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[发明专利]一种薄型硅单晶抛光片加工方法-CN200810204445.6有效
发明人：栾兴伟;叶祖超 -专利权人：上海合晶硅材料有限公司
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及薄型硅单晶抛光片的加工方法，其包括以下步骤：步骤一，对硅单晶采用线切割切片；步骤二，采用开槽双面研磨机，其上使用内圆镶软塑胶环的不锈钢行星片，对切片后的硅单晶进行双面研磨；步骤三，采用酸腐蚀减薄工艺本发明通过采用一种新的薄型硅单晶抛光片加工新的技术路线和工艺流程，有效提高薄型硅单晶抛光片TTV、WARP、TIR、STIR等水平和成品率。
一种薄型硅单晶抛光加工方法

[发明专利]扩散抛光片单侧主扩散制作方法-CN200710055275.5有效
发明人：王新;黄光波;刘广海;商亚峰;佐义忠;陶巍;邹光祎 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：现有方法不管是预扩散还是主扩散，扩散过程始终在硅单晶片两侧同时同样地进行，硅单晶片的结构呈N⁺－N^－－N⁺形态，而制造半导体器件所需的扩散抛光片其结构应当为N⁺－N^－形态，需要再采用减薄抛光工艺将一侧的N⁺层去掉，造成硅单晶材料的浪费。本发明采取在硅单晶片一侧生成起阻止扩散作用的掩蔽层，或者在主扩散之前去掉硅单晶片一侧的预扩散层的方法，使得主扩散只在硅单晶片的一侧进行，这样的话，一开始即可选用较薄的硅单晶片，如300～400μm，实现了节省硅单晶材料的发明目的
扩散抛光片单侧主制作方法

[发明专利]绝缘基体上的硅及其生产方法-CN95108401.1无效
发明人：小林研也;滨嶋智宏;小此木坚祐 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1995-06-16 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：将第一硅单晶体和第二硅单晶基体粘接在一起，并且所形成的第一硅单晶基体像ＳＯＩ层那样薄。绝缘膜覆埋在二个硅单基体之一的粘接表面的部分位置处，另外，在埋入绝缘膜的一侧的硅单晶基体粘接表面上形成多晶硅层。
绝缘基体及其生产方法

[发明专利]一种可分离的复合碳化硅衬底及其制备和分离方法-CN202210213635.4在审
发明人：王振中 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提出了一种可分离的复合碳化硅衬底，包括第一碳化硅单晶层、第二碳化硅单晶层以及位于两个碳化硅单晶层之间的非晶层；所述碳化硅衬底，对于波长为1030nm的光，第二碳化硅单晶层的透过率大于50％，非晶层的透过率小于本发明得到的复合碳化硅衬底，采用波长为1030nm的激光束，从第二碳化硅单晶层射入，聚焦在非晶层，非晶层吸收激光能量发生结构分解，从而第一碳化硅单晶层与第二碳化硅单晶层自然分离，解决了碳化硅器件工艺中背面减薄的问题，能有效保持衬底性能稳定及与后续垂直器件工艺的兼容性，降低了后段器件工艺背面减薄的成本与难度，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定材料基础。
一种可分离复合碳化硅衬底及其制备分离方法

[发明专利]一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置-CN202111344971.4有效
发明人：王蓉;耿文浩;皮孝东;王明华;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及单晶片剥离技术领域，公开了一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供半绝缘型碳化硅晶锭，将半绝缘型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，其中，半绝缘型碳化硅晶锭包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层，非晶层位于半绝缘型碳化硅晶锭内部的预定位置处；采用特定波长的入射光对半绝缘型碳化硅晶锭进行照射，入射光经过单晶层照射在非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，刻蚀液对具有光生空穴‑电子对的非晶层表面进行选择性刻蚀，得到半绝缘型碳化硅单晶片；本发明能够获得厚度可控的半绝缘型碳化硅单晶片，无需减薄研磨处理，且得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
一种绝缘碳化硅晶片剥离方法装置

