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[发明专利]一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置-CN202010777544.4在审
发明人：李帅;赵建国;李乃庆 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置，所述检测方法包括以下步骤：用光源照射碳化硅晶体，检测碳化硅晶体的透光波长，比较所述透光波长与标准颜色波长范围的大小，根据比较结果判断电阻率是否合格；所述标准颜色波长范围是电阻率合格的标准碳化硅晶体用同一光源照射后具有的透光颜色波长的数值范围。本申请提供的碳化硅晶体的电阻率检测方法和装置，具有很高的精确性，并且步骤简单，可操作性强，对测试环境要求低，适用生产现场，能够减轻精密检测步骤的工作量和成本，提高生产效率，特别是为采用物理气相传输法制备的高纯碳化硅晶体的电阻率初步评价提供参考依据。
一种高纯碳化硅晶体电阻率检测方法装置

[发明专利]一种无污染测量石墨坩埚体积密度的方法及装置-CN202010716237.5在审
发明人：蒋文广;张红岩;周国顺;黄长航;王秀平;王永方 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01N9/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种无污染测量石墨坩埚体积密度的方法和装置，其中方法包括以下步骤:(1)在杠杆式衡器的杠杆两端平衡状态下，将石墨坩埚和标准件分别放置于杠杆两端的密闭容器中；(2)使杠杆式衡器的杠杆两端再次平衡，获得石墨坩埚和标准件的质量差值Δm；分别向杠杆两端的密闭容器中充入等物质的量的非活性气体，计算获得石墨坩埚和标准件的体积差值ΔV；(3)计算获得石墨坩埚的体积密度。本申请提供的石墨坩埚的体积密度测量方法和装置，测量过程不污染石墨坩埚，测量数据更准确，并且测量精度高，灵敏度好，在无需移动样品的情况下一次即可得出质量差值和体积差值，简单高效。
一种无污染测量石墨坩埚体积密度方法装置

[发明专利]一种提升高纯碳化硅粉料合成效率的方法-CN201811302559.4有效
发明人：李加林;李宏刚;李长进;刘家朋;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本申请公开了一种提升高纯碳化硅粉料合成效率的方法，所述方法包括如下步骤:S1、将高纯碳粉和高纯硅粉混匀，获得原料；S2、将所述原料置于坩埚的腔室中，按照高温自蔓延法反应合成高纯碳化硅粉料。在所述合成高纯碳化硅粉料过程中，使用高纯硅烷与所述高纯碳化硅粉料发生碳化后的碳颗粒反应再次形成高纯碳化硅粉料；所述坩埚还具有双层腔室壁、双层腔室壁侧壁设有开孔、腔室壁底角部为圆弧形设计。本发明方法使获得高纯碳化硅粉料的过程快捷易操作，且可有效抑制粉料碳化，大大提高合成效率，降低成本。
一种提升高纯碳化硅合成效率方法

[发明专利]一种pH稳定性提高的碳化硅化学机械抛光液及其应用-CN201811303460.6有效
发明人：窦文涛;宗艳民;梁庆瑞;王含冠;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种pH稳定性提高的碳化硅化学机械抛光液，所述抛光液包括：氧化剂、高硬度磨料和pH稳定剂，所述pH稳定剂为硝酸铝。本发明的抛光液在进行化学机械抛光过程能很好的保持pH值的稳定性，并且抛光液的分散稳定性好且分散均匀。本发明由于在抛光液中加入了pH值稳定剂硝酸铝，使得该抛光液在进行化学机械抛光过程中的pH值稳定性更强，并且抛光液不容易发生硬团聚。本发明的抛光液对环境无污染，可以采用循环供料的方式使用。
一种 ph 稳定性提高碳化硅化学机械抛光及其应用

[发明专利]一种高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底的快速制备方法-CN201811205285.7有效
发明人：梁庆瑞;王含冠;王瑞;时文灵 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底的快速制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：对单晶碳化硅进行全固结磨料加工，然后再进行化学机械抛光处理，获得所述高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底；其中，所述固结磨料加工包括线切割和砂轮研磨，在所述切割线上固结磨料颗粒，在所述砂轮上固结磨料颗粒。通过本发明的制备方法制得的单晶碳化硅衬底的表面粗糙度、细小划痕die占比、pit占比、bump均较低，且面型数据好，厚度偏差小、弯曲度小、翘曲度小。
一种平整损伤碳化硅衬底快速制备方法

