“阙端麟”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果50个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池及其制备-CN201010509992.2有效
发明人：杨德仁;王朋;余学功;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池及其制备，其制备方法包括：在多晶硅原料中掺入锗和硼，锗的浓度为1018～1021cm-3，硼的浓度为1015～1017cm-3，然后在保护气氛下，生长掺锗的晶体硅；将生长得到的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锗晶体硅太阳电池。本发明方法简单，成本低廉，实现了整个太阳电池制备与常规工艺的兼容，制备出有效抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池。
一种抑制衰减晶体太阳电池及其制备

[发明专利]一种硅铝合金的制备方法-CN200910154914.2无效
发明人：杨德仁;顾鑫;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开的硅铝合金的制备方法，步骤如下：将粒径分别为0.05mm～10mm金属硅与金属铝去油、清洁、烘干后，按质量比金属硅∶金属铝＝1∶0.5～1∶2.5混合均匀，压制成固体混合物，然后放入加热炉中，先加热至300～600℃，保温1～3h，再升温至800～1250℃，保温3～19h，将炉温降低到室温，得到硅铝合金。本发明工艺流程简单，低能耗，低成本，无污染排放，生产效率高，产率高，通过此方法提纯制得的硅铝合金，其硅含量高，混合均匀性好，致密性好。
一种铝合金制备方法

[发明专利]氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法-CN200910099994.6有效
发明人：杨德仁;余学功;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了在氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法，通过在多晶硅原料融化阶段通入氮气与融硅反应的方式掺入氮，通过控制融硅时间来控制掺氮浓度，定向凝固铸造得到氮浓度可控的掺氮多晶硅，其具有较高的机械强度，用于太阳能电池中可切割为更薄的硅片，从而降低太阳能电池的生产成本；还可进一步用于生产不同机械强度要求的掺氮多晶硅。本发明还公开了上述方法得到的铸造多晶硅，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的硼、镓和磷，还含有浓度为1×10¹³～5×10¹⁵/cm³的氮。
氮气下融硅掺氮制备铸造多晶方法

[发明专利]掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法-CN200910099995.0无效
发明人：杨德仁;余学功;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氮的定向凝固铸造多晶硅及其制备方法，利用便宜的氮气取代昂贵的氩气作为保护气体，实现低成本定向凝固铸造多晶硅；同时，由于在氮气气氛下进行融硅和铸造，实现在多晶硅中掺入氮，得到掺氮铸造多晶硅，提高了铸造多晶硅的机械强度，用于太阳能电池中可切割为更薄的硅片，从而降低太阳能电池的生产成本。本发明的铸造多晶硅含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的硼、镓和磷，还含有浓度为1×10¹³～5×10¹⁵/cm³的氮。
定向凝固铸造多晶及其制备方法

[发明专利]一种镓和锗共掺的直拉硅单晶-CN200910099993.1无效
发明人：杨德仁;余学功;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓和锗共掺的直拉硅单晶，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的镓，还含有浓度为1×10¹⁶～5×10²⁰/cm³的锗。在利用镓作为电活性掺杂剂避免光衰减的基础上，通过锗抑制硅单晶中原生微缺陷的形成，获得少子寿命比单独掺镓的硅单晶要高1倍以上的硅单晶，少子寿命最高达100μs，可用于高效率太阳电池的制备。同时，其机械强度比单独掺镓的硅单晶要高20％以上，室温断裂机械强度最高可达300N/mm²，应用于太阳能电池中时，硅片可以切得较薄，降低了太阳能电池的制造成本。
一种锗共掺直拉硅单晶

[发明专利]在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法-CN200910099996.5无效
发明人：杨德仁;余学功;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮多晶硅的方法，通过在氮气保护下定向凝固铸造多晶硅，实现在多晶硅中掺氮，并通过改变氮气的压力和流量来控制掺氮的浓度，定向凝固铸造得到氮浓度可控的掺氮多晶硅，其具有较高的机械强度，用于太阳能电池中可切割为更薄的硅片，从而降低太阳能电池的生产成本；还可进一步用于生产机械强度可控的掺氮多晶硅。本发明还公开了上述方法得到的掺氮多晶硅，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的硼、镓和磷，还含有浓度为1×10¹³～5×10¹⁵/cm³的氮。
氮气铸造浓度可控多晶方法

[发明专利]一种增强硅基二氧化钛器件的电致发光的方法-CN200910099556.X无效
发明人：马向阳;杨德仁;章圆圆;陈培良;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-18 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强硅基二氧化钛器件的电致发光的方法，该方法是通过在硅衬底上利用溅射、热氧化、蒸发或者溶胶-凝胶等方法制备TiO₂薄膜，然后利用等离子体增强化学气相沉积设备对TiO₂薄膜进行Ar等离子体处理，再在TiO₂薄膜上沉积透明ITO电极，最后在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明提出的增强方式简单，所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。
一种增强硅基二氧化器件电致发光方法

[发明专利]一种具有高机械强度的掺锗直拉硅片及其制备方法-CN200810122375.X无效
发明人：杨德仁;陈加和;马向阳;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开的掺锗直拉硅片，硅片中的氧浓度为5×10¹⁷～15×10¹⁷cm^-3，锗浓度为1×10¹⁵～1×10²¹cm^-3，体微缺陷密度为1×10⁶～1×10¹⁰cm^-3。其制备方法为：将上述氧浓度和锗浓度的直拉掺锗硅单晶片，在氩气或氮气保护下，于450～950℃保温2～50小时；或者先在450～950℃保温2～50小时，然后在1000～1300℃保温2～30小时。将掺锗直拉硅单晶片经热处理工艺，可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀，并诱生出高密度的体微缺陷，这些体微缺陷将钉扎硅片中的位错，抑制位错的滑移运动，从而提高直拉硅片的断裂强度，改善直拉硅片的机械性能，提高集成电路的成品率。
一种具有机械强度掺锗直拉硅片及其制备方法

