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[发明专利]光电转换元件-CN201480008328.6有效
发明人：木本贤治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：本申请是一种光电转换元件，包括半导体(1)、在该半导体(1)上设置且含有氢化非晶硅的本征层(4)、第一导电型层(6)、第二导电型层(8)、覆盖所述本征层(4)的一部分的第一绝缘层(5)、第一电极(9)以及第二电极(10)，其特征在于，所述第一导电型层(6)的一部分以及所述第二导电型层(8)的一部分位于所述本征层(4)和所述第一绝缘层(5)相接的区域的上方。
光电转换元件

[发明专利]光电转换元件和光电转换元件的制造方法-CN201980052815.5在审
发明人：吉河训太;河崎勇人;小泉玄介 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：光电转换元件(1)包含：在半导体基板(11)的背面侧的一部分依次层叠有本征半导体层(23)和第一导电型半导体层(25)的第一区域(7)；以及在半导体基板(11)的背面侧的另一部分依次层叠有本征半导体层(33)和第二导电型半导体层(35)的第二区域(8)，在该背面接合型的光电转换元件中，第一区域(7)中的本征半导体层(23)的折射率比第二区域(8)中的本征半导体层(33)的折射率小。
光电转换元件制造方法

[实用新型]一种辐射全身的热疗装置-CN03225743.0无效
发明人：郭罕斌;郝万奎 -专利权人：珠海市和佳医疗设备有限公司
申请日： 2003-05-06 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： A61F7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种辐射全身的热疗装置，旨在提供一种在热疗中，全身均有热辐射直接作用；能及时发现或避免人体局部受热过多而可能造成热灼伤现象并能监测人体多参数生命指征；能对颅脑进行降温处置以保护大脑生命中枢的热疗装置该热疗装置包括舱体(1)、治疗床(2)、辐射器(3)、主控系统(4)、感温器(5)、冰帽(6)、照明灯(7)、摄像头(8)、人体参数生命指征监护装置探头(9)，所述舱体(1)由上半月舱(10)、下半月舱该热疗装置广泛应用于医疗领域。
一种辐射全身装置

[实用新型]一种辐射全身的热疗装置-CN03225744.9无效
发明人：郭罕斌;郝万奎 -专利权人：珠海市和佳医疗设备有限公司
申请日： 2003-05-06 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： A61F7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种辐射全身的热疗装置，旨在提供一种在热疗中，全身均有热辐射直接作用；能及时发现或避免人体局部受热过多而可能造成热灼伤现象并能测出人体多参数生命指征；能对颅脑进行降温处置以保护大脑生命中枢的热疗装置该热疗装置包括舱体(1)、治疗床(2)、辐射器(3)、主控系统(4)、感温器(5)、冰帽(6)、照明灯(7)、摄像头(8)、人体参数生命指征监护装置探头(9)，所述舱体(1)由固定体(10)、滚桶体(11该热疗装置广泛应用于医疗领域。
一种辐射全身装置

[发明专利]短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用-CN202210592122.9在审
发明人：陈梦璐;唐鑫;薛晓梦;罗宇宁 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：该探测器包括底电极、顶电极和本征硫汞族量子点层，还包括p型硫汞族量子点层和/或n型硫汞族量子点层；其中，本征硫汞族量子点层与p型硫汞族量子点层形成I‑P或P‑I同质结；本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成I‑N或N‑I同质结；p型硫汞族量子点层、本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成P‑I‑N或N‑I‑P同质结。
红外波段通用硫汞族胶体量子同质结光伏探测器及其制备方法应用

[发明专利]无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法-CN202310787043.8在审
发明人：陈传科;赵东明;周颖;蔺子甄;薛尧;虞祥瑞 -专利权人：华能大理风力发电有限公司洱源分公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能新能源股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本申请公开了一种无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法，该电池包括：沿电池厚度方向依次设置的正面钝化减反射膜、正面掺杂层、硅基体、背面本征非晶硅钝化层、背面掺杂层和透明导电膜，其中，硅基体为p型硅基体或n型硅基体，正面掺杂层的类型根据硅基体的类型设置；背面本征非晶硅钝化层是本征非晶硅层、钝化隧穿层和叠加层中的任一种，叠加层由本征非晶硅层与钝化隧穿层叠加生成；背面掺杂层包括p型掺杂层和n型掺杂层，两种掺杂层之间采用绝缘隔离层进行绝缘；透明导电膜在背面掺杂层中形成p型掺杂层和n型掺杂层之后，沉积在背面掺杂层上。
电极接触太阳电池及其组件封装方法