[实用新型]一种坩埚组件及碳化硅粉料合成炉-CN201922370143.2有效
发明人：李加林;李斌;张红岩;高超;刘家朋;李长进 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： F27B14/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种坩埚组件及碳化硅粉料合成炉，属于半导体材料制备领域。该坩埚组件包括坩埚和导流件，所述坩埚设置一级进气孔；所述导流件设置在所述坩埚形成的坩埚腔内，所述导流件包括设置多个二级进气孔的进气板和分别与所述二级进气孔连通的多个多孔导流管；所述进气板将所述坩埚腔分成缓冲腔和合成腔，原料气进入一级进气孔后沿着缓冲腔、二级进气孔和多孔导流管的路径从多孔导流管的孔隙流至合成腔，并与合成腔内固体原料反应。该坩埚组件及合成炉用于气固合成粉料如碳化硅粉料的粒度不仅均匀，而且可以控制制得特定粒径的粉料。
一种坩埚组件碳化硅合成

[实用新型]一种打孔装置-CN201922163896.6有效
发明人：邱兴鲁;刘星;侯文海;张亮;沈安宇 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B23B41/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种打孔装置，包括卡盘、导向机构和打孔电机。其中，卡盘包括卡盘主体和与卡盘主体连接的套筒，卡盘主体包括朝远离套筒方向延伸的延伸壁，该延伸壁可卡设于待打孔工件外周，套筒内壁具有螺纹；导向机构包括支柱和支撑板，支柱安装于卡盘主体，支柱与套筒轴向平行，支撑板具有电机安装孔和与支柱间隙配合的通孔；打孔电机可选择地安装于电机安装孔，其输出轴连接有钻头杆，该钻头杆外壁具有与套筒内壁适配的螺纹。本实用新型的打孔装置，由于套筒和支柱、支撑板的限位作用，使得在打孔过程中，避免由于打孔电机振动造成的打孔位置偏移的问题。
一种打孔装置

[实用新型]一种带压力反馈的压合装置-CN201922230716.1有效
发明人：高立志;宋建;史建伟 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带压力反馈的压合装置，其包括：支架、旋转固定座、丝杆、限位座、压合块、压力传感器和显示面板。在支架上设有沿压合方向贯穿的安装孔。旋转固定座为套筒结构且设有内螺纹，旋转安装于安装孔中。丝杆与旋转固定座螺纹连接。限位座固定于支架，套设于丝杆，限位座限制丝杆相对于支架旋转，以使旋转固定座旋转时，丝杆沿压合方向直线运动。在丝杆的端部固定压合块，丝杆与压合块之间固定压力传感器，压力传感器的信号输出端连接显示面板。本实用新型提供的带压力反馈的压合装置具有能够将压力量化，精准反馈压力，还能有效地评估压合效果等优点。
一种压力反馈装置

[实用新型]一种传感器组件的携带箱及测量箱-CN202020015148.3有效
发明人：高立志;宋建;孔祥孟;周敏;姜兴刚 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B65D25/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种传感器组件的携带箱及测量箱，传感器组件包括显示单元和多个传感器，各传感器的线缆能够连接于显示单元，携带箱包括箱体和能够盖合箱体的箱盖，箱体沿布置方向分隔有用于放置显示单元的第一放置区，和用于放置传感器的第二放置区，布置方向垂直于箱盖的盖合方向。其中，第一放置区由朝向所述箱盖侧开口的第一容置腔构成，第一容置腔的侧壁开设有能够定位显示单元的显示屏的显示窗口，且第一容置腔的侧壁中，沿布置方向延伸的相对侧壁分别开设有接线孔，第二放置区具有第二容置腔，第二容置腔沿布置方向延伸的相对侧壁分别开设有放置窗口。携带箱可保证传感器组件合理的配置在箱体内部，方便传感器组件的运输和测量。
一种传感器组件携带测量

[实用新型]一种导轮总成治具-CN202020037763.4有效
发明人：高立志;宋建;刘乐乐;周敏;姜兴刚 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导轮总成治具，该治具包括承载体，承载体具有承载面；承载面从其边缘向内侧延伸开设有第一限位槽，承载体沿第一限位槽的延伸方向还开设有与第一限位槽连通的通孔，第一限位槽与通孔的内壁开设有沿两者的轴向延伸并与承载体的外表面相通的间隙，间隙的间距在外力的作用下可变；承载面具有垂直于承载面延伸的轴承拆卸槽，轴承拆卸槽的内壁沿周向凸设有竖向限位部。该治具可在对导轮总成进行拆解过程中对其进行有效的固定，降低导轮总成的拆解难度，提高对导轮总成的拆解效率。
一种导轮总成