[发明专利]一种制备太阳级硅的方法-CN200810120790.1有效
发明人： 阙端麟;顾鑫;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及制备太阳级硅的方法，步骤如下：先用氮化硅或石英制作底部中心厚度大于边沿厚度，且从底部中心到边沿厚度平滑递减的舟状坩埚，在坩埚的内表面均匀地喷涂氮化硅层；然后将坩埚放入烧结炉中烧结；再向坩埚中放入硅料，通过严格控制熔化温度和熔区移动速率，在真空条件下进行水平区熔，得到纯度达到太阳级硅要求的硅材料。本发明方法简单易行，无污染，在水平区熔提纯过程中坩埚不易破裂，提纯效率高，可以明显降低生产成本。
一种制备太阳方法

[发明专利]一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法-CN200710070401.4无效
发明人：杨德仁;陈加和;马向阳;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明公开了具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法，硅片的氧浓度为5～15×10¹⁷cm^－3，锗浓度为1×10¹³～1×10²⁰cm^－3，洁净区宽度为10～100μm，体微缺陷密度为1×10⁵～1×10¹⁰cm^－3。经过基于快速热处理过程的内吸杂工艺处理制备，由于直拉硅片中的微量锗原子可以在硅片中与快速热处理过程中注入的空位形成一定的复合体促进氧沉淀生成，硅片中在近表面形成具有一定宽度无缺陷的洁净区，并使得体内的体微缺陷(氧沉淀和二次缺陷)密度显著提高，因此，具有较高的内吸杂能力，对有害金属具有更好的吸杂效果，该硅片应用于制造集成电路，可以提高集成电路的成品率。
一种具有内吸杂功能硅片及其制备方法

[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法-CN200710070055.X无效
发明人：杨德仁;马向阳;章圆圆;陈培良;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的电致发光器件是二氧化钛电致发光的器件，由硅衬底、自下而上依次沉积在硅衬底正面的TiO₂薄膜和ITO电极以及沉积在硅衬底背面的欧姆接触电极组成。其制备步骤如下：先将P型或N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室抽真空，以纯钛金属为靶材，以Ar作为溅射气氛，进行溅射沉积，得到Ti膜；然后将Ti膜在O₂气氛下热氧化，生成TiO₂薄膜。在TiO₂薄膜上溅射ITO电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明的器件结构和实现方式简单，制得的硅基二氧化钛电致发光器件的电致发光峰位在450nm、515nm和600nm，并且该器件的制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容，易实现大规模、低成本制造的优点。
一种电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种硅基二氧化钛电致发光器件及其制备方法-CN200710070054.5无效
发明人：杨德仁;马向阳;章圆圆;陈培良;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的硅基二氧化钛电致发光器件，在硅衬底的正面自下而上依次沉积有TiO₂薄膜和透明ITO电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将P型或N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室抽真空，以纯钛金属为靶材，以O₂和Ar作为溅射气氛，进行溅射沉积，得到TiO₂薄膜；然后在TiO₂薄膜上溅射ITO电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明的器件结构和实现方式简单，制得的硅基二氧化钛电致发光器件的电致发光峰位在370nm和600nm左右，并且该器件的制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容，易实现大规模、低成本制造的优点。
一种硅基二氧化电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液及其使用方法-CN200710070017.4有效
发明人：杨德仁;马向阳;曾俞衡;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开的用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液，以体积百分数计，含有：质量浓度为65％～68％的HNO₃≥10％，质量浓度为40％的HF≥5％，且35％≤HNO₃+HF≤75％，其余体积由H₂O补足，使得HNO₃+HF+H₂O＝100％。该腐蚀液适用范围广，可以用于电阻率为0.0007～80Ω·cm、(110)、(100)和(111)等不同晶向硅片的缺陷的择优腐蚀，并且具有缺陷分辨能力高、腐蚀时间短、可调节浓度范围广、不含重金属离子以及使用简易等优点。这种腐蚀剂尤其适用于低阻硅片的缺陷显示。
一种用于晶体材料缺陷显示腐蚀及其使用方法

[发明专利]一种硅基Mg_xZn_1－xO紫外电致发光器件及其制备方法-CN200610155670.6无效
发明人：马向阳;杨德仁;陈培良;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基Mg_xZn_1－xO紫外电致发光器件及其制备方法。该器件在硅衬底的正面自下而上依次沉积Mg_xZn_1－xO薄膜层、0.1＜x＜0.3，SiO₂或Al₂O₃薄膜层和电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将硅衬底清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，进行溅射生长，得到Mg_xZn_1－xO薄膜层；然后用化学气相沉积法或蒸发法或溅射法或溶胶－凝胶方法在Mg_xZn_1－xO薄膜上沉积SiO₂或Al₂O₃薄膜；再在SiO₂薄膜上溅射电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明器件通过调整Mg和Zn的相对含量，可以调节紫外电致发光的波长，且结构和实现方式简单。
一种 mg sub zn 紫外电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅-CN200610154949.2有效
发明人：杨德仁;朱鑫;汪雷;席珍强;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开的掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的磷或硼，其特征是还含有浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁹/cm³的锗。本发明利用锗能够钉杂硅中位错提高机械强度的性质，在原来掺磷或硼铸造多晶硅的基础上掺入一定量的锗，既不影响铸造多晶硅的电学性能，而且可以增强铸造多晶硅的机械强度，这种硅片用于太阳能电池，可采用更薄的硅片，从而大幅降低成本。
一种掺杂定向凝固铸造多晶

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 50 条