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[实用新型]KDP晶体柔性夹持结构-CN201721636703.9有效
发明人：易聪之;熊召;袁晓东 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种KDP晶体柔性夹持结构，一种KDP晶体柔性夹持结构，包括底框、压框和KDP晶体，所述底框和压框均为矩形框结构并相互扣合形成容纳KDP晶体的容置空间，所述压框和底框上分别穿设有用于夹紧KDP晶体的上铜头和下铜头，所述上铜头和和下铜头与KDP晶体之间均设有柔性垫片，该柔性垫片由橡胶材质的主体层和采用聚四氟乙烯材料的面层复合而成，其中面层与KDP晶体表面接触。本实用新型能够确保KDP晶体的稳定夹持，并减小夹持对晶体面形的影响，具有可靠性好，结构简单，操作方便等优点。
铜头柔性夹持底框压框本实用新型柔性垫片夹持面层聚四氟乙烯材料矩形框结构晶体面形容置空间橡胶材质主体层夹紧减小容纳复合

[发明专利]用于KDP晶体搬运和位置调整的真空吸附装置-CN201210265804.5有效
发明人：戴一帆;关朝亮;铁贵鹏;李圣怡;尹自强 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于KDP晶体搬运和位置调整的真空吸附装置，包括吸盘和抽真空部件，吸盘的一端设有用来与KDP晶体表面贴合的平整吸附面，吸附面上开设有与抽真空部件连通的导气槽。本发明可有效提供KDP晶体吸附时的支撑，减小KDP晶体吸附时的变形，防止KDP晶体爆裂和被吸附面的刮伤。
用于 kdp 晶体搬运位置调整真空吸附装置

[发明专利]一种固结磨料抛光垫及易潮解KDP晶体干式抛光方法-CN202110246315.4有效
发明人：李军;熊光辉;李凯旋;朱永伟;左敦稳;吴成;于宁斌 -专利权人：南京航空航天大学;南京航空航天大学无锡研究院
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B24D13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种固结磨料抛光垫及易潮解KDP晶体干式抛光方法，抛光方法为采用固结磨料抛光垫抛光KDP晶体、不使用液体抛光介质的干式固结磨料抛光，固结磨料抛光垫包含有磨粒、反应物、催化剂、固化剂和结合剂。抛光垫中反应物与KDP晶体发生固相化学反应，生成的过渡层在磨粒的机械作用下被去除，获得光滑表面。本发明解决了KDP晶体易潮解的问题，提高了KDP晶体的加工效率，简化了KDP晶体抛光工艺，同时还有环境友好，成本低等优点。
一种固结磨料抛光潮解 kdp 晶体方法

[发明专利]一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法-CN201711025346.7有效
发明人：石峰;肖琪;戴一帆;彭小强;胡皓;铁贵鹏 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01N21/958 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法，实施步骤包括：预先建立KDP晶体各种典型表面缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系；针对待测KDP晶体的表面缺陷进行特征检测确定典型缺陷类型；针对典型表面缺陷区域进行光热弱吸收测量实验得到典型表面缺陷的光热弱吸收值，将典型缺陷类型、典型表面缺陷的光热弱吸收值代入KDP晶体各种典型缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系，得到典型表面缺陷的损伤阈值本发明无损KDP晶体即可进行损伤阈值估计，可避免损伤阈值测试方法的缺陷，不会对晶体造成损伤，提高晶体的利用率，节省加工成本，还能够提升KDP晶体的表面缺陷、用于指导KDP晶体加工工艺。
一种基于典型缺陷特征 kdp 晶体损伤阈值预测方法

[发明专利]大尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺-CN201510020153.7有效
发明人：刘增文;黄传真;王军;朱洪涛;刘含莲;徐国强 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺。将与抛光液相溶的低分子化学溶剂加压后，注入磁性清洗装置，导流槽将清洗剂沿垂直KDP晶体表面的运动转化为平行KDP晶体表面的运动，避免了垂直于KDP晶体表面的冲击力引起KDP晶体表面产生裂纹、损伤。清洗过程中，清洗剂射流的冲蚀作用一方面加速清洗剂对抛光液的溶解，另一方面利用清洗剂射流的冲蚀动能去除KDP晶体表面被清洗剂溶解的抛光液和游离的铁粉等残留物；磁性清洗装置的磁力吸引附着在KDP晶体表面的铁粉，并且与清洗剂射流的冲蚀力共同作用将附着或嵌入KDP晶体表面的铁粉拔出、去除。
尺寸 kdp 晶体表面射流清洗装置工艺

