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[发明专利]高效合成高质量碳化硅的装置及方法-CN202310666666.X在审
发明人： 余雅俊;陈素春;林骞;占俊杰;徐良;刘建哲;夏建白 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效合成高质量碳化硅的装置及方法，该高效合成高质量碳化硅的装置包括装置本体和石墨盖板，所述装置本体具有顶端敞口的容纳腔，所述容纳腔内沿其高度方向由底部到顶端依次设有第一过滤板和第二过滤板，并通过所述第一过滤板和所述第二过滤板分隔为原料区、过滤区和反应区；所述石墨盖板盖设在所述装置本体的顶端敞口处，用于收集合成的碳化硅晶体。采用该高效合成高质量碳化硅的装置能够合成高质量纯度的碳化硅晶体，同时能够提高合成效率，降低生产成本。
高效合成质量碳化硅装置方法

[发明专利]一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法-CN202111482401.1有效
发明人：陈素春;徐良;余雅俊;占俊杰;孟秀清;阳明益 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温度下形成InN薄膜，所形成的InN薄膜不存在杂质离子混入，质量较高。
一种 sic 衬底形成 inn 薄膜方法

[发明专利]应用于籽晶粘结的热压装置以及籽晶粘接方法-CN202310506982.0在审
发明人： 余雅俊;占俊杰;林骞;徐良;刘建哲;夏建白 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种应用于籽晶粘结的热压装置以及籽晶粘接方法，热压装置包括：底座，所述底座的其中一侧形成有第一环槽，所述底座位于所述第一环槽围设的区域内形成籽晶的承载面；定位环，所述定位环的其中一端形成连接端，所述连接端与所述第一环槽适配；压块，所述压块与所述定位环的内圈相适配，所述压块的其中一侧形成籽晶的接触面。本申请的热压装置可以将籽晶粘结胶水中的气泡由中心向四周逐渐排出，并使籽晶平衡受压，得到籽晶相对底座以及籽晶自身均达到高平整度的粘接结果，使籽晶能够以更平整的方式进行后一步的长晶。
应用于籽晶粘结热压装置以及方法

[发明专利]一种减少图形化衬底灰阶的方法-CN202310310369.1在审
发明人： 余雅俊;占俊杰;林骞;徐良;刘建哲;李京波 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少图形化衬底灰阶的方法，包括：使用预热后的碱液腐蚀所述图形化衬底；将腐蚀后的图形化衬底进行退火处理。该方法通过碱液腐蚀与抽真空退火处理协同配合作用，使得图形化衬底灰阶缺陷的减少取得显著效果。
一种减少图形衬底方法

[发明专利]贴蜡晶片、贴蜡方法及其在改良衬底边缘色差中的应用-CN202310100926.7在审
发明人： 余雅俊;占俊杰;林骞;徐良;刘建哲;夏建白 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种贴蜡晶片、贴蜡方法及其在改良衬底边缘色差中的应用，该贴蜡方法通过在晶片上先形成薄胶层实现贴蜡表面的平整，之后对薄胶层以及蜡层进行抽真空操作的同时加压处理，从而将薄胶层以及蜡层中的气泡抽出，保证表面平整，边缘无塌边现象，边缘色差得以改善，大大提升了贴蜡晶片的质量，同时还提高了工作效率以及还降低了企业成本。
晶片方法及其改良衬底边缘色差中的应用

[发明专利]一种蓝宝石衬底表面加工方法及抛光机-CN202310027334.7在审
发明人： 余雅俊;陈素春;徐良;刘建哲;占俊杰;林骞;夏建白;李京波 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶片加工技术领域的一种蓝宝石衬底表面加工方法及抛光机，蓝宝石衬底表面加工方法包括：用切割线将晶棒切割分成晶圆；对所述晶圆进行双面研磨处理；对所述晶圆进行双面抛光处理，并在抛光时对抛光液PH值、抛头压力和抛光作业温度进行实时监测和调控。本申请在抛光工艺中精确控制抛光过程中的PH值等工艺数据，提高在该过程中的物理化学反应，在整个去划痕抛光工艺中各方面数据保持动态平衡，增强了对蓝宝石衬底表面划痕和坑洞等缺陷的处理，大大提升了蓝宝石衬底的品质。
一种蓝宝石衬底表面加工方法抛光机

