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[实用新型]一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置-CN202222160073.X有效
发明人：卜俊恩;崔海;谢莉华;谭思佳;谢姗 -专利权人：安徽研泠科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置，包括设置在生长炉内的保温壳，保温壳内设置有生长坩埚、坩埚盖和板型电阻加热器，生长坩埚通过螺钉固定安装在坩埚盖的底部，所述坩埚盖的顶部固定安装有竖轴本实用新型设计合理，实用性好，能够控制生长坩埚水平转动，能够使得生长坩埚内碳化硅单晶的生长温度更为均匀，并且能够根据碳化硅单晶生长的速度，对生长坩埚的高度位置进行调节，可保证生长坩埚内碳化硅单晶生长点的高度保持不变，进而有利于碳化硅单晶生长缺陷的抑制，能够制得大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶，提高了碳化硅单晶的生产质量。
一种尺寸缺陷密度碳化硅生长装置

[发明专利]外延碳化硅单晶基板及其制造方法-CN201280008889.7有效
发明人：蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克;伊藤涉 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种在碳化硅单晶基板上具有堆垛层错少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板及其制造方法。是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上、以合计低于10个/cm2地含有通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的方式、在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延层生长而得到的外延碳化硅单晶基板，本发明的制造方法是形成外延层时所用的硅系的材料气体为氯硅烷、同时碳系的材料气体为烃气体、在1600℃以上且1700℃以下的生长温度下，通过使C/Si比在0.5以上且1.0以下、生长速度在1μm/小时以上且3μm/小时以下来形成外延层的外延碳化硅单晶基板的制造方法
外延碳化硅单晶基板及其制造方法

[发明专利]一种实现N+单面扩散的结构及其方法-CN201710543091.7在审
发明人：潘建英;沈怡东;王成森;沈广宇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现N+单面扩散的结构，它包扩两片直径相同的硅单晶片和SIO2乳胶，硅单晶片的一侧设有N+扩散层，硅单晶片的另一侧设有N‑保留原始单晶层，两片相同直径的硅单晶片通过SIO2乳胶粘接。本发明还公开了一种实现N+单面扩散的方法，两片相同直径的硅单晶片通过SIO2乳胶将两片进行粘接，通过高温氧化处理后加固使两片直径相同的硅单晶片的其中一面紧密粘接在一起，通过扩散进行N+掺杂形成N+扩散层，由于两片硅单晶片的粘接面紧密粘接在一起，有效阻止了该面进行N+扩散，故该面无法形成N+扩散层，从而实现N+单面扩散，本发明的优点是通过本发方法免去了芯片制程中去除单面无效N+扩散层的全部过程，同时，由于实现了单面N+扩散，大幅提升硅单晶片在芯片制程中的利用率，从而大幅降低生产成本。
一种实现单面扩散结构及其方法

[发明专利]一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法-CN202310804382.2在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;龙安泽;吴志亮;黄宏嘉;陈善亮;杨祚宝;王霖;花俊;汪群华 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法，所述方法：将表面具有多孔结构的碳化硅单晶浸泡于溶有所需掺杂的物质的乙醇溶液或水溶液或乙醇水混合溶液中，浸泡完成后，再经烧结处理即得到掺杂碳化硅单晶。采用该方法获得的掺杂碳化硅单晶，其掺杂均匀。
一种溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅方法

[发明专利]一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒-CN201010565419.3无效
发明人：李留臣 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽。本发明直拉式硅单晶生长炉用导流筒结构简单，设计合理，使用安全，能有效提高硅单晶的生长效率，可广泛适用于直拉式硅单晶生长设备中。
一种直拉式硅单晶生长导流

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201980017792.4在审
发明人：池田均;松本雄一;高桥亨 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合，并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料，进行热处理并烧结，在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜后使碳化硅单晶生长、或一边在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜一边使碳化硅单晶生长。由此提供一种减少了碳内含物的碳化硅单晶的制造方法。
碳化硅制造方法

[发明专利]一种区熔硅单晶的拉制方法-CN201310378948.6无效
发明人：乔柳;张雪囡;张长旭;孙健;李立伟;王彦君 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种区熔硅单晶的拉制方法，包括装炉、化料、引晶、细颈生长、放肩、等径生长、收尾、冷却、拆炉等过程，在对多晶硅进行加热前，向区熔炉内充入氩气和氮气的混合气体，其中氮气与氩气的体积比为0.05%-本发明在有效防止高温下气体电离造成的线圈打火击穿的同时，降低了硅单晶的生产成本；氮原子可降低区熔硅单晶的缺陷密度，钉扎晶体中的位错移动，能够增加区熔硅单晶的机械强度，从而提高后续器件的性能；可以通过调整氩气的比例得到不同机械性能的硅单晶，有利于扩大硅单晶的应用范围及领域。
一种区熔硅单晶拉制方法

[发明专利]碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法-CN200980120925.7有效
发明人：小柳直树;小古井久雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制从籽晶与石墨的界面发生的晶体缺陷，再现性好地制造晶体缺陷密度低的高品质的碳化硅单晶的碳化硅单晶生长用籽晶。作为这样的碳化硅单晶生长用籽晶，是安装在填充有碳化硅原料粉末的石墨制坩埚的盖上的碳化硅单晶生长用籽晶(13)，使用由一面作为采用升华法使碳化硅单晶生长的生长面(4a)的由碳化硅构成的籽晶(4)、和形成于所述籽晶(4)的所述生长面的相反侧的面(4b)上碳膜(12)构成，且所述碳膜(12)的膜密度为1.2～3.3g/cm3的碳化硅单晶生长用籽晶(13)。
碳化硅生长籽晶及其制造方法

