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[发明专利]浅结深低能量电子探测器-CN202210412765.0在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;孟祥卫;罗浒;任嘉莹;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种浅结深低能量电子探测器，包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，分别形成于硅衬底的第一面和第二面，以钝化硅衬底的第一面和第二面；P型非晶硅层和N型非晶硅层，分别形成于第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层上；保护环结构，自P型非晶硅层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型非晶硅层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型非晶硅层上。本发明通过非晶硅层并经热退火处理来实现对硅衬底表面缺陷的修复，钝化不饱和化学键，从而提高表面载流子寿命，可有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，提高对低能量电子的探测效率。
浅结深低能量电子探测器

[发明专利]超浅结深低能量电子探测器-CN202210411524.4在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;豆传国;任嘉莹;罗浒;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种超浅结深低能量电子探测器，电子探测器包括：硅衬底，其包含相对的第一面和第二面；超浅结深的P型掺杂层，通过在硅衬底表面形成硼单质层后进行热扩散的方式形成于硅衬底的第一面，P型掺杂层的厚度介于3～10nm之间；N型掺杂层，形成于硅衬底的第二面；保护环结构，自P型掺杂层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型掺杂层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型掺杂层上。本发明可以有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，有效提高对低能量电子的探测效率。
超浅结深低能量电子探测器

[发明专利]碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法-CN202310910581.1在审
发明人：何温;郝斐;喻松林;赵超;王鑫;杨海燕;柏伟;折伟林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法，碲镉汞半导体器件包括：衬底层、器件下层、过渡层和器件上层，器件下层生长于衬底层，过渡层生长于器件下层，器件上层生长于过渡层；其中，器件下层和器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值相同，过渡层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值大于器件下层、器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值。本发明可以在相邻的n层和过渡层i层、过渡层i层和p层间形成两个空间电荷区，增加了原来空间电荷区宽度，在光照条件下可以产生更多的电子‑空穴对，并在内建电场的作用下被电极有效的收集。同时，过渡层i层形成的势垒区可以有效减小暗电流，从而提高了器件性能。
碲镉汞平面 pn 红外探测器半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种高速锗硅光电探测器-CN202311116318.1在审
发明人：余宇;石洋;邹明洁;李祖航;张新亮 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速锗硅光电探测器。高速锗硅光电探测器包括：掺杂硅层、锗吸收区、掺杂锗层、接触电极和锗上电极；掺杂硅层与掺杂锗层的掺杂极性相反，掺杂硅层、锗吸收区和掺杂锗层依次连接成垂直PIN结；接触电极设置在掺杂硅层上，接触电极围绕在锗吸收区的三个侧面，锗上电极设置在掺杂锗层上；接触电极和锗上电极收集锗吸收区吸收光而产生的光生载流子，形成光电流；接触电极的各边与锗吸收区中对应的边之间的距离和锗吸收区的边长成反比。解决了通过降低电阻进而降低RC寄生效应，用以提升探测器带宽时，寄生电容和寄生电阻相互制约的技术问题。
一种高速光电探测器

[发明专利]一种背入射日盲紫外探测器及其制备方法-CN201810897294.0有效
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公布了一种背入射日盲紫外探测器及其制备方法，采用背入射结构，本发明的装置包括：衬底、缓冲层、应力释放层、n型欧姆接触层、n型过渡层、i型光吸收层、p型掺杂层、p型过渡层、p型欧姆接触层、保护层、n型电极、p型电极，本发明的目的是解决AlGaN基p‑i‑n结紫外探测器p型掺杂效率低、薄膜裂纹、外延结构有待优化、晶体质量不高等问题，本发明通过设置缓冲层、应力释放层、过渡层和优化制备方法来实现本发明目的，提高器件性能，提供一种暗电流低、量子效率更高、抑制比更好、探测率更高、性能更好的背入射日盲紫外探测器及其制备方法。
一种入射紫外探测器及其制备方法

[发明专利]高效率PIN光电探测器及其制备方法-CN202311132320.8在审
发明人：郭霞;张世凤;任艳玲;李少斌;刘巧莉;胡安琪 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。
高效率 pin 光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种全通信波段覆盖的高速光电探测器-CN202210869708.5有效
发明人：李冲;高昕元;刘芮汐;李占杰;于书伟;刘云飞 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种全通信波段覆盖的高速光电探测器，高速光电探测器是半导体光电探测器件；半导体光电探测器件为台面结构，包括自下向上依次设置的衬底层、本征吸收层、等离激元纳米金属颗粒层和透明电极层；衬底层通过刻蚀暴露在台面结构的下台面，本征吸收层位于台面结构的上台面；衬底层上设有第一金属电极，透明电极层上设有第二金属电极；本征吸收层的表面纵向制作周期性锥形空气孔洞形成光子晶体；周期性锥形空气孔洞内填充有禁带宽度不同于本征吸收层材料的其他半导体材料以形成锥形孔洞材料填充区。本发明适用探测波长范围为紫外、可见光、近红外波段，同时具有高吸收效率、高集成度等优点。
一种通信波段覆盖高速光电探测器

[实用新型]一种p-GeS2-CN202320402149.7有效
发明人：王文樑;刘嘉杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本实用新型涉及紫外光探测器的技术领域，具体公开了一种p‑GeS2/AlGaN/n‑AlGaN II型异质结自驱动紫外光探测器，由下至上依次包括：Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、GaN缓冲层、n‑AlGaN层，n‑AlGaN层的掺杂元素为Si；n‑AlGaN层上有SiO2窗口层、AlGaN本征层和第一金属电极；AlGaN本征层上有GeS2层，GeS2层上有第二金属电极。通过在AlGaN本征层上引入GeS2层，利用GeS2层、AlGaN本征层与n‑AlGaN层构成pin型异质结结构，在界面上形成内建电场，实现自驱动，完成光生载流子的有效分离和传输，产生更大光电流，提高紫外探测器响应度。
一种 ges base sub

