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[发明专利]半导体装置及制造方法-CN202080005360.4有效
发明人：小幡智幸 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，所述半导体装置具备含氧的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氧浓度分布在相对于半导体基板的深度方向上的中央靠近上表面的一侧具有氧浓度比半导体基板的下表面的氧浓度高的高氧浓度部。高氧浓度部可以在氧浓度分布中具有浓度峰。半导体基板的深度方向上的晶体缺陷的密度分布可以在半导体基板的上表面侧具有上表面侧密度峰，上表面侧密度峰可以配置于氧浓度为浓度峰的峰值的50％以上的深度范围。
半导体装置制造方法

[发明专利]生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统及其控制方法-CN202010953790.0有效
发明人：解永强;张红梅;柳森娟;徐海涛;王宏杰;杨晓东 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统及其控制方法，解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。包括单晶炉支架（33）、真空泵（36）、充氩气装置、循环水冷装置（37）、电控柜（34）和驱动轴升降驱动装置（38），在单晶炉支架（33）上，分别设置有下炉体（1）和上炉体（3），在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴（23），在伸入到炉体内腔中的驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚（16），在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管（17），设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置（38）机械连接；实现了大直径碲化汞晶体的生长。
生长碲化汞晶体真空高压单晶炉系统及其控制方法

[发明专利]一种区熔单晶小头切除装置及提高切除效率的装置-CN201810517849.4有效
发明人：李伟凡;涂颂昊;郝大维;边智学;刘愿;郭宝川;王遵义;孙晨光;王彦君;孙健 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种区熔单晶小头切除装置及提高切除效率的装置，包括中心固定轴、撞击杆、弹力装置及可前后运动的刀架机构；刀架机构前端设有刀片机构，弹力装置设置在刀架机构后端，中心固定轴与刀架机构转动连接，撞击杆与中心固定轴固接，驱动机构驱动刀架前后运动。本发明所述的一种区熔单晶小头切除装置及提高切除效率的装置，能够在切除单晶小头时不拆炉的条件下，减小单晶小头的切除过程中所产生的粉尘，进而保证炉膛环境满足高品质区熔单晶加工的需求。
一种区熔单晶小头切除装置提高效率

[发明专利]一种光学浮区法制备六方结构Ybx-CN202210241940.4在审
发明人：尚加敏;武安华;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光学浮区法制备六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶的生长方法。所述方法包括以下步骤：根据元素化学计量比称量氧化铁、氧化镱、氧化铟为原料并将其混合均匀，在800‑1200℃预烧结12‑24h，使得原料初步反应形成YbxIn1‑xFeO3而又不形成正交相；将预烧结后的材料等静压成型得到原料棒；将原料棒在1000‑1200℃烧结12‑24h，烧结过程中保持原料棒为水平状态，得到籽晶棒；将籽晶棒作为下料棒，将原料棒作为上料棒，进行晶体生长；晶体生长结束后降温，得到所述六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶。
一种光学法制备六方结构 yb base sub

[发明专利]一种高温合金单晶缺陷的激光熔覆修复方法及修复系统-CN202111419691.5有效
发明人：陈浩;刘德健;陈家辉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明属于高温合金相关技术领域，并公开了一种高温合金单晶缺陷的激光熔覆修复方法及修复系统。该方法包括下列步骤：S1对于材料为高温合金单晶的待修复对象，确定该待修复对象的001晶向；S2在待修复对象上待修复处开槽，利用金属粉末进行激光熔覆逐层填补该槽，以此实现待修复对象的修复，其中，在激光熔覆过程中，离轴热流方向垂直与所述槽中坡面内表面，且所述离轴热流方向与001中角度最近的晶向的夹角不超过30°，以此抑制修复过程中杂晶的生长。本发明还公开了上述修复方法所采用的修复系统。通过本发明，解决高温合金单晶修复过程中易于产生杂晶和裂纹的问题。
一种高温合金缺陷激光修复方法系统

[发明专利]一种垂直区熔炉及利用其制备铋化镁基热电晶体的制备方法-CN202210136462.0有效
发明人：何佳清;胡明远;王江舵 -专利权人：深圳热电新能源科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直区熔炉及利用其制备铋化镁基热电晶体的制备方法，所述垂直区熔炉自上而下依次包括加热模块Ⅰ、隔断层Ⅰ、加热模块Ⅱ、隔断层Ⅱ和加热模块Ⅲ；所述垂直区熔炉中使用的坩埚包括双镀碳石英管或氮化硼坩埚‑石英管联用，能够减缓镁熔体和蒸汽腐蚀，保证晶体生长成功；利用该垂直区熔炉制得的铋化镁基热电晶体尺寸大，具有良好的热电性能和机械性能，且方法简单，易于工业化。
一种垂直熔炉利用制备铋化镁基热电晶体方法

