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[发明专利]一种CuIn(S,Se)2-CN202310020417.3在审
发明人：陈王伟 -专利权人：陈王伟
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuIn(S,Se)2薄膜、太阳能电池及制备方法，属于光伏材料及器件领域。所述方法包括以下步骤：在基底上沉积传输层或缓冲层；制备CuInS2反应前驱物溶液，将所述CuInS2反应前驱物溶液涂布在所述传输层或缓冲层上，干燥后形成前驱物薄膜；将硒粉或硒化氢与所述前驱物薄膜在惰性气体保护下加热进行反应；获得结晶性CuIn(S,Se)2薄膜材料。
一种 cuin se base sub

[发明专利]基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法及半导体结构-CN201910975090.9有效
发明人：贾仁需;于淼;余建刚;王卓 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法，包括：选取碳化硅衬底层；在所述碳化硅衬底层表面上制备(InxGa1‑x)2O3缓冲层；在所述(InxGa1‑x)2O3缓冲层表面上制备Ga2O3薄膜层。本发明所提供的基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法首先在碳化硅衬底层表面形成(InxGa1‑x)2O3缓冲层，从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷，然后又在(InxGa1‑x)2O3缓冲层表面形成Ga2O3薄膜层，从而提高后续生长的Ga2O3薄膜层的结晶度，最终实现了在碳化硅衬底层上制备高结晶的Ga2O3薄膜材料的结构。
基于碳化硅衬底半导体结构制备方法

[发明专利]常开型具有P型栅极的基于氮化镓的晶体管-CN202180079878.7在审
发明人： C·S·舒;J·乔;李东习;和田彰二;K·H·R·基尔姆泽 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：一种半导体器件(100)包括阈值电位在‑10伏至‑0.5伏之间的基于氮化镓的低阈值耗尽型晶体管(即GaN FET)(102)。GaN FET(102)具有支撑二维电子气(即2DEG)(114)的包括镓和氮的III‑N族半导体材料的沟道层(108)。GaN FET(102)在沟道层(108)之上具有包括铝和氮的III‑N族半导体材料的阻挡层(112)。GaN FET(102)进一步具有包括镓和氮的III‑N族半导体材料的p型栅极(124)。栅极(124)的与阻挡层(112)相邻的底表面(136)不延伸超出阻挡层(112)的与沟道层(108)相对的顶表面(138)。GaN FET(102)在栅极(124)与阻挡层(112)之间没有电介质层。
常开具有栅极基于氮化晶体管

[发明专利]将图案转移到发光器件的外延层的方法-CN202180073369.3在审
发明人： S·甘德罗修拉;神川刚 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：具有集成在其外延层中的光提取或导向结构的发光器件，其中使用横向外延生长技术制造光提取和导向结构，该技术将图案从生长限制掩模和/或主衬底转移到外延层。
图案转移发光器件外延方法

[发明专利]具有增强型氮化镓晶体管的电子器件及其制作方法-CN202180070853.0在审
发明人： Q•R•法里德;D·S·李;J•约翰;C·S·旭 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：制造方法、电子器件(100)和增强型氮化镓晶体管(102)包括在异质外延结构(118、120、121)与p型掺杂氮化镓层(124)之间和/或在p型掺杂氮化镓层(124)与栅极结构之间的氮化镓夹层(123)，以减轻p型掺杂剂扩散，改进电流崩塌性能，并减轻正偏压温度不稳定性(PBTI)。在某些示例中，夹层或多个夹层是使用没有p型掺杂剂源的外延沉积来制造的。在某些制造工艺示例中，在沉积异质外延结构(118、120、121)的氮化铝镓层(121)之后，中断外延沉积或生长，之后恢复生长以在氮化铝镓层(121)上方沉积第一氮化镓夹层(123)，以减轻p型掺杂剂扩散和电流崩塌。
具有增强氮化晶体管电子器件及其制作方法

