于单晶的制备领域。该碳化硅单晶的制备装置，其包括坩埚、装料桶和旋转升降单元；坩埚包括上部坩埚和下部坩埚；装料桶包括桶身和开口部，桶身设置在下部坩埚内，开口部与上部坩埚转动连接，装料桶和上部坩埚形成物理气相传输法制备碳化硅单晶的生长腔该制备装置其装料桶在旋转升降的过程中精确、稳定的处于作为发热体的坩埚的中心位置，装料桶截面的各个方向的温度一致使其内部受热均匀，进而避免了制得的碳化硅单晶内产生碳包裹体等缺陷，提高了制得的碳化硅单晶的质量
碳化硅制备装置及其应用

[发明专利]一种碳化硅单晶衬底的加工方法-CN201910651649.2在审
发明人：徐良;阳明益;占俊杰;蓝文安;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅单晶衬底的加工方法。该方法包括下列步骤：先用钻石线对碳化硅单晶制品进行切割，然后采用钻石盘进行研磨，之后用钻石抛光液进行粗抛光，最后经过精抛光得到碳化硅单晶衬底。本发明可在加工效率与平面均匀度之间取得双赢，辅以最后一道化学机械精抛光来达成半导体级表面质量要求，此方法可大大降低加工时间与加工成本，同时也有效的提高碳化硅单晶衬底片的加工良率。
碳化硅单晶钻石精抛光加工衬底表面质量要求半导体级化学机械加工效率研磨衬底片粗抛光均匀度抛光液良率切割

[发明专利]一种微量掺锗直拉硅单晶-CN01139098.0有效
发明人：杨德仁;马向阳;田达晰;沈益军;李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2001-12-06 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明的微量掺锗直拉硅单晶,它含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或锑,浓度为1×1013～1×1020cm－3的锗。这种直拉硅单晶,由于掺杂微量的锗,锗元素的最外层电子数和硅元素一样,都是4个,不会影响硅材料的电学性能,而利用锗和点缺陷(自间隙硅原子、空位)作用,可抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是空洞缺陷,能有效提高硅单晶的质量和成品率
一种微量掺锗直拉硅单晶