专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]新型贴片装置-CN201721094364.6有效
  • 孙启伟;马克章 - 上海合晶硅材料有限公司
  • 2017-08-29 - 2018-05-18 - B08B5/04
  • 本实用新型公开了一种新型贴片装置,包括:容腔、上管道、下管道、总管道、真空泵和电机,其中,容腔为密闭空间,其中容纳贴片机,上管道的一端与容腔的上部连通,另一端与总管道连通,下管道的一端与容腔的下部连通,另一端与总管道连通,真空泵设置于总管道内,电机用于驱动真空泵。本实用新型减少了容腔内残留物;提高了容腔内的环境质量。从而提高了贴片机贴片的良率。
  • 新型装置
  • [发明专利]硅片抛光方法-CN201611266972.0在审
  • 林涛 - 上海合晶硅材料有限公司
  • 2016-12-31 - 2017-05-17 - B24B29/02
  • 本发明公开了一种硅片抛光方法,所述硅片放置于大盘上并随大盘旋转;使用旋转的抛布研磨硅片表面以抛光;所述抛布为圆形形状切割多条边而成,相邻两条切边不重合;切割方法为垂直于径向切割抛布,切割长度为自圆周顶点向圆心方向切割的尺寸L为:抛头转速与大盘转速比×抛头直径与大盘直径比×硅片直径。本发明中的硅片抛光方法,将圆形的抛布边缘割除一部分部分,减少抛布与硅片的边缘接触面积,可降低在抛光过程中边缘的抛去量。使用本发明中的硅片抛光方法,硅片抛光不良率由3.4%降至0.5%。
  • 硅片抛光方法
  • [发明专利]硅片表面长多晶的方法-CN201611248634.4在审
  • 江笠;李敏 - 上海合晶硅材料有限公司
  • 2016-12-29 - 2017-04-26 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种硅片表面长多晶的方法,其包括如下步骤a)、将硅片放置于晶舟上,所述晶舟上设置有多个容置槽,所述多个容置槽之间的间距为2.5‑3.5mm;b)、将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。本发明中的硅片表面长多晶的方法,将容置槽之间的间距调整为2.5mm‑3.5mm,增加了产能,可将产能提升40%。容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra降低了崩边不良率,可由原有不良率5%降低为1%以下。
  • 硅片表面多晶方法

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