[发明专利]一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片-CN202211066901.1在审
发明人：林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片。退火工艺包括以下步骤：S1：将洗净烘干的碳化硅片放置在平铺于退火炉腔室内部的石墨纸上；S2：对退火炉腔室进行抽真空处理直至达到预设压力值；S3：开启退火炉的升温模式并同时向其腔室内通入氮气，温度达到1550‑1600℃时停止通入氮气而开始向其腔室内通入氢气，继续升温直至温度达到2000℃时停止加热并控温保持一段时间，以对碳化硅片进行退火处理；S4：退火完成后，打开经降温通气处理的退火炉的炉门并取出碳化硅片。通过上述工序，不仅可以实现碳化硅片的退火，还可以有效抑制碳化硅片表面发生的碳化反应，确保退火出来之后的片子仍具有很好的质量。
一种碳化硅二段退火工艺碳化硅片

[发明专利]一种晶棒切割系统-CN202211348299.0在审
发明人： 余雅俊;林骞;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料加工领域的一种晶棒切割系统，包括：切削液池；支撑架，所述支撑架安设于所述切削液池上方以用于对晶棒进行固定；驱动轴，所述驱动轴架设于所述切削液池内，所述驱动轴的轴线与所述晶棒的轴线平行；切割线，所述切割线为环形结构并设置有多条，多条所述切割线环绕在所述驱动轴和所述晶棒上并沿驱动轴的长度方向间隔布置；第一距离调节装置，所述第一距离调节装置随晶棒切割深度增加对晶棒与驱动轴之间的间距进行实时调节。本申请提高了晶棒的切割效率，能够得到高质量平面的碳化硅衬底片。
一种切割系统

[发明专利]晶片研磨装置-CN202211234362.8在审
发明人：陈素春;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲;林骞 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本申请涉及蓝宝石新材料技术领域的一种晶片研磨装置，包括：研磨盘，所述研磨盘一侧形成晶片的承载平面；第一轴，所述第一轴位于所述承载平面一侧并与所述承载平面垂直，所述第一轴靠近承载平面边缘处；研磨砂轮，所述研磨砂轮连接于所述第一轴上，所述研磨砂轮包括研磨面，所述研磨面外圈延伸至所述承载平面中心点；固定组件，设于所述基座上，用于将所述晶片固定在所述承载平面上。本申请的晶片研磨装置在保证晶片减薄效率的同时，减少了工艺步骤，降低了崩边碎片发生的可能性，并能满足面型曲圆化晶片的加工。
晶片研磨装置

[发明专利]一种籽晶粘结装置及籽晶粘结方法-CN202211043161.X在审
发明人：占俊杰;余雅俊;徐良;刘建哲;林骞 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种籽晶粘结装置及籽晶粘结方法，籽晶粘结装置包括：底座，所述底座其中一侧形成籽晶的承载面；压板，所述压板其中一侧形成籽晶的施压面；连接件，所述连接件设于压板上靠近底座的一侧，所述连接件使所述施压面与所述承载面保持设定的间距，将所述压板与所述底座连接。本申请的籽晶粘结装置及籽晶粘结方法提升了籽晶的粘结效果，以利于籽晶上结晶生长晶体。
一种籽晶粘结装置方法