[发明专利]一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法-CN201710519884.5在审
发明人：潘建英;沈怡东;王成森;沈广宇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法，包扩原料N型硅单晶片（1），预沉积后高浓度N+层（2），推结后高浓度N+扩散层（3），粘片工装（4），由N型硅单晶片粘片后形成的硅片棒（5），一次成型N型单晶片（6），二次成型N型硅单晶片（7），二次成型N型硅单晶片（7）可作为半成品直接用于二极管芯片的接下来的其它制程，本发明的优点是免去了二极管芯片制程中去除单面无效N+层的全部过程，同时获得设有高浓度N+扩散层（3）的二次成型N型硅单晶片（7），大幅提升N型硅单晶片（1）在二极管芯片制程中的利用率，并且获得高浓度N+层，保证N型硅单晶片（7）的串联电阻，既保持了二极管衬底层质量，又大幅降低生产成本。
一种用于二极管芯片制程中扩散方法

[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用-CN201910631402.4在审
发明人：高超;宁秀秀;李霞;刘家朋;李加林;李长进;窦文涛;梁晓亮 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用，属于半导体材料领域。本申请以具有孔道结构的碳化硅多晶块制备碳化硅单晶的长晶效率高，制得的碳化硅单晶的质量高、纯度高；利用同一籽晶可以同时生长两块碳化硅单晶锭，两块单晶锭的质量相似、长晶成本低、长晶效率高，长晶路径短、气相传输路径容易控制；通过控制碳化硅单晶的长晶压力变化和压力值，避免了由于碳化硅多晶块的致密性而导致制备高纯半绝缘碳化硅单晶的形核紊乱，提高了碳化硅单晶的长晶质量。
碳化硅单晶孔道结构半绝缘碳化硅单晶多晶块碳化硅高纯籽晶制备高效制备气相出口气相传输半导体材料领域一端设置单晶锭致密性形核申请紊乱应用组装生长

[发明专利]碳化硅单晶块的制造方法和碳化硅单晶块-CN201680009053.7有效
发明人：谷小桃;矢野孝幸;藤本辰雄;柘植弘志;龟井一人;楠一彦;关和明 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。
碳化硅单晶块制造方法

[发明专利]一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法-CN201710827866.3有效
发明人：肖武坤;刘巍;张辉;罗文博;解新建;张雪囡;陈贵锋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法，包括如下步骤：A、对中子辐照掺杂后的区熔硅单晶进行腐蚀清洗表面；B、将清洗干净的硅单晶进行表面钝化处理；C、将钝化处理后的硅单晶装进通入氮气氛围的退火炉石英管中，进行较快速率的退火处理；D、关闭氮气流量阀，开启氧气流量阀，对单晶进行退火处理；E、关闭氧气流量阀，从石英管中取出硅单晶，酸洗去除氧化层，再喷砂测试单晶电阻率及少子寿命。通过本发明方法退火后的NTD区熔硅单晶，可以有效的反应出电阻率的真实值，并且经过多次退火，单晶电阻率不会发生较明显的改变，并且单晶的少子寿命得到明显的提高。
一种恢复 ntd 单晶硅真实电阻率退火方法

[发明专利]一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构-CN201811303468.2有效
发明人：高超;刘家朋;李长进;李加林;刘鹏飞;孙元行;李宏刚;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备碳化硅单晶的可调节热场结构，属于碳化硅单晶的制备领域。该制备碳化硅单晶的可调节热场结构包括：坩埚，放置用于生长碳化硅单晶的原料；加热装置，加热所述坩埚；所述坩埚外部至少套设一个可沿坩埚轴向移动的套环。本申请的可调节热场结构在坩埚外侧增加螺纹及配套的套环，实现坩埚发热区的快速转换，能够快速便捷的实现热场的调整，同时大大降低碳化硅单晶的制造成本。
一种用于制备碳化硅调节结构

[实用新型]一种碳化硅单晶生长用坩埚与装置-CN202022781982.6有效
发明人：方帅;高宇晗;高超;石志强;杨世兴;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚与装置。所述坩埚包括侧壁、底部和由所述侧壁和底部围成的内腔，所述内腔用于物理气相传输法生长碳化硅单晶，所述侧壁的至少部分设为透气性石墨材料，所述透气性石墨材料用于向所述碳化硅单晶处渗透氮气。本申请坩埚及装置在调节或提高大尺寸N型碳化硅单晶掺氮量的分布均匀性、电阻率的分布均匀性以及调节或提高碳化硅单晶品质等方面具有重要应用价值。
一种碳化硅生长坩埚装置

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201480073219.2在审
发明人：堀勉;上田俊策;松岛彰 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法能够容易地将碳化硅单晶与基座分离。所述方法包括如下步骤：将籽晶衬底和基座在其间具有应力缓冲层的情况下固定的步骤(S10)；在所述籽晶衬底上生长碳化硅单晶的步骤(S20)；在所述应力缓冲层处将所述碳化硅单晶与所述基座分离的步骤(S30)；以及将所述分离步骤(S30)后的碳化硅单晶上附着的所述应力缓冲层的残余物除去的步骤(S40)。
碳化硅制造方法