[发明专利]HIT太阳能电池及提高HIT电池的短路电流密度的方法-CN201510016048.6有效
发明人：郁操;杨少飞;杨苗;张津燕;徐希翔 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开一种HIT太阳能电池及提高HIT电池短路电流密度的方法，其中，所述HIT太阳能电池包括衬底层，设置在衬底层两侧的第一本征层和第二本征层，在衬底层受光侧第一本征层上设置的N型掺杂层，以及在衬底层背光侧第二本征层上设置的P型掺杂层，在所述N型掺杂层上设置有前电极，在所述P型掺杂层上设置有背电极。本发明提供的HIT太阳能电池将所述N型掺杂层作为受光面的窗口层，避免了高性能的P型材料作为窗口层不易制备的问题。本发明将N型掺杂层作为窗口层，其制备方便，且电导率为1～10‑5s/cm，带隙大于1.8eV，从而提高电池的短路电流密度。
hit 太阳能电池提高电池短路电流密度方法

[发明专利]晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法-CN201680064015.1有效
发明人：足立大辅;寺下彻;宇都俊彦 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)和图案集电极(11)，在n型晶体硅基板的第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)和镀覆金属电极(21)。在n型晶体硅基板的第一主面的周缘上设有除去了第一透明电极层与第二透明电极层的短路的绝缘区域(41)。本发明的制造方法中，在第一本征硅系薄膜形成后，形成第二本征硅系薄膜。镀覆金属电极以在n型晶体硅基板的第一主面的周缘上设有绝缘区域的状态通过电镀法而形成。
晶体太阳能电池制造方法模块

[发明专利]应用于高灵敏度光电探测器的分子材料部件及其制作方法-CN202010929848.8有效
发明人：欧忠华 -专利权人：深圳市绿聚墨电子科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请实施例公开了应用于高灵敏度光电探测器的分子材料部件及其制作方法，该分子材料部件为应用于该高灵敏度光电探测器的PN结，该分子材料包括胶体量子点，方法包括：按照预设的方式制作胶体量子点薄膜，该胶体量子点薄膜作为该PN结的P型表面入射窗层；制作N型本征吸收层，并利用金属氧化物旋涂该N型本征吸收层，得到金属氧化物修饰的该N型本征吸收层；采用光刻工艺将该胶体量子点薄膜设置于该金属氧化物修饰的该N型本征吸收层的上表面，得到PN结。采用本申请，利用胶体量子点薄膜制作的P型表面入射窗层与半导体沟道层形成的PN结能够产生内建电场，有利于延长光生载流子的寿命，增强光电效应。
应用于灵敏度光电探测器分子材料部件及其制作方法

[发明专利]一种基于TMDCs横向PIN同质结的光电二极管及制备方法-CN202010438585.0有效
发明人：张有为;王顺 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：通过局域化表面掺杂技术，在本征或轻掺杂的TMDCs薄膜中引入P型重掺杂区与N型重掺杂区，上述两种重掺杂区与未经过局域化表面掺杂处理的本征或轻掺杂I区横向排布，构成横向PIN三明治结构，其中P型重掺杂区与N型重掺杂区各自被金属电极覆盖。P型重掺杂区、本征或轻掺杂I区与N型重掺杂区之间载流子浓度梯度引发载流子扩散，最终热平衡状态下本征或轻掺杂I区完全耗尽，内建电场基本落在I区。
一种基于 tmdcs 横向 pin 同质光电二极管制备方法

