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[发明专利]硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置-CN201510661933.X有效
发明人：张汝京;林志鑫;肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置，其中，所述硅单晶棒回收装置包括用于盛装待回收的硅单晶棒的硅单晶棒容器；用于盖住并密封所述硅单晶棒容器的盖体；穿过所述盖体与所述硅单晶棒容器连通的第一管路；一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第二管路；一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第三管路；与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第四管路。液氮从第二管路流入硅单晶棒容器后，热去离子水通过第一管路流入硅单晶棒容器对其中的硅单晶棒淬火，淬火完成后的水通过第四管路排出，即可收集无污染的硅单晶碎块。在整个过程中，不会引入其他杂质，实现了无污染且快速的回收硅单晶棒，方便后续使用，降低了成本，提高了效益。
硅单晶棒回收装置方法液氮供应

[实用新型]硅单晶棒运输冷却车装置-CN200920186922.0无效
发明人：刘天贵;马青;李春雷;高熙礼 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅单晶棒运输冷却车装置，包括有箱体形式的硅单晶护套，硅单晶护套上连接有车架，车架顶端设有车扶手，硅单晶护套底部安装有车轮，硅单晶护套顶面开有开孔，硅单晶棒可沿着车架通过开孔放入硅单晶护套中本实用新型可以根据硅单晶棒的长度调节硅单晶棒固定套的高度；本实用新型在操作全过程避免了硅单晶棒与金属车直接接触，因此避免了由于局部冷速过快而导致位错增加以及硅单晶的隐裂的问题；同时本实用新型设计了平衡滑轮
硅单晶棒运输冷却装置

[发明专利]硅单晶棒切割后的脱胶系统及脱胶剥离工艺-CN202310727019.5在审
发明人：李天兵;贾世杰;彭洁;魏守冲 -专利权人：磐石创新（江苏）电子装备有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶棒加工技术领域，尤其涉及一种硅单晶棒切割后的脱胶系统及脱胶剥离工艺。本发明提供一种硅单晶棒切割后的脱胶系统，包括：加热脱胶模块，所述加热脱胶模块包括加热容器和气体加热单元，所述气体加热单元设置于所述加热容器内；供气模块，所述供气模块包括气源和进气管，所述进气管的进气端与所述气源连通，所述进气管的出气端与所述加热容器连通；硅单晶棒固定模块，所述硅单晶棒固定模块设置于所述加热容器内，所述硅单晶棒固定模块适用于固定硅单晶棒。本发明提供的硅单晶棒切割后的脱胶系统，能够提升脱胶效率，降低脱胶能耗。
硅单晶棒切割脱胶系统剥离工艺

[实用新型]硅单晶棒回收装置-CN201620480717.5有效
发明人：尚青生 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种硅单晶棒回收装置，包括缸体、上挤压盘、下挤压盘及挤压头；下挤压盘位于缸体下部并与缸体底部保持预定距离；挤压头位于上挤压盘上，并朝向所述下挤压盘，待回收的硅单晶棒位于下挤压盘上，由上挤压盘进行挤压，下挤压盘上设有多个通孔，在上挤压盘对所述待回收的硅单晶棒进行挤压时，挤压头能穿过所述通孔。通过上挤压盘的下压，挤压头对待回收的硅单晶棒进行压碎处理，并且下挤压盘上设有通孔，压碎的待回收的硅单晶棒可由通孔落入缸体底部，从而避免使用高温处理，同时还能够避免对待回收的硅单晶棒造成污染。
硅单晶棒回收装置

[发明专利]异形硅单晶棒及其拉制所用石英坩埚以及生长方法-CN202211229354.4有效
发明人：李涛勇;李安君;许堃 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶制备及光伏技术领域，提供了异形硅横截面单晶棒及其拉制所用石英坩埚、以及生长方法。异形硅单晶棒的生长方法，包括采用上述石英坩埚拉制单晶硅棒。异形硅单晶棒，采用上述生长方法制得。本发明提供的技术方案，通过石英坩埚的特殊设计，使得石英坩埚内能形成适合异形硅单晶棒生长的热场，用于制备异形横截面硅单晶棒。
异形硅单晶棒及其拉制所用石英坩埚以及生长方法