[实用新型]一种晶锭的配置装置-CN201922387431.9有效
发明人：薛传艺;宋建;宋金鑫;丁峰;刘先哲;郑荣庆;高立志;刘伟 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶锭的配置装置，包括定心盘、升降平台、加热装置。其中，定心盘的一个表面上开设有放物孔，且定心盘的该表面还滑动设置有多个推块，各推块的滑动方向指向放物孔；升降平台滑动地设置在放物孔内；加热装置用于加热置放于升降平台的物料。推块能够随着定心盘的转动向定心盘的中心移动，从多个方向接触晶锭，将晶锭推至定心盘的中心并对其固定，将粘结剂放入工装中，工装放在平台上，加热装置加热，热融的粘结剂可以充分填充晶锭与工装之间的孔隙，工作效率更高，而且粘合时定心更加精准。
一种配置装置

[实用新型]一种清理装置-CN201922422103.8有效
发明人：刘星;王大伟;周国顺;黄长航;王秀平;王永方;蒋文广 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： B08B9/087 文献下载
摘要：本申请公开了一种清理装置，包括支撑柱、旋转件和清洁部，清理装置的旋转件滑动地设置于支撑柱，以沿支撑柱移动，并能够绕支撑柱旋转；清理装置的清洁部包括连接于旋转件的伸缩杆，伸缩杆远离旋转件的一端为清洁端，随旋转件旋转的伸缩杆的清洁端能够沿离心方向相对于旋转件移动。该清理装置可对炉膛进行全范围的清理，并能够完成不同尺寸炉膛的清理工作。相比于人工作业，大大提高了工作效率；且能有效的避免繁琐的人工作业引入的杂质问题，制作成本低，经济适用性强。
一种清理装置

[实用新型]一种升降托盘及下装炉式加热炉-CN202020015149.8有效
发明人：薛传艺;周敏;姜兴刚;蒋文广;王永方;王秀平 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： F27D3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种升降托盘及下装炉式加热炉。其中，升降托盘包括底座、固定支撑架、升降架和装卸架，固定支撑架设置在底座上，固定支撑架上表面设置有凹型槽，凹型槽上开设有通孔，固定支撑架与底座之间形成安装空间；升降架能够沿通孔在举升位置与回收位置之间移动，在举升位置处，升降架的上表面高于固定支架的上表面，在回收位置处，升降架能够嵌入凹型槽内，升降架下部能够与升降驱动装置可拆卸地连接；装卸架设置在底座上且位于安装空间中，能够可拆卸地安装升降驱动装置。本实用新型提供的升降托盘在进行下部装炉时，能够使用叉车进行操作，使装炉变得简单、省力。
一种升降托盘下装加热炉

[实用新型]一种涂抹装置-CN201922177715.5有效
发明人：马学章;周敏;周国顺;黄长航;王秀平;王永方;蒋文广 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B05C3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种涂抹装置，包括第一盒体和第二盒体，第一盒体具有第一表面，第一表面开设有第一凹槽，第一盒体还包括存储部，第一凹槽具有与存储部相连通的第一开口。第二盒体与第一盒体相铰接，第二盒体具有第二表面，第二表面能够与第一表面相抵接，第二表面开设有第二凹槽。处于抵接位置时，第一凹槽和第二凹槽能够围成涂抹腔，且涂抹腔能够与涂抹装置的外部相连通。本装置在很大程度上减少了手部与工件的直接接触，无需通过PE手套将密封脂涂抹在O型圈上，因此可以避免打滑的情况发生，同时也能够减少O型圈破损和长晶炉腔体的污染，且能够使得密封脂均匀地涂覆在O型圈表面。此外，本装置结构简单、操作便宜，且成本低廉、易于加工制造。
一种涂抹装置

[发明专利]一种制备高质量单晶碳化硅的装置及其应用-CN201811302576.8有效
发明人：李霞;高超;梁晓亮;宁秀秀;李长进;宗艳民 -专利权人： 山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种制备高质量单晶碳化硅的装置，其特征在于，所述装置包括：至少第一坩埚和第二坩埚、至少两个加热元件以及保温结构；其中，所述至少两个坩埚相互连通；每个坩埚对应至少一个加热元件；每个坩埚的加热是独立控制的；所述第一坩埚用于单晶碳化硅晶体的生长，所述第二坩埚用于硅气氛的补充。本发明还提供了一种制备高质量单晶碳化硅的装置的应用。采用本发明制备装置，在碳化硅晶体生长阶段中后期，可为长晶用的坩埚提供硅气氛补充，可减少甚至消除晶体碳包裹体的形成。
一种制备质量碳化硅装置及其应用

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