[发明专利]用于静电放电保护应用的横向扩散金属氧化物半导体装置在审
| 申请号： | 202110811656.1 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN114078972A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | P·马哈詹;E·X·M·刘;黄庆真 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于静电放电保护应用的横向扩散金属氧化物半导体装置，提供用于横向扩散的金属氧化物半导体装置的结构和形成用于横向扩散的金属氧化物半导体装置的结构的方法。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域形成于基板中，栅极电极形成于基板上方，互连结构形成于基板上方，并且掺杂区域设置在第一源极/漏极区域下方的基板中。栅极电极横向位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，并且互连结构包括连接至第一源极/漏极区域的接触件。掺杂区域具有与接触件横向间隔一距离的侧边。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 放电 保护 应用 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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