[发明专利]小尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺-CN201510020968.5有效
发明人：刘增文;黄传真;王军;朱洪涛;刘含莲;徐国强 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： B08B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种小尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺。将与抛光液相溶的低分子化学溶剂加压后，注入磁性清洗装置，导流槽将清洗剂沿垂直KDP晶体表面的运动转化为平行KDP晶体表面的运动，避免了垂直于KDP晶体表面的冲击力引起KDP晶体表面产生裂纹、损伤。清洗过程中，清洗剂射流的冲蚀作用一方面加速清洗剂对抛光液的溶解，另一方面利用清洗剂射流的冲蚀动能去除KDP晶体表面被清洗剂溶解的抛光液和游离的铁粉等残留物；磁性清洗装置的磁力吸引附着在KDP晶体表面的铁粉，并且与清洗剂射流的冲蚀力共同作用将附着或嵌入KDP晶体表面的铁粉拔出、去除。
尺寸 kdp 晶体表面射流清洗装置工艺

[发明专利]一种KDP类晶体及其制备方法-CN202210289682.7在审
发明人：胡子钰;郑国宗;孙元龙;李鹏飞;李静雯 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种KDP类晶体及其制备方法，属于晶体生长技术领域。本申请向KDP类晶体生长溶液中掺入10ppm～20ppm的Al3+，通过抑制KDP类晶体柱面的生长，在不影响晶体透过率的情况下，制备得到纵横比满足要求的KDP类晶体本申请具有操作简便，成本低廉，生长工艺简单等优点，能极大提高KDP类晶体的利用率。
一种 kdp 晶体及其制备方法

[发明专利]一种用于KDP晶体的含水有机清洗液-CN201710407487.9在审
发明人：李晓媛;董会;高伟;王超;吉方;王宝瑞 -专利权人：中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C01B25/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于KDP晶体的含水有机清洗液。该清洗液包括去离子水、有机溶剂和表面活性剂。本发明的用于KDP晶体的含水有机清洗液，利用KDP易溶于水这一理化特性，在清洗液中加入去离子水作为该清洗液的活性物质，通过控制清洗液中水的存在形式、含量来控制其与KDP元件表面的作用效率，能达到去除其表面污染物而不损害表面质量的目的本发明的用于KDP晶体的含水有机清洗液性质稳定，采用去离子水作为活性成分不会在KDP晶体表面产生新的杂质；通过可控的潮解作用，能有效去除磁流变抛光加工后表面残留的基液和固体颗粒，提高KDP晶体的表面质量
一种用于 kdp 晶体含水有机清洗

[发明专利]一种KDP倍频晶体结构-CN202310022044.3在审
发明人：令维军;杨金芳;张明霞;朱永乐;王玉平;路飞平;李向兵;董忠 -专利权人：天水师范学院
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01S3/109 文献下载
摘要：本发明公开一种KDP倍频晶体结构，包括晶体固定结构、KDP晶体、π偏振管和σ偏振管；中心波长800nm的π偏振光，经过π偏振管，进入KDP晶体，由KDP晶体将中心波长800nm的π偏振光倍频为中心波长400nmπ偏振管和σ偏振管的封闭端斜面均采用布儒斯特角设计，KDP晶体置于由π偏振管、σ偏振管和晶体固定结构围合形成的真空密闭管腔中，省去了晶体镀膜烦杂的程序，也避免了KDP晶体在空气中潮解，克服了现有晶体KDP
一种 kdp 倍频晶体结构

[发明专利]Ⅱ类KDP晶体对红外光倍频最佳匹配状态的调节方法-CN201210180289.0有效
发明人：储玉喜;於亮红;梁晓燕;李儒新;徐至展 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G02F1/37 文献下载
摘要：一种Ⅱ类KDP晶体对红外光倍频最佳匹配状态的调节方法，所采用的器件包括He-Ne光源、小孔光阑、长焦透镜、洛匈棱镜、光电探头、示波器。该方法先利用辅助光源粗略调节KDP晶体的相位匹配角，然后将产生的微弱绿光经长焦透镜聚焦至洛匈棱镜，根据洛匈棱镜出射光的特点来调节KDP晶体的方位角，再借助光电探头和示波器精确调节KDP晶体的相位匹配角，本发明的特点是巧妙地利用了洛匈棱镜的检偏特性来调节KDP晶体的方位角，方便在较弱的基频光下调节KDP晶体，不仅可以使得KDP晶体的倍频效率最优化，而且保证了倍频光的偏振态。
kdp 晶体红外光倍频最佳匹配状态调节方法

