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[发明专利]一种碳化硅基异质复合衬底材料-CN202311009640.4在审
发明人：王含冠;梁庆瑞;王瑞;国洪晨;张超;徐汇祥;宋生;赵树春;杨晓俐;宁秀秀;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N30/00 文献下载
摘要：一种碳化硅基异质复合衬底材料，包括基底层，中间层，表面层，所述基底层为碳化硅，所述中间层为多晶硅和二氧化硅，所述表面层为铌酸锂或钽酸锂；所述碳化硅基异质复合衬底材料的面型数据为：Warp＜50μm，BOW＜40μm；键合强度高达2J/m2以上。本申请选用碳化硅作为基底层制备复合衬底材料，能利用其杰出的机械性能、高化学稳定性、高载流子迁移速率、高热导率、高声速、耐高温、耐腐蚀等特性，从而使复合衬底在高声速、大带宽、高功率方面有质的提升；本申请制备得到的复合衬底具有低应力和高键合强度。
一种碳化硅基异质复合衬底材料

[发明专利]一种碳化硅材料杨氏模量的表征方法-CN202311078063.4在审
发明人：宋猛;王振行;赵树春;高超;宗艳民;潘亚妮;王宗玉;张红岩;宋建;杨晓俐;宋生;宁秀秀;刘欣 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅材料杨氏模量的表征方法，属于杨氏模量表征技术领域。该表征方法首先利用X射线衍射仪，测试晶圆不同位置处的晶面衍射，根据晶体学中晶面间距公式计算晶体的a和c值，然后根据a和c值计算晶圆不同位置处的晶胞体积大小，通过第一性原理计算，得到晶胞大小与杨氏模量的关系，最后根据计算的晶胞体积值估算出整个晶圆杨氏模量的分布。本申请的碳化硅材料杨氏模量的表征方法不需破坏晶圆，只需测试晶胞体积，并根据理论计算结果，就能在无损状态下检测整个晶圆的杨氏模量分布，节约成本，快捷实用，适用于工业生产。
一种碳化硅材料杨氏模量表征方法

[发明专利]一种牙科修复用仿生复合材料及其应用-CN202210982136.1有效
发明人：张佳新;乔春梅;刘乾乾;许文冬;王宗玉 -专利权人：爱迪特（秦皇岛）科技股份有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A61L27/50 文献下载
摘要：本发明提供一种牙科修复用仿生复合材料及其应用，所述复合材料包括基托层、牙本质层和牙釉质层，所述复合材料从基托层到牙本质层与牙釉质层的硬度弯曲强度和弹性模量、透过率、耐磨耗等性能逐渐增大，充分模拟了人体口腔内牙龈到牙本质牙釉质的性能过渡，使得患者在使用该修复用仿生复合材料的过程中可以更好的模拟天然牙由牙釉质到牙本质的咬合压力逐渐降低，减小对牙龈的咬合压力，提高在由其制得的牙科假体使用时的舒适感。
一种牙科修复仿生复合材料及其应用

[发明专利]一种精准检测衬底表面去除厚度的方法-CN202310426108.6在审
发明人：刘旭;吴殿瑞;付健行;赵树春;杨晓俐;王宗玉;潘亚妮;方帅;宁秀秀;马立兴 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01B21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种精准检测衬底表面去除厚度的方法，属于半导体材料技术领域。该检测方法包括下述步骤：在衬底表面选取参照点，以该参照点为中心进行垂直竖向打标，得到参照延长线；在衬底表面选取测试点，以该测试点为中心进行斜向打标，得到测试延长线，包含所述测试延长线的平面与包含所述参照延长线的平面重合或平行；测量衬底去厚工序前后，衬底表面处测试延长线的水平位移量，根据所述水平位移量及测试延长线与参照延长线的夹角，计算衬底表面的去除厚度。该方法对衬底自身的打标方案进行改进并加以利用，测量测试延长线的水平位移量及测试点的斜向打标角度，即可精准计算出衬底表面的去除厚度，且便于大范围推广使用。
一种精准检测衬底表面去除厚度方法

[发明专利]一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置-CN202211724329.3在审
发明人：梁庆瑞;宋建;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;王宗玉;宁秀秀;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片串联抛光装置，所述串联抛光装置包括：工作台以及通过所述工作台依次串联连接的第i抛光机构，所述第i抛光机构包括第i抛光组件、第i供液组件、第i导向组件，其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。本发明串联抛光装置采用全单片单面抛光，大幅度提升衬底的厚度均匀性，实现对单片晶片的精确控制。
一种激光剥离碳化硅薄片串联抛光装置