[发明专利]氧化镓膜的成膜方法-CN201911250102.8有效
发明人：永冈达司;西中浩之;吉本昌广 -专利权人：株式会社电装;国立大学法人京都工艺纤维大学
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明涉及氧化镓膜的成膜方法。提出一种成膜方法，其中能够形成表面光滑的氧化镓膜。一种氧化镓膜的成膜方法，其具有在加热基体的同时，向所述基体的表面供给包含镓原子和氯原子的原料溶液的雾，由此在所述基体的所述表面上形成所述氧化镓膜的工序。所述原料溶液中的氯的摩尔浓度为所述原料溶液中的镓的摩尔浓度的3.0倍以上且4.5倍以下。
氧化方法

[发明专利]一种基于前驱溶液控制ZnO膜成膜厚度的方法及其应用-CN202010351032.1有效
发明人：王肖珩;肖志河;周翔;乔元哲;周健 -专利权人：北京环境特性研究所;中国长峰机电技术研究设计院;北京遥感设备研究所
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于前驱体溶液控制ZnO膜成膜厚度的方法及其应用。该方法通过将前驱体溶液通过化学气相沉积法得到ZnO膜，所述前驱体溶液为添加有乙酸的乙酸锌水溶液，通过控制乙酸在前驱体溶液中的浓度来控制ZnO膜的成膜厚度；其中，乙酸在前驱体溶液中的浓度为0.06‑0.09。本发明通过调节前驱体溶液中的乙酸浓度来控制热解反应及ZnO高温结晶生长速度，进而非常有效地改变ZnO薄膜厚度；本发明将乙酸在前驱体溶液中的浓度控制在0.06‑0.09，找到了最适合ZnO薄膜均匀稳定生长的乙酸浓度，并能够达到利用乙酸浓度调控薄膜厚度在百纳米级的变化，成膜厚度从200nm～400nm可调。
一种基于前驱溶液控制 zno 膜成膜厚度方法及其应用

[发明专利]一种三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法-CN201911148774.8有效
发明人：申绪男;张超;冯洋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法，属于高质量铜锌锡硫薄膜吸收层制备技术领域，其特征在于，包括如下步骤：S1、在真空退火炉中，放置热舟，在舟上方放置前驱体膜，热舟中放置5g硫粉，抽真空到10‑3Pa后，对热舟进行快速加热，使其20秒到达800℃，而前驱体膜不加热，膜温度低于50℃，保持10分钟，使得硫原子能够均匀扩散到前驱体膜中；S2、将前驱体膜取出放入管式炉中，通入氩气，使得气压保持在1.2个大气压，加热管式炉到540℃‑580℃，保持10分钟，降温；S3、将管式炉气压降至1个大气压，温度保持在250℃‑300℃，保持10分钟，去除残留的硫，然后降至室温。
一种硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收方法

[发明专利]锌掺杂硫化镉薄膜的制备及在铜锌锡硫太阳能电池的应用-CN202210774999.X在审
发明人：郭杰;刘慧敏;吴冬梅 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明公开了一种锌掺杂硫化镉薄膜的制备方法，且将其应用于铜锌锡硫Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池；本发明采用CBD法将缓冲层Cd0.6Zn0.4S沉积在CZTS吸收层薄膜上；制备了具有CZTS/Cd0.6Zn0.4S结构的太阳能电池；经对比分析CZTS/Cd0.6Zn0.4S器件的转换效率(Eff)和填充系数(FF)分别由2.31％和31.06提高到4.88％和47.45。通过实验数据，我们得到了CdS/CZTS和CZTS/Cd0.6Zn0.4S异质结的导带偏移量(CBO)，CZTS/CdS异质结和CZTS/Cd0.6Zn0.4S异质结的CBO分别为0.51eV和0.22eV。
掺杂硫化薄膜制备铜锌锡硫太阳能电池应用

