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[实用新型]双腔结构的光纤温度与压力传感器-CN201820771118.8有效
发明人：何向阁;李谊军;杨健;高玉倩;连子龙 -专利权人：北京东方锐择科技有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：所述传感器包括：入射组件，包括入射光纤，用于引导相干光束的入射；反射组件，包括反射光纤，用于与入射组件保持合理距离，形成本征型F‑P腔和非本征型F‑P腔；本征型F‑P腔，由第二毛细管与一段光纤熔接而成；非本征型F‑P腔，由本征型F‑P腔与入射组件或反射组件的端面保持合理距离形成；第一毛细管，固定连接所述各组件；根据非本征型F‑P腔的腔长对相干光束的反射获得测量温度和压力；根据本征型F‑P腔的腔长对相干光束的反射获得测量温度本实用新型通过本征腔对非本征腔进行温度补偿，得到精确的压力值；结构简单易制作。
本征型非本征型入射组件相干光束本实用新型压力传感器反射组件合理距离双腔结构温度补偿本征腔毛细管腔长反射光纤测量测量压力反射光纤光纤熔接入射光纤传感器入射制作

[发明专利]一种治疗风热犯肺型肾病综合征的中药组合物-CN201510200064.0在审
发明人：黄萍 -专利权人：黄萍
申请日： 2015-04-26 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： A61K36/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种治疗风热犯肺型肾病综合征的中药组合物，其特征是由下列重量配比的药材制成：百里香15-20份、白升麻3-6份、川滇大黄土30-35份、单条草20-25份、倒扣草10-15份、白牛胆20-25本发明的中药组合物，用于治疗风热犯肺型肾病综合征，有效率高，疗效可靠，愈后不再复发。
一种治疗风热犯肺型肾病综合征中药组合

[发明专利]一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法-CN201210073692.3有效
发明人：刘宝林;张玲;朱丽虹 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底，在衬底表面外延本征半导体层，本征半导体层上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在衬底底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层；在样品热生长或沉积一层遮挡层；在样品上表面刻出图形，去除遮挡层，刻出凹槽；在凹槽内形成半导体层，去除遮挡层形成发射区；沉积上电极，剥离；在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜
一种局域发射结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]SiGe HBT放大器S参数的计算方法及相关设备-CN202210925236.0在审
发明人：魏正华;叶小兰 -专利权人：长沙民政职业技术学院
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiGeHBT放大器S参数的计算方法及相关设备，方法包括：基于SiGeHBT放大器的T型小信号等效模型与S参数的关联关系，构建目标函数，T型小信号等效模型包括本征元件部分和非本征元件部分，非本征元件部分的非本征元件值为该目标函数的常量；获取目标函数的最小值，并根据最小值得到T型小信号等效模型的本征元件参数矢量，本征元件参数矢量包括多个本征元件；建立每个本征元件与温度的线性关系；分别针对每个本征元件，根据本征元件与温度的线性关系，计算在目标温度下每个本征元件的本征元件值；根据目标温度下的所有本征元件值，计算目标温度下SiGeHBT放大器的S参数。
sige hbt 放大器参数计算方法相关设备