[发明专利]一种癌症病人疼痛治疗辅助护理装置-CN202211478997.2在审
发明人：陈志玲;林栋毅;邱华;刘媛芳;方桂香;何晞辰;王宗玉 -专利权人：广西医科大学附属肿瘤医院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： A61H39/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种癌症病人疼痛治疗辅助护理装置，属于医疗领域，包括推车，所述推车的顶端设置有旋转槽，且旋转槽里设置有转盘，转盘的顶端设置有扭转桥，扭转桥的中间设置有电子显示系统图，且扭转桥的左右两端均滑动穿插有升降架，升降架安装在电动推杆的输出端上，左侧升降架的底端设置有按摩机构，右侧升降架的底端设置有锥压机构，所述扭转桥的左侧设置有艾灸盒组件，且扭转桥的右侧设置有烤灯组件。本发明按摩球对人体深层组织的按压起到舒缓止痛效果；按摩锥的按摩头更加尖锐，对人体经脉具有刺激效果，用于穴位经络按摩止痛；艾灸治疗癌痛，主要发挥驱寒温脉、理气止痛功效；烤灯热敷可以促进局部循环、活血通络的作用。
一种癌症病人疼痛治疗辅助护理装置

[发明专利]一种小角晶界少的碳化硅晶体、衬底及其制备方法-CN202110948698.X有效
发明人：张九阳;李霞;王永方;王宗玉;张红岩;高超;薛刚生;杜其健;苏丽娜 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种小角晶界少的碳化硅晶体、衬底及其制备方法。该碳化硅晶体碳化硅晶体具有环形形貌，环形形貌自第一主表面贯穿延伸至第二主表面，环形形貌包括刃位错。本申请制备了一种包含环形形貌的碳化硅晶体，在掌握其相关形成机理及测试方法后加以对其进行应用，从而变废为宝用以进行碳化硅边缘质量的优化，借助该环形形貌即刃位错墙用以防止碳化硅长晶过程中形成的边缘位错向内滑移、边缘小角晶界向内延伸，并借助特殊的加工设备及工艺得到高质量的碳化硅衬底。
一种小角晶界少碳化硅晶体衬底及其制备方法

[发明专利]一种利用长晶组件制备碳化硅单晶的方法-CN202011257241.6有效
发明人： 王宗玉;高超;宁秀秀;李霞;潘亚妮;高宇晗;方帅;赵树春;杨晓俐;张九阳 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于PVT法制备单晶的长晶组件，包括：坩埚和位于坩埚上方的加热装置；加热装置设有多个同心设置的环形加热温区，以使得在制备单晶的加热和/或长晶阶段，通过控制多个同心设置的环形加热温区的整体加热温度调节坩埚内的轴向温梯，通过控制多个同心设置的环形加热温区中各个环形加热温区的加热温度调节坩埚内的径向温梯。本申请提供的制备碳化硅单晶的装置，能够控制坩埚内温场的轴向温梯和径向温梯，以提高晶体的生长速率，并保证晶体的生长环境稳定，维持较大的晶体边缘径梯，提高边缘质量，同时获得更大尺寸的碳化硅单晶。
一种利用组件制备碳化硅方法

[发明专利]一种高质量碳化硅单晶的制备方法及碳化硅单晶-CN202011255128.4有效
发明人：杨晓俐;许晓林;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种高品质碳化硅单晶的制备方法，所述方法包括：向坩埚中提供长晶原料，并加热所述长晶原料以制得碳化硅单晶；所述长晶原料包括由坩埚底部向上依次铺设的第一碳化硅粉料层、碳粉层和第二碳化硅粉料层。本申请提供的高品质的碳化硅单晶的制备方法，通过在碳化硅长晶原料中的特定位置加入一定厚度的碳粉层，使得从坩埚底部升华的富硅气氛在经过碳粉层时充分与碳粉层中的碳颗粒反应，进而有效减轻对石墨坩埚的侵蚀，延长石墨坩埚的使用寿命，减少晶体中多型、微管缺陷的产生，并且还能够避免碳颗粒随气流上升，显著减少晶体中的碳包裹体，获得高质量的碳化硅单晶。
一种质量碳化硅制备方法

[发明专利]一种高质量碳化硅单晶的制备方法及碳化硅单晶-CN202011257244.X有效
发明人： 王宗玉;高超;宁秀秀;李霞;潘亚妮;高宇晗;方帅;赵树春;杨晓俐;张九阳 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种高品质碳化硅单晶的制备方法，所述方法至少包括装料、加热和长晶的步骤，所述装料的步骤包括：向热场中提供长晶原料；所述长晶原料包括第一碳化硅粉料和含有第二碳化硅粉料和碳粉料的混合粉料，所述混合粉料在热场中位于所述第一碳化硅粉料的底部下方。本申请提供的碳化硅单晶的制备方法，通过下层为含有碳粉料和碳化硅粉料的混合粉料以及上层为纯碳化硅粉料的布料方式，使得在长晶前期过程中的硅碳比增大，硅气氛优先与混合粉料中的碳粉料反应，有效减轻对石墨坩埚壁的侵蚀，同时在长晶后期还能够防止碳颗粒传输至生长面，有效减少了晶体生长的前期和后期产生的碳包裹体缺陷。
一种质量碳化硅制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用-CN202010724063.7有效
发明人：王路平;许晓林;刘鹏飞;高超;张九阳;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用。所述方法包括：S1、将含有贯穿微管的碳化硅晶体完全浸入坩埚内的熔液中；所述熔液的温度低于所述碳化硅晶体的熔点；S2、使所述熔液在所述碳化硅晶体的所述贯穿微管中进行液相生长结晶；S3、将所述碳化硅晶体从所述熔液中取出，获得所述贯穿微管数量降低的碳化硅晶体。本发明能在碳化硅晶体生长完成后进行微管愈合，无需在碳化硅晶体生长过程中进行调节，操作简单方便，便于实施，可有效降低碳化硅晶体中的微管数量，提高晶体的质量，还可以提高碳化硅产品应力分布均匀性、提高碳化硅产品导电性能。
一种碳化硅晶体微管愈合方法产品应用

