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[发明专利]抗体恒定区修饰体-CN200880118581.1有效
发明人：井川智之;白岩宙丈 -专利权人：中外制药株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： C07K16/00 文献下载
摘要：本发明人等成功地改善了抗体恒定区在酸性条件下的稳定性、来自铰链区二硫键的异质性、来自H链C末端的异质性、在高浓度制剂中的稳定性。进一步成功地发现了在将新的T细胞表位肽的出现降至最小限度的同时降低与Fcγ受体结合的新的恒定区序列。由此，成功地发现了使物性(稳定性和均一性)、免疫原性、安全性以及药物动力学得到改善的抗体恒定区。
抗体恒定修饰

[发明专利]多区气囊帘体-CN200680011055.6无效
发明人： R·凯沙瓦拉吉 -专利权人：美利肯公司
申请日： 2006-05-04 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： B60R21/231 文献下载
摘要：一种气囊帘体，在其帘体结构内包括至少一对基本不连续的充气区，这样在一个充气区不起作用或脱离时，至少一个另外的充气区仍然能工作。
气囊

[实用新型]具有流体区的带体结构-CN201721448015.X有效
发明人：林勇志;沈翔 -专利权人：四维精密材料股份有限公司;有玄物联网(上海)有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： B32B7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有流体区的带体结构，包括一平面胚料型态的覆盖层、流体区和载体的组合；覆盖层和载体分别定义有上表面和下表面。以及，使流体区布置在覆盖层下表面和载体上表面之间的至少局部区域，而共同构成一(带体)总成；所述流体区包含有流体或流体混合物(例如，气体、油墨或其类似材料)，容许操作(使用)时从总成的切口边(或边缘)释出
流体区覆盖层带体结构上表面下表面本实用新型流体混合物环保意识局部区域类似材料平面胚料视觉效果流体带体警示释出油墨标示

[实用新型]具有多熔体区的坩埚-CN202220735391.1有效
发明人：田野;陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有多熔体区的坩埚，包括：第一坩埚和第二坩埚，第一坩埚包括第一侧壁、第一底壁；第二坩埚包括第二侧壁、第二底壁，第二坩埚设置于第一坩埚内，第二坩埚限定形成晶体生长区，第二底壁沿周向方向向外延伸与第一坩埚相接，第二坩埚外侧壁与第二底壁之间沿第二坩埚的周向设有隔离壁；坩埚限定形成加料区、第一熔体区、第二熔体区；第二底壁上开设有连通加料区和第一熔体区的第一过孔，以及连通第一熔体区和第二熔体区的第二过孔，第二侧壁开设有连通第二熔体区和晶体生长区的第三过孔本实用新型公开的坩埚有利于提升晶体生长区内熔汤的均匀性，还可以防止未完全熔化的硅材料直接进入晶体生长区造成杂质。
具有多熔体区坩埚

[外观设计]办案区审讯一体桌-CN202130802826.0有效
发明人：薛超;黄艳;杜庆雨;刘冬季;张辰;孙雅丽 -专利权人：天地伟业技术有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：办案区审讯一体桌。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于办案区审讯室内，帮助办案人员审讯办案。
办案审讯一体

[发明专利]具有自对准体的半导体器件及其形成方法-CN200510106912.8无效
发明人：郑载勋;林勋;郑舜文;赵厚成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括体区，该体区具有：源区、漏区、插在源区与漏区之间的沟道区以及从该沟道区的端部开始延伸的体区。在沟道区和体区上形成栅极图形，而且体接触使栅极图形连接到体区。体区延伸部分的侧壁自对准栅极图形的侧壁。还公开了用于形成具有自对准体和体接触的半导体器件的方法。
具有对准半导体器件及其形成方法

[发明专利]LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法-CN201811567232.X有效
发明人：王孝远;王刚宁;彭坤;辜良智;蒲贤勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法，LDMOS器件包括：位于漂移区内的漏区；位于体区内的源区，基底暴露出所述源区表面，且所述源区紧挨栅极结构，所述源区的掺杂类型与漏区的掺杂类型相同；位于所述体区内且紧挨所述源区的体接触区，所述基底暴露出所述体接触区表面，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；位于所述体区内且位于所述体接触区下方的击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。本发明在体接触区与体区之间设置有击穿调节掺杂区，提高体区与漂移区之间的抗穿通能力。
ldmos 器件及其形成方法半导体器件

[发明专利]横向双扩散晶体管及其制造方法-CN202010685901.4有效
发明人：葛薇薇 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种横向双扩散晶体管及其制造方法，该横向双扩散晶体管包括衬底；漂移区，位于衬底顶部；漏区和体区，分别位于漂移区顶部的相对两侧；源区和体接触区，均位于体区内部，且相互邻接；以及介质层和场板层，依次层叠在漂移区的表面；体区部分向漏区所在的方向延伸，形成至少一个体区延伸区，体区延伸区和与之邻接的漂移区呈交叉指状分布；体区顶部远离漏区的一侧形成有至少一个凹槽，且源区和体接触区位于体区内具有凹槽的一侧，源区位于体区顶部且位于体接触区上方该横向双扩散晶体管交叉指状的体区及体接触区的存在，不仅增加了器件的沟道密度，而且增大了体接触区的引出面积，从而减小了导通电阻和体区电阻，有效防止寄生的NPN误开启。
横向扩散晶体管及其制造方法

