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- [发明专利]一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法-CN202310413511.5有效
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张甲;任宣羽;葛传洋;李宇阳
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哈尔滨工业大学
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2023-04-18
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2023-10-03
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C30B29/46
- 本发明涉及硒氧化铋薄膜制备领域，更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，使用水热法制备二维Bi2O2Se，步骤一：将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中，加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A，步骤二：在氢氧化钠溶液中加入水合肼，将硒粉溶于其中后形成溶液B，步骤三：将溶液A和溶液B进行混合，转移至聚四氟乙烯内衬中，步骤四：将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中，装入反应釜；步骤五：将反应釜放入烘箱，调节温度与时间，步骤六：反应完成后，取出衬底，使用乙醇、去离子水洗涤，氩气吹干，可以使用简单方法，绿色安全的批量生产Bi2O2Se。
- 一种生长氧化薄膜方法
- [发明专利]Ga基范德华室温铁磁晶体材料、制备与应用-CN202210849612.2有效
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常海欣;张高节;武浩
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华中科技大学
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2022-07-19
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2023-08-25
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C30B29/46
- 本发明公开了Ga基范德华室温铁磁晶体材料、制备与应用，属于纳米磁性材料制备技术领域。材料为Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1,b＝0.8～1.2)和Fe5‑cGeGadTe2(c＝‑0.2～0.2,d＝0.01～0.5)。Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1,b＝0.8～1.2)的生长方法是自助熔剂法，以过量的Ga和Te作为助熔剂来生长晶体。Fe5‑cGeGadTe2(c＝‑0.2～0.2,d＝0.01～0.5)的生长方法是化学气相输运法，以碘单质作为输运剂来生长晶体。本发明提供的Ga基范德华室温铁磁晶体Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1,b＝0.8～1.2)和Fe5‑cGeGadTe2(c＝‑0.2～0.2,d＝0.01～0.5)材料组分均匀，具有范德华结构，容易机械剥离，居里温度分别为330～367K和320～345K，饱和磁矩分别为50～57.2emu/g和80～88.5emu/g。其中，Fe3‑aGabTe2(a＝‑0.3～0.1,b＝0.8～1.2)单晶的垂直磁各项异性能高达3.25×105～4.79×105J/m3。
- ga基范德华室温晶体材料制备应用
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