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[实用新型]用于硅单晶切磨一体机的万向夹头-CN201320348243.5有效
发明人：曹建伟;石刚;孙明;叶欣;陈明杰 -专利权人：杭州慧翔电液技术开发有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2013-06-15 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉硅单晶棒的开方及研磨一体式加工设备，旨在提供一种用于硅单晶切磨一体机的万向夹头。该万向夹头包括用于与待加工单晶硅棒料端面接触的非金属防滑垫；万向夹头的主体由夹头动块和夹头定块组成类似推力关节轴承的结构，防水用的不锈钢波纹管连接夹头动块和夹头定块的外侧。该产品为硅单晶切磨一体机提供了能同时满足单晶硅棒开方、研磨外圆、研磨平面的加工装夹方式，克服了硅单晶切磨一体机的技术难点。大大提高了单晶硅棒加工的生产效率；减少了人工费用，消除了线开发粘棒所消耗的砂浆物料成本以及此三工序之间的搬运成本；减小了多次装夹造成的尺寸误差。
用于硅单晶切磨一体机万向夹头

[发明专利]单晶硅衬底多结太阳电池-CN200910009001.1无效
发明人：索拉安吉 -专利权人：北京索拉安吉清洁能源科技有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种基于单晶硅衬底的多结太阳电池，用于太阳能发电，特别适用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于，采用硅单晶片为衬底，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料。首先在硅单晶片上生长锗硅合金过渡层，再依次外延生长锗电池结构、铟镓砷电池结构和铟镓磷电池结构。该发明以硅单晶片替代锗单晶片和砷化镓单晶片，可以大大降低多结太阳电池的成本，提高硅基太阳电池的转换效率，加快太阳能发电的应用和发展。
单晶硅衬底太阳电池

[发明专利]一种N型太阳能硅单晶料的制备方法-CN201310218633.5无效
发明人：施承启;李超 -专利权人：卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型太阳能硅单晶料的制备方法，包括如下步骤：加料、熔化、缩颈生长、放肩生长、等径生长和收尾。本发明在N型太阳能硅单晶料制备过程中直接观察制备情况，为控制硅单晶料的外形提供了有利条件，利用控制提拉速度控制晶体的直径，能够精密控制生长条件，以较快的速度获得优质大单晶，并且采用了缩颈工艺，对降低晶体的位错密度
一种太阳能硅单晶料制备方法

[发明专利]气相掺杂区熔硅单晶的生产方法-CN201310058352.8无效
发明人：刘铮;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;王遵义;涂颂昊;乔柳;冯啸桐;孙昊 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明提供一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法，其特征在于：在等径保持生长过程中，单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转，所述一个旋转周期包括两个以上的旋转阶段，所述每个旋转阶段包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转本发明的有益效果是：有效降低了气相掺杂区熔硅单晶的RRV值并提高了气相掺杂区熔硅单晶的合格率。
掺杂区熔硅单晶生产方法

[发明专利]一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法-CN201310058517.1无效
发明人：刘铮;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;王遵义;涂颂昊;乔柳;冯啸桐;孙昊 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明提供一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法，其特征在于：在等径保持生长过程中，单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转，所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转，所述顺时针旋转的旋转角度和所述逆时针旋转的旋转角度不同本发明的有益效果是：有效降低了区熔气相掺杂硅单晶的RRV值并提高了区熔气相掺杂硅单晶的合格率。
一种区熔气相掺杂硅单晶生产方法

[实用新型]一种半导体单晶炉对中辅助测具-CN202321190670.5有效
发明人：马四海;马青;马先松;见亚军;张笑天 -专利权人：安徽易芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01B5/252 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体单晶炉对中辅助测具，包括内衬架，内衬架由多个共中心交叉固定一体的长度相同的直杆构成，且各个直杆的中心位置设有孔，每个直杆一侧侧面两端位置分别固定连接有固定座，每个固定座中分别贯穿安装有多个调节件本实用新型可在硅单晶棒装入硅单晶炉之前对硅单晶棒进行对中测量，具有对中中心点精度高、通用性良好、校准方便、操作便捷的优点。
一种半导体单晶炉辅助

[发明专利]提拉单晶的装置及方法-CN98101022.9有效
发明人：维尔弗里德·冯·阿蒙;汉斯·奥尔克鲁格;埃里希·多恩贝格尔;弗朗茨·泽吉特 -专利权人：瓦克硅电子股份公司
申请日： 1998-03-16 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一种提拉硅单晶的装置，包括一个元件，该元件环绕在晶化界面上生长的单晶，并有一个面朝单晶的表面。该元件基本上在与晶化界面相同水平面上围绕单晶并具有反射单晶辐射出的热辐射或发出热辐射的性能。本发明还涉及一种提拉硅单晶的方法，其中该单晶受到所采用的一个围绕它的元件的热影响。
提拉单晶装置方法

