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[发明专利]分布式激活镜构型的中红外固体激光放大器-CN202310812548.5在审
发明人：王思博;方聪;韩昌昊;陈国;魏磊;王克强;韩隆 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式激活镜构型的中红外固体激光放大器，用以实现高能量中红外激光输出。中红外固体激光放大器包括：中红外激光振荡器，用于输出低能量级中红外波段种子光；光束整形系统，用于对低能量级中红外波段种子光进行整形处理；分布式激活镜构型的放大器，包括若干个激活镜模块，用于依次对整形后的低能量级中红外波段种子光进行逐级放大，以输出高能量级中红外波段激光；激活镜模块包括LD泵浦阵列、激活镜本体，LD泵浦阵列用于发射泵浦光至激活镜本体，激活镜本体由激光增益介质和镀膜构成，镀膜设于激光增益介质两端的作用面，激光增益介质为Er3+离子掺杂晶体；隔离器，位于中红外激光振荡器和光束整形系统之间。
分布式激活构型红外固体激光放大器

[发明专利]红外焦平面器件芯片及制备方法、读出电路及其制备方法-CN202210139154.3有效
发明人：亢喆 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面器件芯片及制备方法、读出电路及其制备方法，本发明通过在红外焦平面器件芯片上设置像元结构，由于本发明的像元结构是完全独立的，所以其不会在低温工作时产生张应力现象，所以本发明可以有效避免红外混成芯片易发生翘曲形变的问题，同时本发明还能够通过异质(填充物或真空环境)的有效隔离，以避免像元间载流子的横向迁移，从而避免串音现象的发生。
红外平面器件芯片制备方法读出电路及其

[发明专利]窄线宽脉冲光纤激光器及其控制方法-CN202210099043.4有效
发明人：张昆;李尧;余洋;张大勇;赵鸿 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明提出了一种窄线宽脉冲光纤激光器及其控制方法，沿光的传输方向，激光器包括依次设置的：种子源、强度调制器、多级预放大器及功率放大器；激光器设有反馈调节组件，反馈调节组件接收功率放大器输入端和输出端的功率监测信号，并基于功率监测信号对种子源输出的种子光的线宽和功率放大器的泵浦功率进行调节。由此，通过形成反馈通路，对应于同一台激光器，可以自适应地调节激光器使其具有与不同的激光峰值功率相匹配的最窄线宽，从而可以满足窄线宽脉冲光纤激光器同时具有高峰值功率和窄线宽的应用需求。
窄线宽脉冲光纤激光器及其控制方法

[发明专利]一种主被动双光复合系统光轴对准方法及系统-CN202210390010.5有效
发明人：刘飞;陈念江;刘雪梅;李松山;聂子晨;杨松涛;陈秀芬 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种主被动双光复合系统光轴对准方法及系统，本发明通过测量出激光主动扫描视场与红外被动成像视场平行度偏差(平行度即为两视场一一对应关系)，采用多项式拟合的校正方法，对平行度偏差进行修正，经反复标定和计算平行度偏差，经校正后光轴对应关系可控制在一个像素以内，实现主被动双光视场对应关系高度一致。本发明所述方法与传统的单纯靠机械结构来保障双光视场对应关系相比，不仅具有精度高、便于操作校准等优点，而且还可以有效的消除红外畸变、快反镜(FSM)非线性偏摆等传感器自身因素引起的偏差。
一种被动复合系统光轴对准方法

[发明专利]一种观瞄设备的控制方法、装置及观瞄设备-CN201911391741.6有效
发明人：骆守俊;张昦润;何文忠;刘文杰;吴波 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05B47/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种观瞄设备的控制方法、装置及观瞄设备，所述控制方法包括：基于唯一按键获取按压指令；根据预先定义的操作命令基于所述按压指令进行指令响应。本发明方案通过基于唯一按键获取按压指令，根据预先定义的操作命令基于所述按压指令进行指令响应，由此解决了现有的现有技术中夜间使用观瞄设备辨识误差大，容易出现误操作的技术问题，取得了积极的技术效果。
一种设备控制方法装置

