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[发明专利]LDMOS器件及其制作方法-CN201410065295.0在审
发明人：蒲贤勇;马千成;程勇;曹国豪 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该LDMOS器件包括：半导体衬底；设置于半导体衬底中的体区和漂移区；设置于半导体衬底上的栅极；设置于漂移区中的漏极；其中，漂移区还包括阻挡漂移区热载流子漂移的漂移阻挡部。本申请在漂移区设置的漂移阻挡部能阻挡热载流子向栅极方向漂移，不但能降低栅极下方的电场强度，而且使最强电场发生的位置向下移动从而远离栅极的栅氧化层。电场强度的降低，提高了漂移区的击穿电压、减少了碰撞电离的发生，即减少了热载流子产生的数量；又由于最强电场的位置下移，到达栅氧化层的距离增加，使实际作用于栅氧化层的热载流子数量减少，从而最终实现了阻碍热载流子作用的效果
ldmos 器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN202210818484.5在审
发明人：杉浦宽人;住友正清 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：主元件和感测元件中的每一个包括漂移层、基极层、发射极区、栅极绝缘膜、栅电极和背面层。基极层位于漂移层上。发射极区位于基极层的表面层部分处。栅极绝缘膜布置在基极层的处于发射极区与漂移层之间的表面处。背面层面对基极层，漂移层位于背面层与基极层之间。主元件中的背面层包括集电极层。感测元件中的背面层包括具有比集电极层低的杂质量的低杂质层。
半导体器件

[发明专利]半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆-CN202211168326.6在审
发明人：焦春坤;滨田公守 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、设置于所述半导体衬底上的漂移层、设置于所述漂移层内的沟槽结构、栅极、层间介质层、源极以及漏极。漂移层包括依次在半导体衬底上叠层设置的第一N型半导体区、第二P型半导体区以及源区，以及设置在漂移层两侧的第一P型半导体区，沟槽结构具有多个第一沟槽和第二沟槽，并在第一沟槽和第二沟槽中设置栅极，在漂移层中制作紧密排列的沟槽阵列
半导体器件制备方法功率转换电路车辆

[发明专利]碳化硅半导体功率晶体管及制造其的方法-CN202210714181.9在审
发明人：陈伟梵;蔡国基 -专利权人：力拓半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的碳化硅半导体功率晶体管包括由碳化硅(SiC)制成的衬底、设置在衬底上的漂移层，形成在漂移层上的栅极层、设置在漂移层中的多个第一井拾取区及多个第二井拾取区、多个源极电极以及多个接触件。多个V形槽形成在漂移层中。在各V形槽的底部处的栅极层中形成第一开口，在V形槽之间的漂移层的顶部处的栅极层中形成第二开口。多个接触件设置在第二开口内，以直接接触第二井拾取区。
碳化硅半导体功率晶体管制造方法

[发明专利]一种具有双漂移区的雪崩光电探测器的制备方法-CN202211223859.X有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;罗丽园 -专利权人：天津英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双漂移区的雪崩光电探测器的制备方法，获得的雪崩光电探测器外延结构从下至上依次包括：n型InP衬底、n型InP缓冲层、n型DBR反射区域、n型InP漂移层、n型InGaAsP带宽过渡层一、本征型In0.53Ga0.47As吸收层、n型InGaAsP带宽过渡层二、n型InP电荷层和本征型InP盖层。相比于传统的只有InGaAs吸收层一个漂移区域的APD，本发明通过引入n型InP漂移层第二个漂移区域及n型DBR反射区域，减少了光生载流子的堆积，极大的提高了入射光被吸收的几率，从而提高了探测器的响应度
一种具有漂移雪崩光电探测器制备方法