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011205204.0有效
发明人：黄文军;唐昭焕;陈世杰;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内包含成对的P型掺杂区以及N型掺杂区，所述P型掺杂区以及N型掺杂区相互隔离；形成多个本征Ge结构，所述本征Ge结构位于各对P型掺杂区以及N型掺杂区之间的半导体衬底的表面；自所述半导体衬底的背面进行刻蚀，以在每个本征Ge结构形成一个或多个孔洞，其中，每个本征Ge结构的孔洞的截面积之和小于所述本征Ge结构的截面积，且自所述半导体衬底与所述本征Ge结构之间的界面起，所述孔洞在所述本征Ge结构内的深度小于所述本征Ge结构的深度；形成填充所述孔洞的介质层。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310447173.7在审
发明人：蔡文必;陈柏翰;王文平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，包括衬底、N型掺杂层、本征层、P型掺杂层、N电极和P电极，N电极设置在N型掺杂层上，P电极设置在P型掺杂层上；自下而上N型掺杂层、本征层、P型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与P型掺杂层交界处具有至少一个P型离子注入区，P型离子注入区向本征层延伸，P电极形成入射光窗口，P型离子注入区位于入射光窗口下方；或者，自下而上P型掺杂层、本征层、N型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与N型掺杂层交界处具有至少一个N型离子注入区，N型离子注入区向本征层延伸，N电极形成入射光窗口，N型离子注入区位于入射光窗口下方。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]光敏二极管及其制备方法-CN202211611008.2在审
发明人：辛秀峰;宋明辉;陶玲玲;赵宏伟;陈文浚 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光敏二极管，其包括本征层、N型掺杂层、P型掺杂层、截止环、介质层、氧化层和减反射层，本征层具有相对的下端和上端，N型掺杂层设置在本征层的下端，P型掺杂层设置在本征层的上端，截止环设置在本征层的上端，截止环和P型掺杂层之间存在本征层，介质层设置在P型掺杂层之上，氧化层设置在位于P型掺杂层和截止环之间的本征层之上，减反射层覆盖介质层和氧化层，介质层中掺杂有P型离子。
光敏二极管及其制备方法

[发明专利]具有直段阳极的二极管-CN202080013199.5在审
发明人：蒂莫西·爱德华·博莱斯;詹姆士·约瑟夫·布罗格;安杰伊·罗兹比斯基;贝琳达·西蒙娜·埃德梅·皮尔纳斯;丹尼尔·古斯塔沃·库尔乔;大卫·鲁塞尔·霍格 -专利权人：镁可微波技术有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：在一个示例中，二极管结构是PIN二极管结构，并且包括形成在衬底上的N型层、形成在N型层上的本征层以及形成在本征层上的P型层。P型层形成二极管结构的阳极，并且阳极形成为四边形的阳极。根据实施方式，阳极的顶表面可以形成有一个或更多个直段，例如四边形阳极，以减小热阻或电导通电阻中的至少一个。这些变化等可以改进PIN二极管结构的整体功率处理能力。
具有阳极二极管

[实用新型]一种基于BN的耐电流SiC PIN二极管-CN202122418641.7有效
发明人：何佳;陈彤;周海 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于BN的耐电流SiCPIN二极管，包括：N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面；N型重掺杂BN耐压提高层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面；N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂BN耐压提高层的上侧面；P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至N型本征层的上侧面；P型欧姆电极的下侧面连接至P型重掺杂半导体传输层的上侧面，保证SiCPIN二极管的耐压能力下，使得电流能力大大提高，并且使得热量更容易往下边扩散，使得PIN二极管的纵向热分布主要集中在SiC材料。
一种基于 bn 电流 sic pin 二极管

[发明专利]内置本征柔性导电芯的本征柔性螺旋式器件及其研制方法-CN202211743820.0在审
发明人：王璐珩;吴希 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种内置本征柔性导电芯的本征柔性螺旋式器件及其研制方法，属于测量技术领域。所述器件包括底封装层、敏感层、信号引出层和顶封装层。底封装层和顶封装层都由本征柔性绝缘膜构成，敏感层由螺旋型本征柔性导电芯、螺旋型本征柔性阻隔膜、本征柔性线圈和边缘本征柔性聚二甲基硅氧烷膜构成，信号引出层由开有通孔的本征柔性高分子薄片、跨层本征柔性连接导线和顶层本征柔性引出导线构成位于敏感层的螺旋型本征柔性导电芯能够增强通过本征柔性线圈的磁场强度。用本发明提出的方法研制的内置本征柔性导电芯的本征柔性螺旋式器件能提高本征柔性线圈式传感器的灵敏度，适用于柔性可穿戴设备研制和工业设备狭小曲面层间状态测量等领域。
内置柔性导电螺旋式器件及其研制方法