[发明专利]一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用-CN202010725491.1有效
发明人：王路平;许晓林;刘鹏飞;高超;张九阳;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用。该装置包括：真空生长室，内设开口朝上的坩埚，坩埚内能够盛放高温熔液；碳化硅晶体装载装置，位于真空生长室内、坩埚的上方，并且能够上下移动；温度调节装置，能够对真空生长室内部进行温度调节；压力调控装置，能够调节真空生长室内部的压力，包括抽气口和进气口，抽气口设于碳化硅晶体装载装置上方，进气口设于碳化硅晶体装载装置下方。本申请装置可以形成由下至上的气体流动方向，更利于排除碳化硅晶体中贯穿微管内部气体，提高贯穿微管中气体排除效率，有利于使坩埚内的高温熔液进入贯穿微管内部进行微管修复。
一种碳化硅晶体微管愈合装置应用

[实用新型]一种碳化硅粉料氮化处理装置-CN202022484400.8有效
发明人：张九阳;方帅;高宇晗;靳婉琪;李霞;蒋文广;赵树春;王宗玉;高超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B01J8/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅粉料氮化处理装置，包括炉体和坩埚，所述炉体的上端密封设置有上盖，下端密封设置有下盖，所述下盖底部开设有多个氮气进气孔，所述氮气进气孔与所述炉体内部连通，多个氮气进气孔的总面积为下盖底部面积的0.01％～2％；所述坩埚放置在炉体内部，所述坩埚用于放置待氮化处理的碳化硅粉料，所述坩埚的孔径为1～100μm。在坩埚内放置碳化硅粉料，通过下盖底部的氮气进气孔通入氮气，使碳化硅粉料处于富氮的气氛中，氮气穿过坩埚，渗透到坩埚内部，较多的氮气吸附在碳化硅粉料中，得到富氮的碳化硅粉料。多个氮气进气孔的总面积占比合适，既可保证氮气吸附顺畅又保证下盖的强度。
一种碳化硅氮化处理装置

[实用新型]一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置-CN202022607214.9有效
发明人： 王宗玉;高超;宁秀秀;李霞;潘亚妮;高宇晗;方帅;赵树春;杨晓俐;张九阳 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，包括：长晶炉，长晶炉内设置有坩埚，坩埚的开口呈缩口形；长晶炉的外侧设有提拉电机，提拉电机通过升降机构与坩埚的坩埚上盖连接；坩埚的上方设有组合式加热器，组合式加热器包括多个同心设置的加热环，以使得通过控制所述多个同心设置的加热环的加热温度，调节碳化硅单晶在长晶阶段时坩埚内的轴向温梯和径向温梯。本申请提供的制备碳化硅单晶的装置，通过调节多个加热环整体的温度，控制坩埚内部的轴向温梯，控制每个加热环各自的温度，进而控制热场中特别是晶体生长界面处的径向温梯，使其能够维持较大的晶体边缘径梯，提高边缘质量，同时获得更大尺寸的碳化硅单晶。
一种用于制备质量尺寸碳化硅装置

[发明专利]一种碳化硅晶体生长方法及装置-CN202010956155.8有效
发明人：舒天宇;王宗玉;梁庆瑞;张红岩;姜岩鹏 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体生长方法及装置，该方法包括:(1)组装阶段：(2)升华阶段：控制多个隔板转动至多个隔板之间和隔板与腔体的内壁之间无空隙，第一坩埚与第二坩埚隔断，加热使得碳化硅原料升华；(3)长晶阶段：控制多个隔板转动至多个隔板之间和/或隔板与腔体的内壁之间有空隙，第二坩埚通过空隙与第一坩埚连通，加热使得碳化硅原料气氛穿过空隙传输至籽晶进行长晶。通过控制多个隔板的转动，使得第一坩埚与第二坩埚隔断，碳化硅原料升华的气氛不能向上传输，避免生长前期不稳定气氛形成影响晶体质量的缺陷及对籽晶的破坏及污染，且隔板阻断了原料向籽晶的热辐射，避免了除杂时由于没有碳化硅气氛补充时导致的籽晶表面升华。
一种碳化硅晶体生长方法装置

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