[发明专利]一种全光纤拉曼激光器-CN202310812547.0在审
发明人：刘昆;陈君昊;赵鸿;张大勇;慈明儒;龙润泽 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：本申请公开了一种全光纤拉曼激光器，包括：泵浦脉冲光纤激光种子源(1)，输出具有正啁啾的宽带锁模脉冲激光，与第一泵浦/信号光纤合束器(4)连接；第一半导体激光泵浦源(3)，输出端连接至所述第一泵浦/信号光纤合束器(4)，所述第一泵浦/信号光纤合束器(4)的输出通过第一增益光纤(5)接入第二泵浦/信号光纤合束器(8)；第二半导体激光泵浦源(7)，其输出端连接至所述第二泵浦/信号光纤合束器(8)；第二泵浦/信号光纤合束器(8)，其输出端连接第二增益光纤(9)，所产生的超快拉曼激光经拉曼脉冲分离器(10)后空间输出。本申请的激光器能够抑制有害非线性效应、提高转换效率，实现微焦量级的超快拉曼激光输出。
一种光纤激光器

[发明专利]大能量短脉冲中红外波段激光输出装置-CN202310812549.X在审
发明人：王思博;方聪;韩昌昊;陈国;魏磊;王克强;韩隆 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：本发明公开一种大能量短脉冲中红外波段激光输出装置，以获得大能量短脉冲中红外激光。大能量短脉冲中红外波段激光输出装置包括：振荡级，包括泵浦源、谐振腔、振荡级增益介质和调Q元件，泵浦源的发射波长位于Er3+离子吸收带内，谐振腔由高反镜和输出耦合镜构成，振荡级增益介质和调Q元件位于谐振腔内，振荡级增益介质为掺Er3+固体激光增益介质，振荡级适于输出小能量短脉冲中红外波段激光；放大级，包括Er3+离子掺杂晶体构建的放大级增益介质，用于放大小能量短脉冲中红外波段激光，以输出大能量短脉冲中红外波段激光；光束整形系统，位于振荡级和放大级之间，用于对小能量短脉冲中红外波段激光进行整形处理；隔离器，位于振荡级和光束整形系统之间。
能量脉冲红外波段激光输出装置

[发明专利]碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法-CN202310910581.1在审
发明人：何温;郝斐;喻松林;赵超;王鑫;杨海燕;柏伟;折伟林 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法，碲镉汞半导体器件包括：衬底层、器件下层、过渡层和器件上层，器件下层生长于衬底层，过渡层生长于器件下层，器件上层生长于过渡层；其中，器件下层和器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值相同，过渡层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值大于器件下层、器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值。本发明可以在相邻的n层和过渡层i层、过渡层i层和p层间形成两个空间电荷区，增加了原来空间电荷区宽度，在光照条件下可以产生更多的电子‑空穴对，并在内建电场的作用下被电极有效的收集。同时，过渡层i层形成的势垒区可以有效减小暗电流，从而提高了器件性能。
碲镉汞平面 pn 红外探测器半导体器件及其制备方法

[发明专利]别汉棱镜光轴一致性检测组件及方法-CN202110774249.8有效
发明人：张娟;杨加强;刘秋佐 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种别汉棱镜光轴一致性检测组件及方法。别汉棱镜光轴一致性检测组件包括：探测器；对照光路，从物方到像方依次包括：间隔设置的第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组，对照光路适于在探测器的像面上呈现目标清晰度的物像；检测光路，与对照光路共用第一透镜组和第二透镜组，检测光路还包括待测别汉棱镜，待测别汉棱镜位于所述第二透镜组远离所述第一透镜组的一侧，所述检测光路适于在所述探测器的像面上呈现所述目标清晰度的物像，待测别汉棱镜可沿其中心轴转动，以测量别汉棱镜的光轴一致性精度。采用本发明，别汉棱镜的倾斜度误差和平移量误差均能够被检测出。
棱镜光轴一致性检测组件方法

[发明专利]一种半峰宽自动化测试工装-CN202111075162.8有效
发明人：李乾;李达;折伟林;邢伟荣;刘铭;韦书领 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半峰宽自动化测试工装，所述半峰宽自动化测试工装包括：光信号处理系统，用于基于样品生成测试信号，所述光信号处理系统中的样品台包括用于定位样品的定位结构；计算机处理系统，与光信号处理系统通信连接，用于接收测试信号，并基于测试信号，实现半峰宽自动化测试。本发明通过在样品台设置定位结构，可以利用定位结构将样品固定在样片台上、实现样品测试点的精确定位，从而可以配合计算机处理系统实现自动化测试，摆脱了现有技术中的手动操作，大幅度提升了测试效率。
一种半峰宽自动化测试工装