[发明专利]平面光波导及其制备方法-CN202110566627.3有效
发明人：徐良;曹力力;蓝文安;刘圣龙;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种平面光波导及其制备方法，该平面光波导包括由下至上依次层叠的基板、纳米热压印胶层、第一包层、波导芯层和第二包层；所述纳米热压印胶层的表面形成有多个凹槽；所述第一包层形成于所述凹槽的侧壁、底壁和所述纳米热压印胶层的上表面；所述波导芯层填充所述凹槽，并且与所述纳米热压印胶层之间由所述第一包层间隔开；所述第二包层作为所述平面光波导的外表面覆盖所述第一包层和所述波导芯层。本发明中的平面光波导通过在基板上设置纳米热压印胶层，并在纳米热压印胶层上形成波导芯层，能够避免使用刻蚀和离子扩散等传统工艺，降低工艺成本，减少污染，进一步推进PLC光器件产业的发展。
平面波导及其制备方法

[发明专利]提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机-CN202111058165.0有效
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机，该提升晶片研磨后平整度的方法包括以下步骤：(1)对晶片表面损伤进行加深处理，形成损伤层；(2)对损伤加深处理后的所述晶片进行退火处理；(3)对退火处理后的所述晶片进行双面研磨，以去除所述损伤层；(4)对双面研磨后的所述晶片进行减薄处理。本发明中的方法能够提升晶片平整度，改善因切割能力不足导致的晶片不平整，同时提升抛光后晶片面型的一致性。
提升晶片研磨平整方法研磨机

[实用新型]一种利用电磁脉冲清除加工屑的装置-CN202123044640.7有效
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春;孟秀清;童雪峰 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种利用电磁脉冲清除加工屑的装置，包括：电磁脉冲发射器，所述电磁脉冲发射器包括支撑结构和设置在所述支撑结构一端的感应线圈；以及电磁脉冲控制系统，所述电磁脉冲控制系统与所述感应线圈电性连接，用于控制脉冲宽度和脉冲间隔。该装置通过在金刚石线锯的一侧设置电磁脉冲发射器，利用电磁脉冲对加工屑进行充分消电离，从而降低加工屑的粘附性，之后利用工作液将加工屑带走，从而确保相邻金刚石线的间隙不被堵塞，避免金刚石线因张力增大而断裂。
一种利用电磁脉冲清除加工装置

[发明专利]籽晶粘接平整装置及籽晶粘接方法-CN202211020292.6在审
发明人：陈素春;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲;林骞 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种籽晶粘接平整装置及籽晶粘接方法，籽晶粘接平整装置包括：籽晶碗，所述籽晶碗为中部镂空的环状结构，其内周与籽晶片相适配；支撑部，安设于所述籽晶碗内周；籽晶盖，可拆卸的连接于所述籽晶碗的其中一个开口上；所述籽晶片平放于所述籽晶盖与所述支撑部之间，所述籽晶片承托在支撑部上，所述籽晶片朝向所述籽晶盖的一侧用于涂抹胶体以与所述籽晶盖相连。本申请通过先固定籽晶片使其平整再注入胶体与籽晶盖相固定的方法，使得得到高平整度的籽晶，提升了籽晶的粘结品质，在后期长晶过程中提高其长晶质量。
籽晶平整装置方法

[发明专利]一种双面抛光晶片的加工方法-CN202210768342.2在审
发明人：林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶片加工技术领域的一种双面抛光晶片的加工方法，包括以下步骤：选取经过单面研磨的晶片；其中，晶片经过单面研磨的面为晶片正面；选用抛光液对晶片正面进行超轻压技术抛光；使用研磨液对晶片背面进行深度研磨；选用抛光液对经过深度研磨的晶片的背面进行化学机械抛光，得到双面抛光的晶片。本申请的加工方法将原先走单抛片路线良品的或不良的晶片进行双抛片工艺再生利用加工，而且由于单抛片加工过程已完成晶片其中一侧即晶片正面的研磨工序，在双抛片加工过程中，只需对晶片正面进行调整、修饰的抛光即可，从而从整体上提升了晶片良率，极大节省了对晶片整体双面抛光的加工时间。
一种双面抛光晶片加工方法

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