[发明专利]一种含有P掺杂层的VDMOS器件及其制备方法-CN202310502054.7在审
发明人：朱炎 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种含有P掺杂层的VDMOS器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件包括：漏电极、N+衬底、N‑漂移层、两个P型阱区、至少一对P掺杂层、栅氧层、栅电极和源电极，N+衬底位于漏电极的上方；N‑漂移层位于N+衬底的上方，P型阱区呈“L”型，并设置于N‑漂移层的顶部，两个P型阱区之间形成JFET区，在每个P型阱区的上表面设有一个N+源区和一个P+源区，P掺杂层设置在N‑漂移层内，并相对于JFET区对称设置于P型阱区的下方，栅氧层位于N‑漂移层的顶部中间位置，栅电极设置于栅氧层的上方该器件通过在N‑漂移层内引入P掺杂层，能把高电场屏蔽在远离场氧处，在一定范围内能达到保持导通电阻的同时提升器件的阻断电压。
一种含有掺杂 vdmos 器件及其制备方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201510247679.9有效
发明人： R.巴布尔斯克;F.J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;V.范特里克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：第一pn结形成在体区和漂移区之间的过渡处。场截止区被布置在漂移区下面并邻接漂移区。利用与漂移区相同掺杂类型的掺杂剂来掺杂场截止区。然而，场截止区中的掺杂剂的浓度高于漂移区中的掺杂剂的浓度。由第一和第二半导体层构成的至少一对半导体层被布置在漂移区中。第一半导体层基本平行于半导体本体的顶表面延伸并用第一掺杂类型的掺杂剂掺杂，但是具有高于漂移区的掺杂剂浓度。第二半导体层被布置成邻近或者邻接第一半导体层并且用第二掺杂类型的掺杂剂掺杂。此外，第二半导体层被结构化成包括开口，使得通过漂移区提供垂直电流路径而没有居间pn结。
漂移区半导体层掺杂剂掺杂类型截止区绝缘栅双极晶体管半导体本体掺杂邻接顶表面垂直电流路径半导体部件基本平行过渡处结构化体区开口并用邻近延伸

[发明专利]半导体保护器件-CN202210544374.4在审
发明人：俞在炫;李奎沃;高在赫;权义熙;金晙赫;全镕宇;郑多源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体保护器件包括：N型外延层；设置在N型外延层的上表面上的器件隔离层；设置在器件隔离层下面的N型漂移区；设置在N型漂移区中的N型阱；第一P型漂移区和第二P型漂移区，分别设置为与器件隔离层接触并与N型漂移区间隔开；第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中；第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中以分别与第一P型掺杂区和第二P型掺杂区间隔开并设置为与器件隔离层接触；以及第一接触层和第二接触层，分别设置为覆盖第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，以与器件隔离层接触。
半导体保护器件

[发明专利]LDMOS终端结构以及LDMOS终端结构的制作方法-CN202211698844.9在审
发明人：王畅畅 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种LDMOS终端结构以及LDMOS终端结构的制作方法，该LDMOS终端结构包括基底以及场板结构，基底包括衬底、外延层、体区以及漂移区，外延层与衬底层叠设置，且体区与漂移区间隔设置于外延层中，外延层以及体区的掺杂类型相同，漂移区与外延层的掺杂类型不同，漂移区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；场板结构位于外延层的远离衬底的一侧，场板结构包括场板本部以及位于场板本部一侧的弧形场板，场板本部与弧形场板之间围成第一通孔，弧形场板在基底中的投影覆盖部分漂移区，体区与漂移区之间的外延层在场板结构中的投影位于第一通孔中。
ldmos 终端结构以及制作方法

[发明专利]低直流漂移薄膜及其制备方法-CN202310975076.5在审
发明人：梁龙跃;张秀全;胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种低直流漂移薄膜及其制备方法，用于制备包括第二缓冲层的低直流漂移薄膜，第二缓冲层包括呈周期性间隔排布的第一缓冲部和第二缓冲部，且第一缓冲部的电阻率大于第二缓冲部的电阻率，或第一缓冲部的电阻率小于第二缓冲部的电阻率第二缓冲层的电阻率在表面上以高阻率和低阻率相间的周期性形式分布，进而可以调节第二缓冲层在不同方向上的电阻率，从而可以减小第二缓冲层的纵向电阻，以引入有利的负直流漂移，能够部分抵消不利的正直流漂移，同时不会导致第二缓冲层的横向电阻发生明显下降，因此不会引入显著增加的直流漂移量，从而抑制直流漂移现象。
直流漂移薄膜及其制备方法

