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- [发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310447173.7在审
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蔡文必;陈柏翰;王文平
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厦门市三安集成电路有限公司
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2023-04-24
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2023-09-01
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H01L31/105
- 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法,包括衬底、N型掺杂层、本征层、P型掺杂层、N电极和P电极,N电极设置在N型掺杂层上,P电极设置在P型掺杂层上;自下而上N型掺杂层、本征层、P型掺杂层依次设在衬底上,在本征层与P型掺杂层交界处具有至少一个P型离子注入区,P型离子注入区向本征层延伸,P电极形成入射光窗口,P型离子注入区位于入射光窗口下方;或者,自下而上P型掺杂层、本征层、N型掺杂层依次设在衬底上,在本征层与N型掺杂层交界处具有至少一个N型离子注入区,N型离子注入区向本征层延伸,N电极形成入射光窗口,N型离子注入区位于入射光窗口下方。本发明可以同时兼顾低电容,高吸收效率以及高响应速度。
- 一种光电探测器及其制备方法
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