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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种精馏玻璃设备的清洗方法-CN201910938740.2有效
发明人：丁姜宏;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种精馏玻璃设备的清洗方法，通过后续清洗，可以将精馏玻璃设备可以应用于ppb级试剂的制备中，解决了高硅硼玻璃在电子级试剂制备中的应用过程中金属离子、杂质颗粒溶出的问题，在玻璃清洗领域具有良好的使用前景。
一种精馏玻璃设备清洗方法

[发明专利]一种化学蚀刻组合物及其应用方法-CN202111634116.7在审
发明人：张文贝;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种化学蚀刻组合物，包括：氧化剂、络合剂、有机胺、有机溶剂、腐蚀抑制剂和去离子水。使用本发明提供的化学蚀刻组合物，能够有效刻蚀钼或钼基材料，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
一种化学蚀刻组合及其应用方法

[发明专利]蚀刻组合物-CN202111624865.1在审
发明人：张文贝;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体蚀刻工艺领域，尤其涉及一种蚀刻组合物。一种蚀刻组合物，包括氢氧化铵的衍生物、氧化剂、含氟蚀刻剂、有机溶剂、腐蚀抑制剂和水。本发明蚀刻组合物不但特别适用应用于湿法蚀刻钼及氮化钛，且能够调节对钼/氮化钛的蚀刻选择性；采用了本发明的蚀刻组合物，在能够有效刻蚀钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)的情况下，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
蚀刻组合

[发明专利]一种厚光刻胶清洗液-CN202111598182.3在审
发明人：程章;刘兵;彭洪修;赵文才 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种厚光刻胶清洗液，包括季铵氢氧化物，有机溶剂，第一腐蚀抑制剂，第二腐蚀抑制剂和去离子水；所述有机溶剂包含第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一腐蚀抑制剂为多元醇类化合物；所述第二腐蚀抑制剂为含巯基的芳香化合物。本发明中的厚光刻胶清洗的去除液不仅能够有效地除去较厚的光刻胶，同时对晶圆上的铜金属薄膜、非金属材料AlN和凸点材料(SnAg、Sn、NiSnAg等)有较好的相容性。
一种光刻清洗

[发明专利]一种半导体器件清洗中去除静电的方法-CN202011638614.4在审
发明人：王胜利;徐海玉;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体器件清洗中去除静电的方法。本发明采用溶剂对清洗前的晶圆进行预处理，释放掉晶圆表面的电荷，再利用化学药剂进行常规的清洗，消除了静电的危害，提高了晶圆的良率。
一种半导体器件清洗去除静电方法

[发明专利]一种蚀刻组合物及其应用-CN202011443394.X在审
发明人：夏德勇;刘兵;彭洪修;张维棚 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种蚀刻组合物及其应用。其包括：磷酸、硅烷化合物、硅基磷酸酯类化合物和去离子水。本发明的蚀刻组合物可以选择性地蚀刻氮化硅同时最小化地蚀刻氧化硅，解决了氧化硅再生长的问题，同时避免了在基底形成颗粒，操作窗口较大，在半导体高温蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
一种蚀刻组合及其应用

[发明专利]一种从含羧基化合物的溶液中除铁离子的方法-CN202010870684.6在审
发明人：丁姜宏;姜政俊;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C07C51/47 文献下载
摘要：本申请涉及一种从含羧基化合物的溶液中除铁离子的方法，包括以下步骤：(1)将阴离子树脂预处理,直至树脂洗脱液中阴离子浓度＜10ppb；以及(2)将包含铁离子和羧基化合物的溶液以0.1～10BV/h的流速通过所述阴离子树脂，收集并检测通过所述阴离子树脂后的所述包含羧基化合物的溶液中的所述铁离子含量，当折合到所述铁离子相对于所述羧基化合物的含量为10ppb时停止收集。最终得到的含羧基化合物的溶液中的铁离子含量10ppb，并且操作简单、收率高、重复性好、易于生产、引入杂质少、并且不会导致阴离子树脂被穿透。
一种羧基化合物溶液离子方法

[发明专利]一种电子级胍盐的制备方法-CN202010841622.2在审
发明人：丁姜宏;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C07C277/06 文献下载
摘要：本发明提供一种电子级胍盐的制备方法，包括，(1)使用超纯水制备胍盐水溶液；(2)将反溶剂加入至所述胍盐水溶液中，得到潮湿的沉淀物；(3)干燥所述沉淀物，得到电子级胍盐。本发明提供的制备方法操作简单，回收率高；在室温下进行，安全可靠，不存在安全隐患；原料价格低廉，能够有效降低生产成本；得到的产物纯度高，得到的胍盐纯度可达到含量＞99.5％、金属离子＜1ppm。
一种电子级胍盐制备方法