[实用新型]一种体模消毒设备-CN202121668953.7有效
发明人：司朝辉;何华超 -专利权人：广州亲安环保科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： A61L2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种体模消毒设备，所述体模消毒设备包括体模悬挂区、外表清洗区、外表消毒区、腔道清洗消毒区、烘干区体、模喷粉区、包装区，所述体模悬挂区、外表消毒区、腔道清洗消毒区中均设置导轨，体模滑动安装在所述导轨上，所述体模通过滑块在所述体模悬挂区、外表消毒区、腔道清洗消毒区中的导轨上滑动；所述体模在所述体模悬挂区中通过悬挂工装悬挂在所述滑块上；体模悬挂区、外表消毒区、腔道清洗消毒区可以呈环形设置，也可以呈直线型依次设置本发明能够实现对体模的外表面及内腔的清洗、消毒、烘干，并对体模外表面进行喷粉，最终完成体模的包装，实现了体模流水线消毒的自动化、减少人工，提高效率。
一种消毒设备

[实用新型]一种高压变频器-CN201621216639.4有效
发明人：吴旻 -专利权人：天安电气集团浙江电气有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压变频器，包括第一隔板，所述第一隔板将高压变频器柜分为前后对称的两个柜体空间；该柜体空间包括主柜体区和辅柜体区，所述主柜体区和辅柜体区通过第二隔板隔开；所述主柜体区包括上下间隔设置的多个功率单元柜体区，多个所述功率单元柜体区通过第三隔板隔开；所述辅柜体区包括控制柜体区、变压器柜体区和旁路柜体区，所述控制柜体区与变压器柜体区和旁路柜体区通过第四隔板左右隔开，所述变压器柜体区和旁路柜体区通过第五隔板上下隔开，将旁路器件与变压器、主控部分全部放于一个柜体，故变频器整体尺寸较小，即可节省大量空间，同时也节约成本。
一种高压变频器

[发明专利]一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法-CN202010844426.0在审
发明人：王家佳;李多力;曾传滨;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法，该器件结构包括：位于SOI衬底顶层硅中的有源区、体引出区、刻蚀到顶层硅第一深度的部分浅槽隔离区、刻蚀到埋氧层的完全浅槽隔离区、以及位于顶层硅上方的栅极，有源区包括源区、漏区、沟道以及体接触区；部分浅槽隔离区为工型区域且位于有源区的外围，源区、漏区以及沟道位于工型区域的第一开口内，体接触区位于工型区域的第二开口内；体引出区位于部分浅槽隔离区下方，并与沟道下方的体区以及体接触区接触上述方案中，器件沟道下方的体区能够接触到部分浅槽隔离区下方的体引出区，由于体引出区与体接触区接触，有效的抑制了浮体效应。
一种接触 soi mos 器件结构形成方法

[发明专利]一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法-CN201310208368.2在审
发明人：黄泽军;李伟;李伟聪 -专利权人：深圳市锐骏半导体有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法，包括接出金属板以及接出金属板下面的体区的设计，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、体区接出面、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触孔设置在体区接出面上；所述接出金属板划分为栅极金属板、源区金属板、体区电极金属板。设计步骤：缩小源区的面积，形成新的源区面，留出体接出面；确定体接出面积；在体接出面上增加体接触孔；在体接触孔上连接体接出金属板。本发明的提出，实现了对体单独施加电压，能实现电调效果。
一种沟槽 mos 及其体区接出设计方法

[发明专利]功率晶体管-CN202210296242.4在审
发明人：陈文高;杨东林;刘侠;潘志胜 -专利权人：苏州迈志微半导体有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：功率晶体管在横向方向上包括元胞区、过渡区和终端结构区，功率晶体管包括：衬底；外延层，设置于衬底之上；多个第一体区，设置于外延层中；多个第二体区，设置于外延层中，在元胞区中的多个第二体区相应地位于元胞区中的多个第一体区上方；其中，在元胞区中的多个第一体区中的部分第一体区处于电位浮置状态，从而形成多个浮置第一体区，在元胞区中的多个第一体区中的另一部分第一体区未处于电位浮置状态，从而形成多个非浮置第一体区，多个非浮置第一体区上方形成有相应的多个非浮置第二体区，多个非浮置第一体区上方形成有相应的多个非浮置第二体区，非浮置第二体区中设置有第一重掺杂区和第二重掺杂区。
功率晶体管

[发明专利]具有埋置沟道区/体区的半导体器件及其制造方法-CN201410799027.1在审
发明人： S·特根;M·勒姆克;R·威斯 -专利权人：英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一导电类型的源区，其被形成在第一电极鳍中，该第一电极鳍从第一表面延伸进入半导体部分之中。第一导电类型的漏区被形成在第二电极鳍中，该第二电极鳍从第一表面延伸进入半导体部分之中。沟道区/体区被形成在晶体管鳍中，该晶体管鳍在距第一表面一定距离处在第一电极鳍和第二电极鳍之间延伸。该第一电极鳍和第二电极鳍沿着第一横向方向延伸。
具有沟道半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201811474807.3有效
发明人：丹羽史和 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体基板具有与集电极区重叠的IGBT区域以及与阴极区重叠的二极管区域。半导体基板具有：横跨从IGBT区域至二极管区域而分布的漂移区；配置在IGBT区域内的体区、体接触区以及发射极区；和配置在二极管区域内的阳极区以及阳极接触区。体区具有第一体区和第二体区，该第二体区的p型杂质浓度与第一体区以及阳极区相比较低。第二体区与阳极区相邻。第一体区在第二体区的阳极区侧的相反侧与第二体区相邻。
半导体装置

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