“漂移区”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果682732个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法-CN201310480618.8在审
发明人： R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：至少一个晶体管单元包括半导体翼片和在半导体翼片中的源区、漏区、漂移区和体区。体区布置得在半导体翼片的第一方向邻近源区和漂移区。源区布置得在半导体翼片的第二方向邻近漂移区并且通过介电层与漂移区介电绝缘。漂移区布置得在第一方向邻近漏区并且具有低于漏区的掺杂浓度的掺杂浓度。栅电极在半导体翼片的第三方向邻近体区。
晶体管器件用于产生方法

[实用新型]一种LDMOS器件结构-CN201821139718.9有效
发明人：李科;万宁;丛密芳;任建伟;李永强;黄苒;苏畅;李浩;杜寰 -专利权人：北京顿思集成电路设计有限责任公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种LDMOS器件结构，包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底上的第一导电类型的外延层；形成在外延层中的第二导电类型的漂移区；第一导电类型的阱区，自外延层的表面延伸到衬底中；第一导电类型的沟道区，形成在漂移区中并位于漂移区与阱区之间；第二导电类型的源区，位于阱区和沟道区中；以及第二导电类型的漏区，位于漂移区中，位于沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；其中，自外延层的靠近表面处还形成有沟槽，沟槽部分地覆盖漂移区及沟道区，沟槽填充有氧化物构成的沟槽填充区域
漂移区第一导电类型沟道区外延层导电类型衬底阱区沟槽填充区域栅极绝缘层表面延伸沟槽填充表面处氧化物漏区源区覆盖

[发明专利]一种GaN异质结电导调制场效应管-CN201810457502.5在审
发明人：周琦;魏东;邓操;董长旭;黄芃;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明正向导通时，当漏极加正电压后，将有大量空穴从P型重掺杂GaN层注入到轻掺杂N型GaN漂移区，使轻掺杂N型GaN漂移区发生大注入现象，同时为了维持电荷平衡，将有大量电子从源极注入到漂移区，从而使原本轻掺杂的漂移区载流子浓度增加，使轻掺杂N型GaN漂移区发生电导调制，大幅降低其漂移区电阻，从而新结构可以进一步获得一个低导通电阻和大导通电流的优良正向特性。反向耐压时，利用浮空P‑GaN与N型漂移区所形成的反偏PN结作为栅端保护环减小栅端电场峰值，且该反偏PN结在承受反向耐压时其耗尽区不断扩展使该器件体内电场分布均匀，从而降低反向泄漏电流、提高器件击穿电压
漂移区轻掺杂电导调制场效应管反向耐压异质结反偏栅端载流子功率半导体技术器件击穿电压空穴低导通电阻导通电流电场分布电荷平衡浓度增加泄漏电流正向导通正向特性电场耗尽区新结构正电压电阻浮空减小漏极源极体内

[发明专利]掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法-CN202110547013.0有效
发明人：张春伟;向振宇;李阳;岳文静;高嵩;阚皞 -专利权人：济南大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法，包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底表面的漂移区；所述漂移区与半导体衬底之间的边界为圆弧；在所述漂移区全部区域或者设定的部分区域内，其各位置的掺杂浓度处于imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />之间，其中，Ec为漂移区材料的临界击穿电场强度，ε0为真空介电常数，εr为漂移区材料的相对介电常数，q为单位电荷量，R为相应位置到所述圆弧所在圆心的距离。本发明通过将器件的掺杂浓度渐变，会使器件的电场集中效应对电场的影响与漂移区空间电荷区对电场的影响相互抵消，从而使器件获得极佳的耐压能力。
掺杂浓度渐变圆形漂移半导体器件及其制备方法

[发明专利]DDDMOS器件及其制造方法-CN201610675008.7在审
发明人：刘冬华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种DDDMOS器件，包括：一硅衬底；形成于所述硅衬底上的一第一导电类型埋层；形成于所述第一导电类型的埋层上的一第一导电类型外延层；形成于所述第一导电类型外延层上的漂移区，所述漂移区内包括第一导电类型重掺杂区；形成于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型阱区，该第二导电类型阱区相邻于所述漂移区，所述第二导电类型阱区内形成有第一导电类型重掺杂区以及第二导电类型重掺杂区；形成于所述第二导电类型阱区以及所述漂移区上的栅极多晶硅；所述栅极多晶硅与所述第二导电类型阱区以及所述漂移区之间形成有栅氧化层,所述栅极多晶硅覆盖所述漂移区。
dddmos 器件及其制造方法

[发明专利]横向双扩散晶体管及其形成方法-CN201810400969.6在审
发明人：杨震 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双扩散晶体管及其形成方法，横向双扩散晶体管包括：基底；位于基底中的漂移区；位于基底中的源端阱区，源端阱区和漂移区邻接且位于漂移区的侧部；位于所述漂移区中的场氧化层；位于部分源端阱区上的栅极结构，且源端阱区上的栅极结构还延伸至部分漂移区和部分场氧化层上；位于所述栅极结构和场氧化层一侧的漂移区中的漏区；附加栅极结构，附加栅极结构和栅极结构分立，所述附加栅极结构位于栅极结构和漏区之间的部分场氧化层上
栅极结构漂移区横向双扩散晶体管场氧化层源端阱区电容基底漏区电学连接顶部表面邻接地线分立延伸

