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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]环氧树脂组合物及电子部件装置-CN201780026111.1有效
发明人：石黑正;马场彻 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C08G59/62 文献下载
摘要：一种环氧树脂组合物，其含有：环氧树脂，包含下述通式(1)所示的化合物；和固化剂，包含选自亚联苯型苯酚芳烷基树脂、苯酚芳烷基树脂及三苯基甲烷型酚醛树脂中的至少1种。R1各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的一价烃基，R2表示式(a)所示的取代基，m表示0～20的数值，p表示0.5～2.0，R3各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的一价烃基。
环氧树脂组合电子部件装置

[发明专利]密封用树脂组合物、电子部件装置及电子部件装置的制造方法-CN201880098052.3在审
发明人： 马场彻;斋藤贵大;山浦格;田中实佳;儿玉俊辅;竹内勇磨 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：一种密封用树脂组合物，其含有环氧树脂、固化剂和无机填充材料，上述固化剂包含活性酯化合物，上述无机填充材料的平均粒径为5μm～100μm。
密封树脂组合电子部件装置制造方法

[发明专利]密封用树脂组合物、电子部件装置及电子部件装置的制造方法-CN201980063108.6在审
发明人：山浦格;田中实佳;马场彻;竹内勇磨;儿玉俊辅;斋藤贵大 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C08G59/42 文献下载
摘要：一种密封用树脂组合物，其含有环氧树脂和固化剂，所述环氧树脂包含多官能环氧树脂和二官能环氧树脂，所述固化剂包含活性酯化合物。
密封树脂组合电子部件装置制造方法

[发明专利]密封用树脂组合物、电子部件装置及电子部件装置的制造方法-CN201880098074.X在审
发明人： 马场彻;斋藤贵大;山浦格;田中实佳;儿玉俊辅;竹内勇磨 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：一种密封用树脂组合物，其用于狭路填充，上述密封用树脂组合物含有环氧树脂、固化剂和无机填充材料，上述固化剂包含活性酯化合物，上述无机填充材料的平均粒径小于10μm。
密封树脂组合电子部件装置制造方法

[发明专利]密封用环氧树脂成形材料及电子部件装置-CN201910098035.6在审
发明人：滨田光祥;古泽文夫;池泽良一;武宫庆三;马场彻 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种密封用环氧树脂成形材料，其含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)固化促进剂、(D)无机填充剂、(E1)含芳基氨基的烷氧基硅烷化合物、(E2)含环氧基的烷氧基硅烷化合物。
环氧树脂成形材料烷氧基硅烷化合物密封环氧树脂电子部件装置固化促进剂无机填充剂芳基氨基固化剂环氧基

[发明专利]固化性树脂组合物、图像显示装置及图像显示装置的制造方法-CN201780051409.8在审
发明人：宫本祐树;马场彻;高木俊辅;上田麻未 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C08F2/50 文献下载
摘要：本发明公开一种固化性树脂组合物，其含有光自由基聚合引发剂、单体成分、着色剂和光致产酸剂，单体成分包含具有环状醚基和1个自由基聚合性基团的单体。另外，本发明公开一种固化性树脂组合物，其含有光自由基聚合引发剂、单体成分、着色剂、光致产酸剂和具有环状醚基的化合物，单体成分包含具有1个自由基聚合性基团的单体。
固化性树脂组合物着色剂光自由基聚合引发剂自由基聚合性基团图像显示装置光致产酸剂环状醚基制造

[发明专利]固化性树脂组合物、图像显示装置及图像显示装置的制造方法-CN201780051380.3在审
发明人：宫本祐树;马场彻;高木俊辅;上田麻未 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C08F2/50 文献下载
摘要：本发明公开一种固化性树脂组合物，其含有光引发剂、单体成分和着色剂，光引发剂含有光自由基聚合引发剂、或者光自由基聚合引发剂和光致产碱剂，单体成分包含具有1个自由基聚合性基团且具有硅烷醇基和/或烷氧基甲硅烷基的单体。另外，本发明公开一种固化性树脂组合物，其含有光引发剂、单体成分、着色剂、以及具有硅烷醇基和/或烷氧基甲硅烷基的化合物，光引发剂含有光自由基聚合引发剂、或者光自由基聚合引发剂和光致产碱剂，单体成分包含具有1个自由基聚合性基团的单体。
光自由基聚合引发剂光引发剂固化性树脂组合物着色剂自由基聚合性基团烷氧基甲硅烷基图像显示装置硅烷醇基产碱剂制造