[发明专利]含杂烷基环戊二烯基铟的前体及其用于沉积含铟层的方法-CN202180051857.4在审
发明人： A·布鲁诺;大野刚嗣;克里斯均·杜萨拉特 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：披露了用于使用具有以下通式的杂烷基环戊二烯基铟(I)前体通过气相沉积方法形成含铟膜的方法：In[R1R2R3R4CpL1]或In[CpL1L2y]，其中Cp表示环戊二烯基配体；R1至R4各自独立地是H，C1‑C4直链、支链或环状烷基；L1和L2各自独立地是键合至该Cp配体并且由含有至少一个杂原子的烷基链组成的取代基，该杂原子如Si、Ge、Sn、N、P、B、Al、Ga、In、O、S、Se、Te、F、Cl、Br、I；并且y＝1–4。示例性杂烷基环戊二烯基铟(I)前体包括In(Cp(CH2)3NMe2)或In(CpPiPr2)。
烷基环戊二烯基铟及其用于沉积含铟层方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201780080973.2有效
发明人：中岛伸二;锦博彦;见村浩英;齐藤裕一;武田悠二郎;村重正悟;石田和泉;冈部达 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶-CN201880012548.4有效
发明人：井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，且以下述原子比含有稀土元素X，0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。
氧化物半导体薄膜晶体管烧结以及溅射

[发明专利]氧化镓半导体膜的制造方法及成膜装置-CN202180045966.5在审
发明人：渡部武纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：本发明是一种氧化镓半导体膜的制造方法，其使用雾化CVD法，包含以下工序：雾产生工序，在雾化部中雾化包含镓的原料溶液而产生雾；载气供给工序，向所述雾化部供给用于输送所述雾的载气；输送工序，经由连接所述雾化部与成膜室的供给管利用所述载气从所述雾化部向所述成膜室输送所述雾；整流工序，在所述成膜室中向基板的表面供给的所述雾及所述载气的流动被整流成沿着所述基板的表面的流动；成膜工序，对经过所述整流的雾进行热处理而在所述基板上进行成膜；以及排气工序，向所述基板的上方排出废气。由此，提供一种膜厚的面内均匀性、成膜速度优异的氧化镓半导体膜的制造方法。
氧化半导体制造方法装置

[发明专利]使用绿色溶剂制备CsPbBr3-CN202011584741.0有效
发明人：曹小兵;张国帅;郝雷;蔡一帆;蒋龙 -专利权人：五邑大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用绿色溶剂制备CsPbBr3钙钛矿的方法和器件，该方法包括以下步骤：取苯乙基溴化铵溶于异丙醇，形成PEABr/IPA溶液；取Pb(NO3)2水溶液制备形成Pb(NO3)2薄膜，然后在Pb(NO3)2层上滴加PEABr/IPA溶液，退火形成中间相；在中间相上滴加CsBr水溶液，热处理形成CsPbBr3钙钛矿。本发明利用苯乙基溴化铵补充溴源，同时苯乙基溴化铵与Pb(NO3)2形成的中间相利于制备出覆盖完全、晶粒粗大、表面平整的CsPbBr3薄膜，本发明的方法完全使用绿色的溶剂，具有环境友好、降低经济成本的优势，在太阳能电池等领域具有较好的应用前景。
使用绿色溶剂制备 cspbbr base sub

[发明专利]一种晶圆尺寸2H-MoTe2-CN202211227897.2在审
发明人：潘毅;王栋立;张一诺;李宇昂 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆尺寸2H‑MoTe2及分子束外延制备方法，在GaN衬底上，通过预先沉积Te缓冲层，并保持衬底温度和腔体真空度，立即向生长有Te缓冲层的GaN衬底沉积Te和Mo生长MoTe2，分别控制Te蒸发源在Te缓冲层上生长MoTe2的蒸发温度和Mo蒸发源的功率，来精确调控Te蒸发源和Mo蒸发源的蒸发速率，实现了晶圆尺寸、原子级平整、厚度均匀可控的外延二维半导体2H‑MoTe2的制备。本发明能够实现对2H‑MoTe2层厚的精准控制，克服了传统制备方法的样品尺寸小、纯净度低和多相混合及层厚难以调控的缺点，满足了芯片领域的器件阵列化和集成化的基本要求。
一种尺寸 mote base sub

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