[发明专利]功率半导体器件-CN202210645131.X在审
发明人：河定穆;禹赫;金台烨;崔东桓;金信儿 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：功率半导体器件包括：基于碳化硅(SiC)的半导体层；设置为在半导体层内部在垂直方向上延伸并且具有第一导电类型的垂直漂移区；阱区，其定位在垂直漂移区的至少一侧处以与垂直漂移区接触并且具有第二导电类型；凹入栅电极，其从半导体层的表面延伸到半导体层中并且掩埋在垂直漂移区和阱区中以在第一方向上与垂直漂移区和阱区交叉；源区，其在凹入栅电极之间定位在阱区中并且具有第一导电类型；以及绝缘层保护区，其在垂直漂移区中分别围绕凹入栅电极的下部并且具有第二导电类型
功率半导体器件

[发明专利]一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管及其制作方法-CN201811558022.4有效
发明人：杨林安;李秀圣;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管，包括：衬底层；外延层，位于衬底层上层；欧姆接触层，位于外延层中间的上层；第一漂移区，位于欧姆接触层中间的上层；第二漂移区，位于第一漂移区上层；雪崩区，位于第二漂移区上层；欧姆接触电极，位于欧姆接触层两侧和欧姆接触层两侧的上层；第一钝化层，位于欧姆接触层上层和欧姆接触电极上层，且位于第一漂移区两侧、第二漂移区两侧和雪崩区两侧；第二钝化层，位于第一钝化层上层；肖特基接触电极，位于雪崩区上层和第二钝化层上层。本发明提出的二极管，提高了雪崩区载流子电离率，雪崩效应被限制在雪崩区，减小了雪崩区宽度，改善了功率输出能力。
一种双异质结复合钝化 impatt 二极管及其制作方法

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980028584.4在审
发明人：加藤由晴;安喰彻;白川彻;高桥美咲;三塚要;吉村尚;小野泽勇一;泷下博;吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202310593138.6在审
发明人：杨新杰;黄帆 -专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件和半导体器件的制造方法，一种半导体器件包括半导体基底、栅极结构、源区、漏区、源极和漏极，半导体基底的上表层设有彼此间隔设置的漂移区和体区，栅极结构设于半导体基底上，且包括部分设于漂移区上方的栅导电层，源区设于体区的上表层内，漏区设于漂移区的上表层内。其中，栅导电层包括设于漂移区上方的第一栅导电部，第一栅导电部在漂移区上的正投影在沿源区指向漏区的方向上的尺寸小于或等于预设值。有利于减小栅导电层和漏极之间的电容，进而可降低半导体器件的开关损耗。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种LDMOS器件-CN201821139050.8有效
发明人：万宁;李科;丛密芳;任建伟;李永强;黄苒;苏畅;李浩;杜寰 -专利权人：北京顿思集成电路设计有限责任公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LDMOS器件，包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的第一导电类型的外延层，其特征在于，自外延层表面向下延伸的第二导电类型的漂移区；自外延层表面向下延伸至衬底的第一导电类型的阱区；自外延层表面向下延伸的第一导电类型的沟道区，位于漂移区与阱区之间；第二导电类型的源区，位于阱区与沟道区中；第二导电类型的漏区，位于漂移区中；位于沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；覆盖漂移区表面及栅极表面的绝缘层；位于绝缘层中部分地覆盖栅极及漂移区的屏蔽环，屏蔽环在邻近栅极侧具有凹陷部。
漂移区第一导电类型外延层表面导电类型向下延伸沟道区衬底阱区绝缘层屏蔽环本实用新型栅极绝缘层栅极表面凹陷部外延层覆盖漏区源区邻近

[发明专利]一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管-CN201710866957.8有效
发明人：段宝兴;张琛;袁嵩;曹震;赵逸涵;师通通;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管(VDMOS)，该结构主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High K介质层上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时，电荷补偿层与High K介质层共同辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，降低了器件的导通电阻。器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层，使得器件的导通电阻进一步降低。
一种具有电荷补偿纵向扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管

[发明专利]一种具有复合介质层纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法-CN201710623812.5有效
发明人：段宝兴;曹震;吕建梅;师通通;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有复合介质层(Composite Dielectric Layer，CDL)纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法，该器件主要是在器件栅电极下方的漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅器件关断时SIPOS柱与High K介质层上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时，SIPOS柱与High K介质层共同辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，降低了器件的导通电阻。器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层，使得器件的导通电阻进一步降低。
一种具有复合介质纵向扩散金属氧化物半导体场效应及其制作方法

[发明专利]一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管-CN201710866946.X有效
发明人：段宝兴;张琛;袁嵩;吕建梅;赵逸涵;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管(VDMOS)，该器件主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High K介质层上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时，电荷补偿层与High K介质层共同辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，降低了器件的导通电阻。器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层，使得器件的导通电阻进一步降低。
一种具有电荷补偿纵向扩散金属氧化物宽带半导体场效应晶体管

[发明专利]一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法-CN201710623838.X有效
发明人：段宝兴;曹震;吕建梅;师通通;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有复合介质层(Composite Dielectric Layer，CDL)宽带隙纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法，该器件主要是在器件栅电极下方漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅层器件关断时SIPOS柱与High K介质层上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时，SIPOS柱与High K介质层共同辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，导通电阻降低。在器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层，使得器件的导通电阻进一步降低。
一种具有复合介质宽带半导体纵向扩散金属氧化物场效应及其制作方法