[发明专利]密封用环氧树脂成形材料及电子部件装置-CN201280023016.3在审
发明人：滨田光祥;古泽文夫;池泽良一;武宫庆三;马场彻 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种密封用环氧树脂成形材料，其含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)固化促进剂、(D)无机填充剂、(E1)含芳基氨基的烷氧基硅烷化合物、(E2)含环氧基的烷氧基硅烷化合物。
密封环氧树脂成形材料电子部件装置

[发明专利]传感器装置及其制造方法-CN200680044187.9无效
发明人：奥户崇史;铃木裕二;竹川宜志;马场彻;后藤浩嗣;宫岛久和;片冈万士;西条隆司 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有小的传感器波动特性和优良抗电噪声特性的传感器装置。该传感器装置具有传感器单元，该传感器单元包括具有开口的框架、保持在开口中相对于框架可移动的可移动部和用于输出基于可移动部的位置移动的电信号的检测部。该传感器装置还具有封装基板，该基板由半导体材料形成并结合于该传感器单元的表面上。该封装基板在面对传感器单元的表面上具有电绝缘膜，并且该电绝缘膜的活化表面在室温下直接结合于传感器单元的活化表面上。因此，该封装基板结合于传感器单元上。
传感器装置及其制造方法

[发明专利]传感器装置及其制造方法-CN200680044182.6无效
发明人：奥户崇史;铃木裕二;竹川宜志;马场彻;后藤浩嗣;宫岛久和;片冈万士;西条隆司 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：提供了一种具有稳定传感器特性的紧凑型传感器装置及其制造方法。该传感器装置由传感器基板和接合到传感器基板的两个表面的一对封装基板形成。传感器基板具有带开口的框架、保持在开口中可相对于框架移动的移动部分、和用于根据移动部分的位移输出电信号的探测部分。通过使用惰性气体的原子束、离子束或等离子体在传感器基板的框架和封装基板上形成表面激活区域。通过在室温时在传感器基板的表面激活区域与每个封装基板之间形成直接接合，可避免由在接合部分的残余应力导致的问题。
传感器装置及其制造方法

[发明专利]用从冷阴极电子发射器产生的电子处理和改善目标对象的方法和装置-CN200480026387.2无效
发明人：相泽浩一;栎原勉;菰田卓哉;池田顺治;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G21K5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种使用电子处理和改善目标对象的装置和方法，通过该装置和方法，即使在具有相对宽的表面区域需要处理的时候，也能够在与大气压力基本相等的压力下使用电子均匀且有效地处理和改善目标对象。该方法使用具有根据隧道效应从平面电子发射部分中发射出电子的能力的冷阴极电子发射器，并且优选包括一对电极以及一个包含布置于所述电极之间的纳米晶硅的强场漂移层。通过在所述电极之间施加电压来使目标对象暴露于从该平面电子发射部分中所发射的电子中。优选的是，所发射出的电子的能量从1eV到50keV、优选1eV到100eV的范围中选择。
阴极电子发射器产生处理改善目标对象方法装置

[发明专利]电场放射型电子源-CN200610004888.1无效
发明人：菰田卓哉;本多由明;相泽浩一;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
电场放射电子

[发明专利]电场放射型电子源-CN200610004886.2无效
发明人：菰田卓哉;本多由明;相泽浩一;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
电场放射电子

[发明专利]电场放射型电子源-CN200610004887.7无效
发明人：菰田卓哉;本多由明;相泽浩一;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极(7)。而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
电场放射电子

[发明专利]场发射型电子源及其制造方法-CN200380107724.6无效
发明人：栎原勉;菰田卓哉;相泽浩一;本多由明;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：场发射型电子源具有在由玻璃衬底构成的绝缘衬底(11)的一个表面(前表面)侧上形成的多个电子源元件(10a)。各电子源元件(10a)包括低电极(12)、由形成在低电极(12)上的非晶硅层构成的缓冲层(14)、在该缓冲层(14)上形成的多晶硅层(3)、在该多晶硅层(3)上形成的强电场漂移层(6)、以及在该强电场漂移层(6)上形成的表面电极(7)。该场发射型电子源可以降低电子发射性能的面内变化。
发射电子及其制造方法

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