[实用新型]一种光学镀膜材料区域熔炼装置-CN202223520325.1有效
发明人：卢鹏荐 -专利权人：海宁拓材科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光学镀膜材料区域熔炼装置，包括区域熔炼机架和区域熔炼刮平机构，区域熔炼机架和区域熔炼刮平机构相互安装在一起，区域熔炼刮平机构安装在区域熔炼机架的内部，区域熔炼刮平机构内部置入有光学镀膜材料。本实用新型区域熔炼刮平机构在对其内部区域熔炼的过程之前，可以将其内部的光学镀膜材料刮拭，并将其刮平，进而便于光学镀膜材料整体的受热较为均匀，熔炼效果更为一致，其次，刮平所使用的驱动机构为区域熔炼的驱动机构，进而可以在完成反复刮平作业的前提下，降低整体的造价，另外，横移载体板的设计可以避免内部热气的外泄，降低因为刮平而影响到正常的熔炼。
一种光学镀膜材料区域熔炼装置

[发明专利]一种自动进液式液桥生成系统及方法-CN201710320695.5有效
发明人：梁儒全;张元元;肖松;周进林;刘铁 -专利权人：临沂大学;东北大学
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种自动进液式液桥生成系统及方法，所述系统包括液桥生成器，所述液桥生成器包括上桥柱和下桥柱，所述上桥柱由上送气套管和上盘焊接组装，所述下桥柱由下送气套管和下盘焊接组装；所述液桥生成系统还包括进液装置和智能控制终端，所述进液装置位于所述液桥生成器上方，所述进液装置包括储液腔，所述储液腔上设有推进杆，所述推进杆和所述储液腔分别与第一步进电机和第二步进电机连接，所述第一步进电机和所述第二步进电机分别通过第一步进电机驱动器和第二步进电机驱动器与所述智能控制终端相连；所述储液腔下端连接直针管，所述上盘中心设有通孔，所述直针管插入所述通孔中随所述储液腔作上下移动。
一种自动进液式液桥生成系统方法

[发明专利]一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置-CN201510679643.8有效
发明人：孙昊;刘铮;涂颂昊;郝大维;王遵义;刘琨;由佰玲;张雪囡;王彦君 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置，包括炉内底盘，夹持柱和拨柱轴尖；所述炉内底盘为一圆盘，所述圆盘上沿圆周边缘均匀开有若干组夹持柱固定孔，所述圆盘中部开有拨柱轴尖孔；所述拨柱轴尖包括轴尖、拨柱和连接轴，所述轴尖的侧壁顶端固定有拨柱，所述轴尖的下端面固定有连接轴；所述夹持柱包括支撑柱、夹持拨片和夹持片，所述支撑柱安装到所述夹持柱固定孔处，所述夹持拨片位于所述拨柱正下方。本发明所述的用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置结构简单，操作方便，通过夹持片的设置改善了夹持面积，从而改善了夹持的稳定性，减少了因夹持不稳对单晶生长造成的影响，提高了工时利用率，且制造成本较低。
一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统装置

[发明专利]一种溶质浓度毛细对流液桥生成器及其应用-CN201710320775.0有效
发明人：梁儒全;刘铁;肖松;周进林;张元元 -专利权人：临沂大学;东北大学
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种溶质浓度毛细对流液桥生成器及其应用，所述液桥生成器包括上盘和下盘，所述上盘固定安装在支架上；所述上盘内部中心处设有通孔，所述上盘底部沿盘沿设有一圈锥孔；所述液桥生成器还包括微型注液装置和高度调节装置，所述微型注液装置位于所述液桥生成器上方，所述微型注液装置包括微量注射器，所述微量注射器安装在微型注射泵上，所述微型注射泵连接微型注射泵控制器；所述高度调节装置包括微分头，所述微分头安装在所述下盘下方，所述微分头下方连接铜圆台。本发明可以研究两种不同液体接触时，浓度的变化对液桥界面形状产生的影响，综合考虑了浓度和液桥体积比因素对浮区法制备晶体的影响。
一种溶质浓度对流生成器及其应用