[发明专利]热像仪视场重定位机构及其使用方法-CN202111242640.X有效
发明人：徐明轩;潘栋;石彰;温庆荣 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种热像仪视场重定位机构及其使用方法，视场重定位机构，包括：基板、导向组件、镜片组件及定位组件，导向组件设于基板，镜片组件通过导向组件可移动地设于基板，镜片组件设有定位销，定位组件与定位销配合，以将镜片组件调整至预设位置。本发明提出的视场重定位机构结构简单，可靠性高，通用性强，本发明可以在不拆卸热像仪组件的情况下完成视场重复定位的工作，大大降低了工作量，简化了热像仪视场重复定位过程，提高了定位精度。
热像仪视场定位机构及其使用方法

[发明专利]计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备-CN202110891080.4有效
发明人：申晨;周朋;杨海燕 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备。计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，包括：获取多个温度下碲锌镉基碲镉汞材料件的光致发光信号谱图；通过分析多个光致发光信号谱图，获取三种能级跃迁随温度变化直线；基于三种能级跃迁随温度变化直线，根据波束与能量对应关系，确定能带间距随温度变化情况和不同温度下主导的能级跃迁情况，从而得到碲锌镉基碲镉汞材料件在不同温度的能级结构及变化情况。采用本发明，在不损伤样品的情况下，能够快速计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，且测试结果较精确。
计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级方法设备

[发明专利]用于芯片的补胶装置及其使用方法-CN202310745105.9在审
发明人：马腾达;徐圣娴;刘海龙;王慧;李浩冉;徐港 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于芯片的补胶装置及其使用方法，补胶装置包括：基台、芯片载板及底座，基台设有可旋转的真空吸附区；芯片载板真空吸附于真空吸附区，用于固定待补胶芯片；底座与芯片载板正对设置，底座可旋转，底座与待补胶芯片的补胶区域正对的至少部分位置设有注胶孔，底座与待补胶芯片的非补胶区域正对的位置设有气囊；在对待补胶芯片进行补胶时，注胶孔向待补胶芯片的补胶区域注胶，气囊覆盖非补胶区域，底座与芯片载板同步旋转。本发明成本低廉，实现简单，实现了待补胶芯片的自动化补胶，提高了补胶效率，降低了人工成本。而且，补胶胶水厚度一致性更好，可有效降低后续抛光工艺中胶水层的损坏概率，提高成品率。
用于芯片装置及其使用方法

[发明专利]多谱段红外探测器组件及其光学工程化设计方法-CN202310775424.4在审
发明人：张璐;喻松林;李冬冰;付志凯 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多谱段红外探测器组件及其光学工程化设计方法，所述方法包括：根据设计参数在建模软件中模拟探测器光敏面、冷屏，根据加工参数和安装高度限定模拟多谱段滤光片，并模拟光线；确定冷屏左右开口边缘光线到不同谱段像元左右边缘的光线交点；判断光线交点是否位于多谱段滤光片模拟件的上表面的上方，以及光线交点下方两条光线在距该光线交点距离为拼缝宽度时左右方向的距离是否大于等于拼缝宽度，若是，确定设计方案、制备多谱段红外探测器组件，否则，重新设计模拟探测器光敏面和冷屏。本发明提供了一种根据建模法生成的科学计算法，既考虑实际加工可行性、又考虑加工成本以及工艺可实现性的多谱段滤光片的设计思路。
多谱段红外探测器组件及其光学工程设计方法

[发明专利]一种胶边转移结构及制备方法-CN202310719395.X在审
发明人：谭启广;陈书真;刘佳星;杨茂生 -专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种胶边转移结构及制备方法，用于消除旋涂光刻胶过程中碲镉汞基材边缘产生的光刻胶边对光刻的影响，所述胶边转移结构包括设置在碲镉汞基材边缘的基础结构，所述基础结构包括基于碲镉汞基材边缘设置的胶边引流区和胶边存储区，其中所述胶边引流区用以在旋涂光刻胶过程中将光刻胶引入所述胶边存储区。本申请实施例提出了一种适用于方形碲锌镉基碲镉汞外延片，能够消除光刻胶边对曝光的影响的结构及方法，该工艺方法对基材的污染及损伤小，对不同光刻胶膜层通用性强，提高了碲镉汞探测器的成品率，且后续多步光刻套刻中不需要重复去胶边工艺，提高了工艺效率。
一种转移结构制备方法

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