[发明专利]一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法-CN202310769779.2在审
发明人：王俊;许伊曼;刘瀚宇;李文浩;李翰林 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接，光进入硅波导以后进入锗吸收层，锗吸收层用于对光信号的吸收，所有的掺杂都位于硅掺杂层；本发明的优点在于：所有的掺杂都位于硅掺杂层并采用共信号电极设计，从而避免光电探测器响应度下降及降低光电探测器设计和工艺加工难度。
一种集成微波光子探测器及其探测方法

[发明专利]一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器-CN201810349427.0有效
发明人：陈建新;周易;田源;柴旭良;徐志成 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器。与传统的PIN器件结构相比，带间级联结构通过电子隧穿区和多量子阱弛豫区实现光生载流子的单方向输运，抑制了器件的产生复合电流、隧穿电流和侧壁漏电，从而大大提高该红外探测器的信噪比。特别是在结构中采用了多组同周期的量子阱来实现窄禁带宽度下电子弛豫区的设计，实现了长波带间级联的载流子输运，可获得30％左右的量子效率。因此本发明公开的结构利用InAs/GaSb/AlSb三种二元化合物形成不同周期厚度的超晶格和多量子阱材料，构成一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器，降低器件的暗电流，获得高灵敏度和高探测率的长波器件。
一种基于级联结构长波晶格红外探测器

[发明专利]一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法-CN202010363571.7有效
发明人：周勋;詹雯慧;王鹏 -专利权人：成都英飞睿技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本申请提供一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法，采用背入式p‑i‑i‑n或n‑i‑i‑p的延伸波长探测器结构，也即，所述探测器结构包括双本征吸收层结构，所述双本征吸收层结构包括晶格匹配本征吸收层和晶格微失配本征吸收层，将两种本征吸收层相结合；其中，晶格匹配本征吸收层用以提升整体量子效率，晶格微失配本征吸收层的厚度控制在晶格弛豫临界厚度范围内，以达到完全应变，显著降低失配位错缺陷，实现在扩展响应截止波长的同时也可有效抑制探测器暗电流。
一种延伸波长响应截止探测器及其制作方法

[发明专利]一种具有超结结构的PiN型中子探测器及其制备方法-CN202310558366.X在审
发明人：冯婷婷;郭辉;钱驰文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有超结结构的PiN型中子探测器及其制备方法，探测器包括：第一掺杂类型衬底层、若干第一掺杂类型外延区、若干第二掺杂类型外延区、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极和中子转换材料单元，若干第一掺杂类型外延区和若干第二掺杂类型外延区均位于第一掺杂类型衬底层的一侧，且交替排列；第二掺杂类型外延层位于第一掺杂类型外延区和第二掺杂类型外延区形成的平面上；第一欧姆接触电极位于第二掺杂类型外延层的一侧；第二欧姆接触电极位于第一掺杂类型衬底的另一侧；中子转换材料单元位于第一欧姆接触电极的一侧表面。该探测器实现了降低全耗尽电压、优化内部电场分布、提高器件可靠性的目的。
一种具有结构 pin 中子探测器及其制备方法

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310447173.7在审
发明人：蔡文必;陈柏翰;王文平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，包括衬底、N型掺杂层、本征层、P型掺杂层、N电极和P电极，N电极设置在N型掺杂层上，P电极设置在P型掺杂层上；自下而上N型掺杂层、本征层、P型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与P型掺杂层交界处具有至少一个P型离子注入区，P型离子注入区向本征层延伸，P电极形成入射光窗口，P型离子注入区位于入射光窗口下方；或者，自下而上P型掺杂层、本征层、N型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与N型掺杂层交界处具有至少一个N型离子注入区，N型离子注入区向本征层延伸，N电极形成入射光窗口，N型离子注入区位于入射光窗口下方。本发明可以同时兼顾低电容，高吸收效率以及高响应速度。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法-CN202210027276.3有效
发明人：朱鹏;孙泰;史浩飞;肖磊;魏兴战;熊稳 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双波段吸收增强功能的II类超晶格红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测器技术领域。将该红外探测器中II类超晶格层制成具有特定周期及占空比的光栅结构，并在其上蒸镀金属膜层，构建金属微结构，利用该结构异常的增透特性，使最终制备的红外探测器在5.5μm左后和10μm左右为中心波长的中波和长波波段实现了对入射光的选择性增强吸收，可以用于特定需求的红外成像探测器，提升了器件的性能。另外，红外探测器中构建该结构后，不仅可以减少本征吸收层的厚度，显著降低探测器的暗电流，提高了红外探测器的灵敏度，还可以避免因制备较厚本征吸收层导致的制作周期长、成本高的缺陷。
一种具有波段吸收增强功能 ii 晶格红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法-CN202011494811.3有效
发明人：李述体;吴国辉;邓琮匆;陈飞;杜林远 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法，其采用n型氮化镓微米线核和依次覆盖n型氮化镓微米线核表面的i型氮化镓及p型氮化镓构成了PIN型同质结微米线，并通过n型氮化镓微米线核与下电极接触，p型氮化镓与上电极接触构建了垂直结构的微型化紫外光电探测器。该探测器结构中，沿其微米线直径方向的PIN同质结增加了结的接触面积，增加了空间电荷区的面积，保证光吸收主要发生在空间电荷区，能够有效抑制光生载流子的复合，提高紫外探测器响应度，和更低的暗电流。且同质外延生长的氮化镓，大大提高了材料的晶体质量，降低了缺陷密度，保障了紫外光电探测器的性能。
一种基于 pin 氮化微米紫外光电探测器及其制备方法

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