[发明专利]一种Turner型X连锁综合征性智力低下的致病基因、引物对及其应用-CN202210914615.X在审
发明人：曾桥;伊宁;罗娇娇 -专利权人：湖南家辉生物技术有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本发明涉及基因诊断技术领域，特别涉及一种Turner型X连锁综合征性智力低下的致病基因、引物对及其应用。本发明提供了一种Turner型X连锁综合征性智力低下的致病基因，该致病基因在登录号为NM_031407.7的基因的67号外显子的第9994位存在GT突变。该致病基因可以用于Turner型X连锁综合征性智力低下人群的筛查和诊断，可以特异性区分Turner型X连锁综合征性智力低下患者和正常人群；为Turner型X连锁综合征性智力低下的发病机制研究提供新的基础和途径，为Turner型X连锁综合征性智力低下的治疗提供新的理论依据，可以为治疗Turner型X连锁综合征性智力低下提供可能的药物靶点。
一种 turner 连锁综合征智力低下致病基因引物及其应用

[实用新型]Si基改性Ge单片同层光电器件-CN201822145538.8有效
发明人：薛磊;尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/153 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，该器件结构包括：P型Si衬底层；P型Ge层，位于P型Si衬底层上；本征GeSn层，位于P型Ge层上，本征GeSn层包括第一本征GeSn层、第二本征GeSn层和第三本征GeSn层；N型Ge层，位于第一本征GeSn层和第三本征GeSn层上；N型Si层，位于N型Ge层上；SiO₂氧化层，位于N型Si层上；金属电极层，位于SiO₂氧化层上和P型Ge层上。
本征光电器件衬底层基改性同层本实用新型单片金属电极层发光器件器件结构探测器件制备工艺复杂度集成度兼容性波导薄膜

[发明专利]一种探测器及制作工艺-CN202011039425.5在审
发明人：崔积适;王娟;崔文静;陈洪敏 -专利权人：三明学院
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种探测器及制作工艺，探测器包括：波导层；所述波导层包括相互隔断的第一本征区和第二本征区、与所述第一本征区相连的N型区、与所述第二本征区相连的P型区；电极；包括阳极和阴极；所述阳极设置在所述P型区上，所述阴极设置在所述N型区上；绝缘层；设置于所述阴极与所述第一本征区、所述阳极与所述第二本征区以及所述第一本征区和第二本征区之间，并覆盖所述波导层。
一种探测器制作工艺

[发明专利]一种本征模完全分离的退简并多模光纤-CN201710178746.5有效
发明人：王健;陈诗 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明涉及一种本征模完全分离的退简并多模光纤。该退简并多模光纤包括双折射纤芯、应力区和包层。双折射纤芯提供形状结构双折射，采用椭圆纤芯或椭圆环形纤芯结构。应力区提供应力附加双折射，采用圆形(熊猫型)或扇环(领结型/蝴蝶型)结构。形状结构双折射和应力附加双折射相叠加，使得支持多通道本征模同时实现所有本征模间有效折射率差皆大于1×10^‑4，实现所有本征模完全分离和退简并。本发明增加了光纤退简并本征模数目，降低了本征模间串扰，可用于光纤多通道本征模复用通信且无需使用多进多出数字信号处理技术。本发明提供的本征模完全分离的退简并多模光纤，基于熊猫型、领结型/蝴蝶型、椭圆芯保偏光纤和环形光纤制作工艺，便于实际拉制。
一种完全分离光纤

[发明专利]具有多厚度本征区的PIN二极管-CN201980079209.2在审
发明人：蒂莫西·爱德华·博莱斯;詹姆士·约瑟夫·布罗格;约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基;玛格丽特·玛丽·巴尔特 -专利权人：镁可微波技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：描述了有具有不同本征区的多个二极管的单片、垂直、平面半导体结构。二极管具有彼此相比不同厚度的本征区。在一个示例中，半导体结构包括N型硅衬底、在N型硅衬底上形成的本征层以及本征层上形成的介电层。多个阳极通过介电层中形成的开口顺序地形成至本征层中。例如，第一P型区通过开口中的第一开口以第一深度形成至本征层中，并且第二P型区通过开口中的第二开口以第二深度形成至本征层中。可以以其他深度形成附加P型区。
具有厚度 pin 二极管