[发明专利]一种富含水的羟胺剥离清洗液-CN201510996527.9有效
发明人：黄达辉;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种富含水的羟胺剥离清洗液，其包含(a)羟胺(b)有机溶剂(c)水(d)烷基苯酚以及(e)芳基有机酸。该清洗液不含醇胺，可用以去除半导体晶片表面的光致抗剂、蚀刻后和灰化后的残留物以及来自Al后端工艺互连结构的残留物和污染物。这种低蚀刻性的清洗液能够快速的去除半导体光致抗剂、蚀刻后和灰化后的残留物，同时对金属铝等基材具有非常低的蚀刻速率，还具有很好的稳定性。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。
一种含水剥离清洗

[发明专利]一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用-CN201310513168.8有效
发明人：刘江华;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用。这种去光刻胶剥离液含有（a）季胺氢氧化物（b）醇胺（c）溶剂（d）带有颜料吸附基团的星型共聚物（e）含有特定结构的硅烷。该光刻胶剥离液能够有效的降低对金属的腐蚀速率，尤其是对金属铝基本无腐蚀；同时能够更为有效地去除晶圆上的光刻胶及其残留物，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。
一种金属刻蚀光刻剥离及其应用

[发明专利]一种用于铜大马士革工艺的清洗液-CN202010413065.4在审
发明人：肖林成;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：一种用于铜大马士革工艺的清洗液，包括：氧化剂、螯合剂、有机碱、表面张力调节剂、金属缓蚀剂、有机酸铵盐、和水。本发明通过在清洗液中添加表面张力调节剂，在TiN硬掩模完全去除，金属材料、非金属材料以及低k介质材料得到很好的保护前提下，进一步降低了清洗液的表面张力，使金属缓蚀剂易于从晶圆表面脱附，进而使刻蚀残留物完全去除，进一步增强了清洗效果，提高了半导体器件的良率，且本申请的用于铜大马士革工艺的清洗液不含氟化物，操作窗口较大(适用于20℃～80℃)，PH值适用范围广(pH值为5～14)，在高端半导体清洗领域具有良好的应用前景。
一种用于大马士革工艺清洗

[发明专利]一种去除蚀刻残留物的清洗液-CN202010352134.5在审
发明人：程章;刘兵;肖林成;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请提供一种去除蚀刻残留物的清洗液，包括：氧化剂、水、有机溶剂、氟化物、无机酸和金属缓蚀剂。本发明的去除蚀刻残留物的清洗液的清洗能力强，能够有效地高选择性地去除3D‑NAND结构中的TiN和TiSi硬掩模，并且对金属钨(W)和非金属材料(如SiON、SiN和SiO2等)有较小的腐蚀速率，从而达到选择性保护的效果，且操作窗口较大，尤其在25～60℃时，能够有效的保证TiN/W和TiSi/W蚀刻速率比大于10，适用于批量旋转清洗方式，在半导体晶片清洗领域具有良好的应用前景。
一种去除蚀刻残留物清洗

[发明专利]一种化学清洗液及其使用方法-CN202010293121.5在审
发明人：刘兵;彭洪修;肖林成;张维棚;赵鹏 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明提供一种化学清洗液及其使用方法，其中所述化学清洗液含有氧化剂、吡唑及其衍生物、氧化剂稳定剂、二甘醇胺、氟化物以及水。本发明的清洗液清洗能力强，可一步有效去除铜大马士革工艺中等离子体刻蚀残留物和硬膜氮化钛，并且对金属Cu和非金属介质(如SiON、TEOS、低介质常数材料BDII等)均有较小的腐蚀速率。
一种化学清洗及其使用方法

[发明专利]一种去除有机物中微量阴、阳离子的方法-CN201911397725.8在审
发明人：丁姜宏;刘兵;彭洪修 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C07H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除有机物中微量阴离子、阳离子的方法。本发明通过离子树脂和抛光树脂处理有机物原料，即可得到离子含量1ppb、阴离子10ppb的产品。离子交换树脂吸附饱和后可以重复利用，相比于精馏，离子交换树脂纯化过程中没有相变发生，更加节能。而且室温操作，更加安全，利于放大生产。
一种去除有机物微量阳离子方法

[发明专利]一种单晶片的湿法清洗方法-CN201911397749.3在审
发明人：陈东强;徐海玉;任晓刚;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶片湿法清洗方法，包括，将待清洗晶片固定在旋转的夹盘上，所述待清洗晶片随夹盘同步旋转，向旋转的待清洗晶片表面喷射气体进行预处理，所述气体选自二氧化碳、氨气中的一种或多种；将所述预处理后的待清洗晶片进行清洗、漂洗以及干燥步骤。本发明中的清洗方法，能够改善清洗化学品对带有深孔结构的晶片的浸润性。
一种晶片湿法清洗方法

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