[发明专利]能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法-CN202110897832.8有效
发明人：张兴茂;闫龙;王忠保;李小红;伊冉 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。该方法包括以下步骤：等径前工序中，调节氩气流量为120slm‑130slm，并保持该氩气流量至二段等径工序结束；并且，等径前工序中，调节单晶炉炉压为12 kPa‑15 kPa；一段等径工序中，将单晶炉炉压逐渐升高至18 kPa‑20 kPa；二段等径工序中，维持单晶炉炉压为18 kPa‑20 kPa。通过该方法生产重掺砷硅单晶，能够显著降低所制备的重掺砷硅单晶的电阻率，尤其是将重掺砷硅单晶晶棒的头部电阻率降低至0.0029Ω.cm以下，提高重掺砷硅单晶晶棒的综合利用率，降低生产成本。同时，重掺砷硅单晶晶棒拉制过程中，发生晶变导致NG的概率显著下降，进一步提高重掺砷硅单晶晶棒的合格率。
能够降低头部电阻率 as 硅单晶生产方法

[发明专利]低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统-CN202110800323.9有效
发明人：周文辉;王忠保;闫龙 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统，属于重掺杂硅单晶生产技术领域。方法通过调整低电阻率重掺砷硅单晶晶棒生产过程中，等径尾部及收尾端部的单晶生长速率、补偿温度、氩气流量，改善低电阻率重掺砷硅单晶的生产工艺，采用调整后的低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法得到的重掺砷单晶硅晶棒，不仅电阻率能够满足要求，且晶棒尾部的晶变概率大幅度降低，实践表明，晶棒尾部的晶变概率由改善前的45%降低至5%以下，提高晶棒合格率，减少原料浪费，降低生产成本。
电阻率重掺砷硅单晶生产方法系统

[实用新型]用于减少硅单晶棒截断崩边的工具-CN200320103212.X无效
发明人：王学锋;吴志强;戴小林;周旗钢;张果虎;万关良;王敬;杨卫国 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2003-11-11 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种加工半导体硅单晶棒截断时，特别是大直径硅单晶棒截断时减少其崩边的工具，用于硅单晶棒的截断。该工具的优点是结构简单，使用方便，减少或避免硅单晶棒被截断时发生崩边的损失，尤其是减少或避免大直径硅单晶棒被截断时发生崩边的损失。
用于减少硅单晶棒截断工具

[发明专利]双上炉体连续加料硅单晶炉及其使用方法-CN201110297917.9无效
发明人：杨永录;葛亮;赖章田;贺贤汉 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明双上炉体连续加料硅单晶炉，包括：主机架；下炉体，所述下炉体设置在所述主机架上；所述双上炉体连续加料硅单晶炉还包括双上炉体组件，所述双上炉体组件包括两个分立设置的左上炉体及右上炉体。本发明双上炉体连续加料硅单晶炉可以实现在不更换石英坩埚及不开炉的情况下进行二次连续加料及硅单晶棒的拉制，从而从节能、节约坩埚、及节约时间上降低硅单晶棒的生产成本。
双上炉体连续加料硅单晶炉及其使用方法

[发明专利]一种硅单晶及其制备方法、硅片、太阳能电池和组件-CN202011424697.7在审
发明人：杨志;刘有益;王林;沈浩平;张雪囡;高利强;程立波;钟旭;阿古达木 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶，含有磷和镓，硅单晶含有磷和镓部分的单位长度轴向电阻率的变化量为0‑0.3Ω·cm/m；沿硅单晶头部至尾部方向，硅单晶的头部的磷浓度低于尾部的磷浓度。本发明的有益效果是单晶电阻率均匀性好，单晶棒长增加，生产效率提高。
一种硅单晶及其制备方法硅片太阳能电池组件

