专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储装置的修整设置确定-CN202210031142.9在审
  • A·提鲁文加达姆;D·L·洛伦斯;P·费利 - 美光科技公司
  • 2018-11-02 - 2022-04-22 - G11C7/10
  • 本申请实施例涉及存储装置的修整设置确定。本发明包含与包含控制存储单元阵列存储系统相关的设备及方法。实例设备可包含控制,所述控制经配置以基于由存储单元阵列执行的先前操作接收所述存储单元阵列的操作特性,基于所述存储单元阵列的所述操作特性确定所述存储单元阵列的一组修整设置,其中所述修整设置组与所述存储单元阵列的所要操作特性相关联,且将所述修整设置组发送到所述存储单元阵列
  • 存储器装置修整设置确定
  • [发明专利]可配置媒体结构-CN202080059079.9有效
  • R·巴苏;R·C·墨菲 - 美光科技公司
  • 2020-07-29 - 2023-03-10 - G06F11/10
  • 存储装置可经配置以在多种配置中启动。所述多种配置可包含使用所述存储装置用于持久性存储存储、用于非持久性存储存储等。举例来说,设备可包含第一存储阵列和第二存储阵列。所述设备可包含耦合到所述第一存储阵列和所述第二存储阵列存储控制。所述第二存储阵列可经配置以存储至少两个启动映像。所述第一存储阵列可经配置以基于使用所述至少两个启动映像中的哪一者而操作。
  • 配置媒体结构
  • [发明专利]存储装置及其程式化方法-CN201710043193.2有效
  • 陈毓明 - 华邦电子股份有限公司
  • 2017-01-19 - 2021-05-18 - G11C16/08
  • 本发明提供一种存储装置包括:存储阵列,包括储存数据的多个存储胞;感测电路,耦接至所述存储阵列以读取储存在所述存储阵列中的数据;数据暂存,用于储存欲写入至所述存储阵列,数据处理,以及控制单元中的数据所述数据处理器用以接收欲写入至所述存储阵列中的输入数据单元,以及基于储存在所述存储阵列中的阵列数据单元处理所述输入数据单元,以产生已处理的数据单元。所述控制单元用以将所述已处理数据单元写入至所述存储阵列中。
  • 存储器装置及其程式化方法
  • [发明专利]存储元件-CN202210382977.9在审
  • 陈士弘 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2022-04-12 - 2023-10-03 - G11C5/06
  • 本公开提供了一种存储元件,包括:存储载板、多个存储阵列区域、多个逻辑芯片,以及多个内连接线。存储阵列区域位于该存储载板内,其中存储阵列区域包括至少一NAND架构的存储。逻辑芯片配置在存储载板上。内连接线将逻辑芯片彼此电性连接,且将逻辑芯片电性连接至存储阵列区域。
  • 存储器元件
  • [发明专利]半导体存储-CN201010284307.0有效
  • 武田晃一 - 瑞萨电子株式会社
  • 2010-09-14 - 2011-04-20 - H01L27/11
  • 本发明涉及一种半导体存储件。根据本发明的半导体存储件包括:第一存储单元阵列,其中多个第一存储单元被布置成矩阵,数据被从第一存储单元读取或者被写入到第一存储单元;和第二存储单元阵列,其中多个第二存储单元被布置成矩阵,所述第二存储单元放大并且存储被布置在相对应的列中的多个第一存储单元中的一个存储单元的数据第一存储单元阵列和第二存储单元阵列被布置为在列方向上面对面。第二存储单元的面积大于第一存储单元的面积。第一存储单元阵列的面积是第二存储单元阵列的面积的两倍或者更大。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]存储阵列中的匹配模式-CN202180034802.2在审
  • D·尤达诺夫 - 美光科技公司
  • 2021-06-10 - 2023-01-13 - G11C13/00
  • 本公开涉及用于在存储装置中执行模式匹配操作的系统及方法。所述存储装置可包含控制存储阵列,其中所述存储阵列沿着位线存储不同模式。将输入模式应用到所述(若干)存储阵列以确定是否将所述模式存储于所述存储装置中。可串行或并行地激活字线以搜索所述存储阵列内的模式。所述存储阵列可包含存储二进制数字、离散值或模拟值的存储单元。
  • 存储器阵列中的匹配模式
  • [发明专利]一种存储-CN201010167521.8有效
  • 林殷茵;吴雨欣;李萌 - 复旦大学
  • 2010-05-06 - 2011-11-09 - G11C16/06
  • 本发明属于存储技术领域,具体提供一种具有冗余阵列存储。该存储通过采用阻变存储阵列替代现有技术的熔丝阵列,用来存储存储的基本存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息以提高存储的可靠性。因此,该存储具有面积小、用来存储所述存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息的存储易于编程、并且易按比例缩小的特点。
  • 一种存储器
  • [发明专利]用于存储装置的磁性高速缓存-CN202110675845.0在审
  • D·A·尤达诺夫 - 美光科技公司
  • 2021-06-18 - 2022-01-07 - G11C11/16
  • 本申请案是针对用于存储装置的磁性高速缓存。磁性存储元件(例如,磁性存储单元,例如自旋转移力矩STT存储单元或磁性穿隧结MTJ存储单元)可被配置成充当用于存储阵列的高速缓存,其中所述存储阵列包含不同类型的存储单元。所述磁性存储元件可以电感方式耦合到用于所述存储阵列的存取线。基于此电感耦合,当存储值写入到所述阵列存储单元或从所述阵列存储单元读取时,所述存储值可基于穿过用以写入或读取所述存储单元的存取线的相关联电流而并行地写入到磁性存储元件。可通过从所述磁性存储元件而非从所述阵列的所述存储单元读取所述存储值来执行后续读取请求。
  • 用于存储器装置磁性高速缓存
  • [发明专利]用于改进的进程切换的处理和其方法-CN201980005930.7有效
  • V.杜贝科;L.卡格尼尼 - 西部数据技术公司
  • 2019-03-27 - 2023-03-14 - G06F13/16
  • 一种处理包含处理存储阵列,所述处理存储阵列包含一个或多个易失性存储阵列和一个或多个非易失性存储(NVM)阵列。将所述一个或多个易失性存储阵列中的易失性存储位置与所述一个或多个非易失性存储阵列中的相应非易失性存储位置配对以形成处理存储对。将由所述处理的至少一个内核执行的不同进程的进程数据存储在相应处理存储对中。使用所述至少一个内核直接访问存储在所述相应处理存储对中的所述进程数据来执行进程。
  • 用于改进进程切换处理器方法

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