[发明专利]一种KDP类晶体锥面定向生长方法-CN201310560631.4无效
发明人：钟德高;滕冰;曹丽凤;孔伟金;温吉龙;孙箐;耿健 -专利权人：青岛大学
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种KDP类晶体锥面定向生长方法，先将KH2PO4原料和二次蒸馏水配制成生长溶液，再用KOH溶液调节生长溶液的pH值为4.0；然后对生长溶液进行过滤并进行过热处理后将KDP籽晶固定在籽晶架的中央；KDP籽晶在过饱和温度下放入育晶玻璃缸中，KDP籽晶微溶后在育晶玻璃缸中恒温生长1天，KDP籽晶恢复外形；KDP籽晶在籽晶架的限制下片状生长得到锥面定向生长的KDP晶体；其生长方法简便
一种 kdp 晶体锥面定向生长方法

[发明专利]KDP类晶体锥柱生长区域的判别方法及测量装置-CN202011206315.3在审
发明人：赵元安;李婷;连亚飞;朱翔宇;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：一种KDP类晶体锥柱生长区域的判别方法和测试装置，其中方法包括：测量深紫外某一波长激光光束的初始能量E1或者光功率P1，在所述深紫外激光光路上放置KDP类晶体，测量透过KDP类晶体后激光束能量E2或者光功率P2，利用公式T＝E/E1*100％或者T＝P2/P1*100％计算出该KDP根据透过率T判断晶体锥柱生长区域：透过率T高于70％，为KDP类晶体的锥面生长区；透过率T低于50％，为KDP类晶体的柱面生长区；透过率T在[50％，70％]，则为KDP类晶体的锥柱交界区。该方法可简便、快速判别快速生长KDP类晶体的锥柱生长区类别。
kdp 晶体生长区域判别方法测量装置

[发明专利]基于智能密钥盘从云端自动获取驱动并安装使用的方法-CN202011220794.4在审
发明人：黄世明;袁志勇;王红东 -专利权人：江西金格科技股份有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于智能密钥盘从云端自动获取驱动并安装使用的方法，适配KeyDriver，制作KDP，在云端部署Web服务，提供云驱动KDP文件存储功能，触发USB设备插入事件，获取该智能密钥盘的PID/VID；访问云驱动仓库进行查询，检索成功后通过下载接口将KDP下载到本机；根据KDP内置的配置信息表，先安装厂商驱动库；将KDP中KeyDriver安装到统一的驱动库目录或系统目录中；客户端软件通过KDP
基于智能密钥云端自动获取驱动安装使用方法

[发明专利]一种用于KDP晶体的抛光液-CN201710012175.8在审
发明人：董会;王利利;潘金龙;高伟;李晓媛;王超;黄姝珂;吉方;王宝瑞 -专利权人：中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C09G1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于磷酸二氢钾（KDP）晶体的抛光液，所述抛光液由油相、表面活性剂和KDP水溶液组成，是一种特殊的油包水微乳液。在表面活性剂的作用下，一定浓度的KDP水溶液作为分散相以纳米级液滴的形式被分散在油相中。在抛光过程中由于挤压力和摩擦应力，KDP水溶液液滴突破表面活性剂和油相分子组成的界面膜，到达KDP晶体表面，并与表面的凸起部位发生缓释潮解作用；通过改变KDP水溶液的浓度，对潮解作用进行调控，最终可以实现KDP晶体表面的精密去除；抛光过程不产生新的物质且表面残留为有机物，通过相匹配的有机溶剂清洗即可实现表面清洁，不会造成二次损伤。本发明的抛光液制备方法简单、性质稳定，能够有效的削弱飞切刀纹，降低表面粗糙度，为创成超光滑洁净KDP表面提供良好的技术支撑。
一种用于 kdp 晶体抛光

[发明专利]KDP光学表面平坦化方法-CN201510261654.4在审
发明人：蔡长龙;刘卫国;姬娇;刘欢;周顺;陈智利;秦文罡;惠迎雪;包强 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及KDP光学表面平坦化方法。目前KDP晶体的超精密加工方法会在KDP晶体表面残留抛光液，在KDP晶体表面产生小尺度波纹，影响KDP晶体的光学表面质量。本发明在KDP表面形成一层机械性能良好、性质稳定、表面粗糙度低的聚合物膜，工艺过程简单，对设备要求低，成本低廉，在KDP光学表面可获得较好的平坦化效果，且应用前景可观。
kdp 光学表面平坦方法

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