[实用新型]一种区熔炉超压报警互锁机构-CN202222822565.0有效
发明人：阿凤雄;杨定永;周凡 -专利权人：云南全控机电有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的一种区熔炉超压报警互锁机构，涉及区熔炉技术领域。该一种区熔炉超压报警互锁机构，包括用于生产加工的炉体和用于控制炉体进行生产加工的超压报警系统，在投料组件上端的密封阀封闭时，炉体正常运转，鼓风组件的密封阀为打开状态，正常为内部的加热组件鼓风降温，在投料组件上端的密封阀打开释放压力或是调节温度时，鼓风组件的密封阀封闭通入循环水降温，形成互锁机构，避免两个密封阀同时打开影响内部产品加工，避免在对炉体降温时，冷却水灌入鼓风组件造成设备损坏，减少事故的发生。
一种熔炉报警互锁机构

[发明专利]一种高性能碲化铋基热电材料的制备方法-CN202211145361.6在审
发明人：唐泽丰;吴永庆;李明;崔博然 -专利权人：杭州大和热磁电子有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及热电半导体材料领域，针对材料纳米化过程中造成额外污染的问题，提供一种高性能碲化铋基热电材料的制备方法，包括下列步骤：1）将碲化铋基合金铸锭进行区熔定向凝固，得到晶棒；2）将步骤1）得到的晶棒进行热变形得到块体材料，变形量大于1，单轴压力下进行热变形，压力方向垂直于区熔晶棒织构方向。本发明通过自上而下的方法，对区熔块体材料进行热变形，避免了材料细化造成的污染，直接在块体材料内引入纳米缺陷，细化晶粒，降低材料热导率，提高材料力学性能和热电性能。
一种性能碲化铋基热电材料制备方法

[实用新型]一种电子束加热制备球状金属单晶的装置-CN202221394232.6有效
发明人：茹亚东;高召顺;左婷婷;薛江丽;伍岳;肖立业;韩立;刘俊标 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子束加热制备球状金属单晶的装置及方法，其中，一种电子束加热制备球状金属单晶的装置，包括真空腔；加热件，呈圆环形结构，设置在真空腔内用于发射电子束；驱动结构，设置在真空腔中用于驱动金属丝沿着加热件中圆环形结构的中轴线移动；高压源，用于为加热件施加负高压促使电子束向金属丝加速运动。本实用新型包括了呈圆环形结构设置在真空腔内的加热件，通过该加热件可以对金属丝360°均匀加热，促使加热效率更高，加热时间更短；并且，呈圆环形结构的加热件的结构更加简单，更易于加工制备。
一种电子束加热制备球状金属装置

[发明专利]一种浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法-CN202210960296.6在审
发明人：王孚雷;孙术博;王东周;周飞 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种利用浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，头部原料为富锂原料，其余部分为化学计量比原料，通过观察原料棒状态，判断当生长室温度达到适合晶体生长时，移动籽晶和原料棒连接到一起，使富锂的原料部分始终集中在热源中心保持熔融，随着晶体生长，化学计量比原料随时补充熔体中组分，使得熔体中组分保持稳定，晶体结晶中的组分才能保持稳定；本发明通过对原料棒结构的优化设计，首次利用浮区法制备得到近化学计量比铌酸锂单晶，晶体组分更接近化学计量比，结晶效率更高；使用少量富锂原料即可完成连续加料所完成的效果，由于原料中大量缩减了昂贵的碳酸锂的使用，极大的降低了生产成本。
一种浮区法生长化学计量铌酸锂晶体方法

[实用新型]一种区熔炉散热装置-CN202221700712.0有效
发明人：田增国;李景哲;朱旭光;陈浩 -专利权人：洛阳德晶智能科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：一种区熔炉散热装置，包括柜体，柜体内部空腔设计，柜体上设有接通其内部的排气孔；壳体，壳体上设有一侧开口的容纳腔，壳体设有多个与容纳腔接通的通孔；排气扇，排气扇可转动的安装在容纳腔内，该装置通过在壳体上设置多个通孔，使得排气扇驱使柜体内气体流动的范围增大，从而便于柜体内部的气体与外界气体交换，进而提高该装置的散热效果，保证柜体内部设备的正常运行，便于石英管的冷却，该装置结构简单，成本较低，适合大规模推广应用。
一种熔炉散热装置

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