[发明专利]一种治疗肾综合征出血热药物及其应用-CN201510514137.3在审
发明人：李洋 -专利权人：南京华宽信息咨询中心
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： A61K31/365 文献下载
摘要：本发明属于医药领域，具体公开了一种治疗肾综合征出血热药物，由化合物Sesquiterpenoids和辅料组成，体内抑制实验研究显示，Sesquiterpenoids对细胞的毒性作用低、对肾综合征出血热病毒有直接杀灭作用并能明显抑制该病毒的增值因此Sesquiterpenoids是治疗肾综合征出血热有效、安全的药物。
一种治疗综合征出血热药物及其应用

[发明专利]一种同时检测9种猪病原体的微流体芯片-CN202010196399.0在审
发明人：谢荣辉;徐辉;赵灵燕;王雅婷;张红丽;冯肖肖;柴娟;周蕾;吴贇竑 -专利权人：浙江省动物疫病预防控制中心
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C12Q1/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种同时检测9种猪病原体的微流体芯片，属于基因工程技术领域，将猪瘟病毒引物探针、猪伪狂犬病毒引物探针、猪嵴病毒引物探针、猪细小病毒I型引物探针、猪细小病毒Ⅳ型引物探针、猪流行性乙型脑炎病毒引物探针、美洲型猪繁殖与呼吸综合征病毒引物探针、高致病性猪繁殖与呼吸综合征病毒引物探针、猪圆环病毒2型引物探针包被在微流体芯片上。芯片的敏感性：猪瘟病毒10拷贝、猪伪狂犬病毒100拷贝、猪嵴病毒100拷贝、猪细小病毒I型100拷贝，猪细小病毒IV型100拷贝，猪乙型脑炎病毒100拷贝，猪圆环病毒2型100拷贝，高致病性猪猪繁殖与呼吸综合征病毒100拷贝，美洲型猪繁殖与呼吸综合征病毒10拷贝。
一种同时检测种猪病原体流体芯片

[发明专利]一种SOI功率开关的ESD保护器件-CN201910010757.1有效
发明人：蔡小五;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;罗家俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种SOI功率开关的ESD保护器件，包括：P型衬底；P型衬底上的N型深阱；在N型深阱上依次排布的第一N阱、第一P阱、第一P型本征掺杂区、第二N阱、第二P型本征掺杂区、第二P阱、第三N阱，第一P型本征掺杂区隔离第一P阱和第二N阱，第二P型本征掺杂区隔离第二N阱和第二P阱；第一P阱内包括第一P+注入区、第一N+注入区；第二P阱内包括第二N+注入区、第二P+注入区；第二
一种 soi 功率开关 esd 保护器件

[发明专利]一种p型背接触太阳电池及其制备方法-CN201810759437.1有效
发明人：李华;鲁伟明;李中兰;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型背接触太阳电池及其制备方法，包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极；n型掺杂膜层间隔设置在p型硅基底表面，相邻的n型掺杂膜层之间设置有本征膜层；n型掺杂膜层和本征膜层呈指状交叉形式交错排列，其中n型掺杂膜层包括第一贯穿区域和第一垂直区域，所述本征膜层包括第二贯穿区域和第二垂直区域；第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行；所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接；所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接；使用了本征膜层进行了隔离，在空间的横向和纵向方向上都没有接触，大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。
一种接触太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种p型背接触太阳电池-CN201821096671.2有效
发明人：李华;鲁伟明;李中兰;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种p型背接触太阳电池，包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极；n型掺杂膜层间隔设置在p型硅基底表面，相邻的n型掺杂膜层之间设置有本征膜层；n型掺杂膜层和本征膜层呈指状交叉形式交错排列，其中n型掺杂膜层包括第一贯穿区域和第一垂直区域，所述本征膜层包括第二贯穿区域和第二垂直区域；第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行；所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接；所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接；使用了本征膜层进行了隔离，在空间的横向和纵向方向上都没有接触，大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。
膜层垂直区域本征贯穿背接触钝化垂直背面钝化膜本实用新型电池电极电池性能基底表面间隔设置减反射膜交错排列指状交叉漏电流隧穿层基底平行隔离表现