[发明专利]场致发射型电子源及其制法-CN02801378.6无效
发明人：菰田卓哉;相泽浩一;本多由明;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻;竹川宜志 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2002-04-24 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01J1/312 文献下载
摘要：在场致发射型电子源(10)中，在n－型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n－型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n－型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象
发射电子及其制法

[发明专利]一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管及其制备方法-CN201811064324.6在审
发明人：邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 -专利权人：秦皇岛京河科学技术研究院有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面形成4H‑SiC漂移层；在4H‑SiC漂移层上形成SiO₂掺硼乳胶源层；刻蚀SiO₂掺硼乳胶源层，在4H‑SiC漂移层上保留部分SiO₂掺硼乳胶源层；在SiO₂掺硼乳胶源层和4H‑SiC漂移层上形成第一钝化层；在4H‑SiC衬底下面制备欧姆接触金属层；刻蚀第一钝化层和SiO₂掺硼乳胶源层，以漏出部分区域的4H‑SiC漂移层，在4H‑SiC漂移层上制备肖特基接触金属层；在肖特基接触金属层上形成第一接触层；在欧姆接触金属层下面形成第二接触层；在第一钝化层和部分第一接触层上形成第二钝化层，以完成SiC肖特基二极管的制备。
漂移层乳胶制备掺硼源层肖特基二极管钝化层接触层欧姆接触金属层肖特基接触金属层注入型刻蚀终结二极管晶格损伤衬底漏出离子保留

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管-CN202210934974.1在审
发明人：孙琬茹;李翠;聂瑞芬;刘江;王耀华;金锐;汪玉;李宾宾 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，包括：漂移层；阱区，位于所述漂移层内；源区，位于所述阱区内；第一绝缘介质阻挡层，所述第一绝缘介质阻挡层位于所述阱区底部的漂移层中且与所述阱区邻接；第二绝缘介质阻挡层，所述第二绝缘介质阻挡层设置于所述阱区沿沟道长度方向两侧的漂移层中，所述第二绝缘介质阻挡层至漂移层的顶面的距离大于零；第一绝缘介质阻挡层和第二绝缘介质阻挡层暴露出所述阱区的底面和所述阱区的侧壁之间的交界区。
一种绝缘双极晶体管

[实用新型]可降低正向导通压降的肖特基二极管-CN201120063057.8有效
发明人：童钧彦;黄柏昌;赵伟胜;陈坤贤 -专利权人：璟茂科技股份有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可降低正向导通压降的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一表面，并形成一凹入表面的护环，护环内为一P型掺杂区；另外，N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒；其中，该N+型掺杂层在肖特基势垒下方形成有一向上延伸的N++型重掺杂层，令肖特基势垒下方的N-型掺杂漂移层的厚度变小，藉降低肖特基二极管的正向导通压降
降低向导通压降肖特基二极管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202311149652.7在审
发明人：冯尹;张鹏 -专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该绝缘栅双极型晶体管结构包括：集电层，具有第一掺杂类型；漂移层，设置于集电层的一侧，且漂移层具有第二掺杂类型；栅极结构，设置于漂移层远离集电层的一侧；第一掺杂层，接触设置于漂移层远离集电层的一侧，第一掺杂层包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域，第一间隔区域位于栅极结构靠近漂移层的一侧，且第一掺杂层具有第一掺杂类型；第二掺杂层，第二掺杂层在第一掺杂层上的投影位于第一间隔区域两侧，分别与栅极结构和第一掺杂层接触设置，且第二掺杂层具有第二掺杂类型；发射层，接触设置于第一掺杂层远离漂移层的一侧，且发射层具有第一掺杂类型。
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法