[发明专利]一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法-CN200910027873.0无效
发明人：陈宝昌 -专利权人：扬州华尔光伏科技有限公司
申请日： 2009-05-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法，该方法突破了单晶硅片直径的限制，从目前的8英寸向12英寸发展；降低单晶硅片中氧碳元素的含量，提高单晶硅片的电学性能，该方法包括以下步骤：1、采用高纯多晶硅原料；2、使用高纯涂层石英坩埚，最大限度阻隔氧元素的析出渗入熔硅中反应生产新的杂质；3、在高纯氩气和高规格热场环境下生长硅单晶；4、采用直拉式单晶炉制备大直径硅单晶；5、对硅单晶进行切方、滚圆处理；6、采用碱腐工艺去除单晶表面损伤层；7、利用多线切割机，辅以切割线、碳化硅和切削液进行切片加工，生产出超过薄低氧碳的高效单晶硅片。
一种直径低氧太阳能单晶硅制备方法

[发明专利]一种硅单晶炉-CN201610514477.0在审
发明人：崔敏娟 -专利权人：崔敏娟
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种硅单晶炉，包括炉体，所述炉体的一侧设置有抽真空口，炉体内位于其下部设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨钳锅，所述石墨钳锅的外侧设置有加热器，所述加热器与电极相连，所述石墨钳锅内设置有石英钳锅所述一种硅单晶炉通过在导流筒的上部增设冷却筒，起到加速冷却硅单晶的作用，进而可以提高硅单晶向上提拉的速度，从而提高生产效率，结构简单、易于实现。
一种硅单晶炉

[发明专利]一种碳化硅单晶抛光液及其使用方法-CN202110199487.0在审
发明人：姚恒;李光 -专利权人：中山荣拓智能装备有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶抛光液及其使用方法。本发明的碳化硅单晶抛光液包括以下原料：过氧化氢、磨料和助剂；其中，所述磨料由二氧化硅、氧化铝和金刚石微粉构成；所述二氧化硅的粒径为10nm～30nm；所述氧化铝的粒径为50nm～100nm；所述金刚石微粉的粒径为小于该抛光液利用不同粒度的抛光磨料，实现了对碳化硅单晶表面的有效抛光，实现了碳化硅单晶表面粗糙度Ra均达到亚纳米级。
一种碳化硅抛光及其使用方法

[发明专利]一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用-CN202011535254.5在审
发明人：刘春俊;姚静;雍庆;娄艳芳;赵宁;王波;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶片，且含有氮；碳面中的氮浓度低于硅面中的氮浓度，且氮浓度在晶片厚度方向上，随着距碳面的距离的增大而增加。本发明中的碳化硅单晶晶片能够保证向碳面凸起弯曲。此种向碳面凸起弯曲的结构在晶体切割和晶片加工过程中得以保留，并与加工应力抵消，可获得残余应力较小的碳化硅单晶晶片，同时有利于减小晶片位错，还保证了外延层的缺陷密度在较低水平。本发明还提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶的制备方法及应用。
一种质量缺陷碳化硅制备方法应用

[发明专利]掺杂氮的退火晶片的制造方法以及掺杂氮的退火晶片-CN02801855.9有效
发明人：饭田诚;玉塚正郎 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2002-05-22 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其在对由掺杂氮的硅单晶切削、并至少经过研磨的晶片在氩、氢或其混合气体环境下实施1100～1350℃的高温热处理前，通过进行在小于前述高温热处理的处理温度温度滞留的工序据此，提供不受掺杂于硅单晶的氮浓度影响，从硅单晶的各部位切削而成的硅单晶晶片中的退火后的BMD密度的误差可被缓和。
掺杂退火晶片制造方法以及

[发明专利]硅外延晶片的制造方法-CN200480033665.7有效
发明人：高见泽彰一;佐山隆司 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：对于硼、砷或磷作为掺杂物添加至1×10¹⁹/cm³以上的浓度、并在背面形成了CVD氧化膜1的硅单晶衬底PW，一边使CVD氧化膜1残存一边通过氢氟酸处理来湿蚀刻硅单晶衬底其次，在氢气中在950℃以下烘烤硅单晶衬底PW，干蚀刻硅单晶衬底PW的主表面上的自然氧化膜(步骤S7)。
外延晶片制造方法

[发明专利]具有多层结构的石英玻璃坩埚-CN200910003377.1有效
发明人：小玉真喜子;森川正树 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚，其即使在制造(提拉)大型化的硅单晶时，也可抑制熔融硅的局部温度偏差，制造(提拉)均匀的硅单晶。硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其从坩埚内表面侧至外表面侧至少具有透明层、半透明层和不透明层，其中，透明层气泡含有率小于0.3％，半透明层气泡含有率为0.3％～0.6％的范围，不透明层气泡含有率大于0.6％。
具有多层结构石英玻璃坩埚

[发明专利]半导体薄膜的制造方法和采用所述薄膜的磁电转换元件-CN01121978.5有效
发明人：植田雅也;佐藤友春;西川雅永 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2001-06-22 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：将硅单晶衬底的温度升至270℃～320℃,用电子束加热型真空蒸发法形成铟缓冲层,接着形成由锑与铟组成的原始籽晶层。将硅单晶衬底的温度升至460℃～480℃,之后设置一段由硅单晶衬底预定的温度函数近似算出的保持时间,于是形成了由锑与铟组成的主生长层。
半导体薄膜制造方法采用磁电转换元件