[发明专利]一种结晶质量均匀的碳化硅单晶片及籽晶-CN202210005971.X有效
发明人：方帅;刘浩;赵树春;高宇晗;石志强;张宁;高超;窦文涛;周敏 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种结晶质量均匀的碳化硅单晶片及籽晶，属于半导体材料领域。该结晶质量均匀的碳化硅单晶片，其特征在于，所述碳化硅单晶片的直径大于75mm，所述碳化硅单晶片为4H多型，所述碳化硅单晶片中的类米字形晶构的密度不大于5个/cm2；所述碳化硅单晶片的{0001}面上的所述类米字形晶构为具有不大于六条边的交叉型结构。本申请的碳化硅单晶片的缺陷数量少，尤其是避免了因籽晶表面形核缺陷导致靠近籽晶的碳化硅单晶片区域的缺陷数量高，碳化硅单晶片自靠近籽晶至长晶面质量均匀，碳化硅单晶片质量高。
一种结晶质量均匀碳化硅晶片籽晶

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202211598971.1在审
发明人：母凤文;郭超;谭向虎 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)碳化硅单晶衬底的第一表面与石墨板粘接，激光照射碳化硅单晶衬底的第二表面，在碳化硅单晶衬底内部形成改质面；施加外力，将碳化硅单晶衬底沿着改质面断开，得到碳化硅单晶衬底与石墨板组成的复合晶体层结构；(2)在所述复合晶体层结构中的碳化硅单晶衬底的改质面上生长晶体层后，分离石墨板，得到碳化硅单晶衬底与晶体层组成的复合碳化硅衬底。本发明所述制备方法先以石墨板为支撑层，通过激光切割得到较薄的高质量碳化硅单晶衬底，之后在该碳化硅单晶衬底上生长一层低质量晶体层，不会形成键合界面层，提高了复合碳化硅衬底的制备效率，降低了制备时间。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器-CN202111249926.0有效
发明人：欧欣;石航宁;张师斌;游天桂;伊艾伦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；在超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与氮化铝薄膜形成复合压电器件层在支撑衬底上通过离子束剥离和键合的方法形成碳化硅单晶薄膜层，得到与AlN更匹配的SiC作为外延模板，大大提高了外延AlN薄膜的晶体质量，从而提高器件性能与可靠性。
一种氮化碳化硅复合声波谐振器制备方法

[发明专利]一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法-CN201710519884.5在审
发明人：潘建英;沈怡东;王成森;沈广宇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于二极管芯片制程中N+扩散的方法，包扩原料N型硅单晶片（1），预沉积后高浓度N+层（2），推结后高浓度N+扩散层（3），粘片工装（4），由N型硅单晶片粘片后形成的硅片棒（5），一次成型N型单晶片（6），二次成型N型硅单晶片（7），二次成型N型硅单晶片（7）可作为半成品直接用于二极管芯片的接下来的其它制程，本发明的优点是免去了二极管芯片制程中去除单面无效N+层的全部过程，同时获得设有高浓度N+扩散层（3）的二次成型N型硅单晶片（7），大幅提升N型硅单晶片（1）在二极管芯片制程中的利用率，并且获得高浓度N+层，保证N型硅单晶片（7）的串联电阻，既保持了二极管衬底层质量，又大幅降低生产成本。
一种用于二极管芯片制程中扩散方法

[实用新型]一种用于加工薄型硅单晶片的行星片-CN200920071344.6有效
发明人：栾兴伟;李强;黄春峰 -专利权人：上海合晶硅材料有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种用于加工薄型硅单晶片的行星片，其厚度小于400μm，包括：自行星片中心向边缘顺次排布的中心通孔、第三通孔组、第二通孔组、及第一通孔组，所述第一通孔组至少包含7个通孔，且所述第一通孔组中所有通孔的中心位于与所述中心通孔具有相同中心的一第一同心圆上本实用新型的有益效果在于：防止行星片产生形变，增加薄型硅单晶片的良率，改善薄型硅单晶研磨片的TTV、Warp、THK等几何参数。
一种用于加工薄型硅单晶片行星