[发明专利]横截面呈十字形的硅单晶棒及其生长装置和生长方法-CN202211020887.1有效
发明人：许堃;李涛勇;吴超慧 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体及光伏领域，公开了横截面呈十字形的硅单晶棒及其生长装置和生长方法。硅单晶棒生长装置，包括：炉体，由外至内设置在炉体内的隔热组件、分区加热机构、支撑坩埚和石英坩埚，以及从炉体的顶部伸入炉体内且与坩埚的轴线对应的提拉机构，提拉机构伸入炉体内的端部用于连接籽晶；分区加热机构以及支撑坩埚和石英坩埚的横截面呈十字形硅单晶棒生长方法，包括采用上述装置实施硅单晶棒的生长。硅单晶棒，采用上述方法生长得到，该硅单晶棒的横截面呈十字形，其具有生产效率高、成本低，热应力小、产品质量高，利用率高的特点。
横截面十字形硅单晶棒及其生长装置方法

[发明专利]重掺砷硅单晶收尾方法及装置-CN202110794760.4在审
发明人：闫龙;张兴茂;周文辉;李小红;伊冉;王忠保 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种重掺砷硅单晶收尾方法及装置，属于重掺杂硅单晶生产技术领域。方法根据等径结束后的埚跟比，首先计算理论拉速上调比例X，以该理论拉速上调比例调节进入收尾时的单晶拉速，进行收尾工序。收尾过程中，根据收尾长度，计算拉速上调比例X，逐级调大单晶拉速，直至收尾结束。实践表明，通过本发明提供的重掺砷硅单晶收尾方法能够有效替代人工主观调整，降低劳动强度，减缓重掺砷硅单晶收尾过程对技术人员的主观依赖。同时，采用本发明提供的重掺砷硅单晶收尾方法能够有效降低重掺砷硅单晶晶棒的尾部NG率，提高重掺砷硅单晶晶棒的良率，收尾NG率由传统技术人员进行调整的45%降低至15%，减少硅原料损失，降低生产成本。
重掺砷硅单晶收尾方法装置

[发明专利]一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法-CN202310162438.9在审
发明人：潘金平;肖世豪;沈益军;饶伟星;张立安;程富荣;冯小娟;赵亮;苏文霞;肖银平 -专利权人：海纳半导体（山西）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及籽晶加工技术领域，具体为一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法，包括如下步骤：S1、将111硅单晶棒切割取段，外表面进行外圆磨削加工成圆柱形结构的111晶向硅单晶锭；S2、对111晶向硅单晶锭的侧面进行X射线定向，确定110晶向位置，并在硅单晶锭的端面划线作为标记；S3、使110晶向朝上，将111晶向硅单晶锭水平放置在专用架子上，专用架子包括框架、托架、螺栓和调节螺母，将专用架子放到一个专用的水平平台上该以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法中，可以使用111晶向硅单晶棒作为原料进行籽晶加工；利用X射线定向仪便于寻找111晶向硅单晶锭的110晶向位置，并利用专用架子精确地加工出110晶面，再利用可调平板校准110
一种不同硅单晶制作籽晶方法

[实用新型]新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场-CN201220316081.2有效
发明人：韩建超;沈杨宇 -专利权人：上海合晶硅材料有限公司
申请日： 2012-06-30 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。本实用新型中的新型单晶炉热场，由于采用设置碳化硅涂层的导流筒，可降低硅单晶棒生产能耗，可降低5%以上。使用本实用新型中的新型单晶炉热场，拉制的N型<100>轻掺硅单晶的OISF可降低到100个/cm2以下。本实用新型中的新型单晶炉热场，能有效改善硅单晶棒中的Fe含量，平均值为1.80E+10atoms/cm3，最大值6.91E+10atoms/cm3。扩散长度达到450.2μm。
新型单晶炉热场拉制轻掺硅单晶棒

[实用新型]一种硅单晶棒截断用夹持装置-CN201120512763.6有效
发明人：朱秦发;姜舰;邓树军;韩秋雨;郭庆生 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅单晶棒截断用夹持装置，包括垫槽和两个夹紧块，该垫槽内开设有凹槽，该凹槽内设有螺杆，该螺杆的一端延伸至垫槽外侧，并于该端设有旋钮；该螺杆位于凹槽内的部分由两段组成，该两段螺杆的外螺纹绕向相反本实用新型结构简单、使用方便，用于硅单晶棒截断时主体的固定，使单晶棒整体受力更加均匀，固定更加可靠牢固；从而减少或避免了硅单晶棒尤其是大直径硅单晶棒被截断时发生崩边。
一种硅单晶棒截断夹持装置

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