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法-CN201210032561.0无效
发明人：王彦君;张雪囡;王岩;徐强;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备工艺，特别涉及一种用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法。其特征在于，首先用直拉法进行硅多晶料的拉制；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，再用区熔气掺的方法继续拉制掺杂的硅单晶，本发明的有益效果是：运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合直拉硅单晶生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，掺杂气通入量，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足了生产6英寸N型太阳能硅单晶的要求。
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]贴合晶圆制造方法、贴合晶圆及平面磨削装置-CN200680010786.9无效
发明人：冈部启一;立川胜一;宫崎进;吉泽重幸;武井时男 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种贴合晶圆的制造方法，其中通过将成为支持衬底的基底晶圆与硅单晶所构成的结合晶圆隔着绝缘膜贴合或直接贴合来形成贴合晶圆之后，将上述结合晶圆薄化，而在上述基底晶圆上形成由硅单晶构成的薄膜。上述贴合晶圆的制造方法特征在于，其中结合晶圆的薄化是一边测定上述结合晶圆的厚度一边至少借助平面磨削来进行的，而当上述结合晶圆的厚度达到目标厚度时，停止上述结合晶圆的平面磨削。因此提供了用以提供具有高精度所需膜厚的硅单晶薄膜的贴合晶圆制造方法、贴合晶圆以及能制成具有高精度所需膜厚的硅单晶薄膜的平面磨削装置。
贴合制造方法平面磨削装置

[发明专利]氮化镓外延层生长在硅衬底上的纵向型器件的制造方法-CN201710071079.0有效
发明人：欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 -专利权人：香港商莫斯飞特半导体有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种氮化镓外延层生长在硅衬底上的纵向型器件制造方法，包括以下步骤：在硅单晶衬底上依次生长AlN层、AlGaN层、N+_GaN层、N型GaN外延层和P型GaN外延层；对所述P型GaN外延层进行刻蚀，形成沟槽；注入硅离子N型掺杂剂，使P型区转为N型区；在外延层最表面形成层间介质，并在所述层间介质中形成接触孔掩模开孔；形成发射区金属垫层和终端区场板；磨薄硅单晶的硅衬底，并对硅衬底的背表面进行开孔；刻蚀硅衬底暴露出来的硅表面，形成深沟槽；用金属填充沟槽，把硅单晶衬底背表面金属化，作为器件的背面电极。本发明的纵向型器件的制造方法，减少了器件尺寸和制造成本，同时，垂直结构的器件能够提供更高和更有效的功率和更好的性价比。
氮化外延生长衬底纵向器件制造方法

[发明专利]固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆、以及固体摄像组件-CN202011203371.1在审
发明人：阿部孝夫;大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×10
固体摄像组件硅单晶基板硅磊晶晶圆以及

[发明专利]提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法-CN201110434686.1无效
发明人：田达晰;李刚;林晓华;陈健;王昆鹏;徐国科;张世波;陈华 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法。在抛光硅单晶片背面的二氧化硅背封层的表面再沉积一层多晶硅疏水层，多晶硅疏水层的厚度为30-100Å，沉积在二氧化硅背封层表面的厚度极薄多晶硅疏水层将硅片背面由亲水性的转变成疏水性的，大幅度提高了最终清洗时异丙醇由于生长的多晶硅层的厚度极薄，本发明对抛光硅单晶片背面的二氧化硅背封层表面进行疏水处理的方法不会给抛光硅单晶片的使用性能带来任何不利的影响。对背面二氧化硅背封层表面进行疏水化处理后，抛光硅单晶片的异丙醇干燥步骤的成品率可以达到85%以上。
提高二氧化硅抛光晶片异丙醇干燥成品率方法

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